Thin-Film Deposition to connect dev

Thin-Film Deposition
to connect device structures to the “ outside world” requires the deposition and patterning of a metal layer. In fact , complex ICs have three and sometime four electrically isolated metallization layers. Electrical isolation of the metal layers in turn requires the deposition of intervening dielectric layers. Thin films are also deposit to prevent the interdiffusion of materials and to protect the device or circuit from contamination . In –use methods for depositing the required film are reviewed next.
Evoporation
Evoporation is one of the older and more straightforward methords of thin -film deposition. As envisiones in Fig. 4.12, the material to be evaporated is placed in or on a resistance heated
source holder inside a vacuum chamber. To evaporate AL, for example, a short piece of AL wire would be place on a tungsten or boat. The substrate on with the film is to be deposited is also positioned inside the chamber facing the source

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมแบบฟิล์ม การเชื่อมต่ออุปกรณ์โครงสร้าง "โลกภายนอก" ต้องสะสมและแบบของชั้นโลหะ ในความเป็นจริง ICs ซับซ้อนมีชั้นแยกไฟฟ้า metallization สาม และสี่บางครั้ง แยกไฟฟ้าของชั้นโลหะจะต้องมีการสะสมของชั้นฉนวนแทรกแซง ฟิล์มบางจะฝาก เพื่อป้องกัน interdiffusion วัสดุ และป้องกันอุปกรณ์หรือวงจรปนเปื้อนด้วย ใน – วิธีการใช้ฝากฟิล์มต้องมีตรวจสอบถัดไปEvoporation Evoporation เป็นหนึ่งของ methords เก่า และตรงไปตรงของบาง - ฟิล์มสะสม เป็น envisiones ในรูป 4.12 วัสดุที่ต้องระเหยอยู่ใน หรือ บนความต้านทานความร้อนแหล่งเก็บภายในเป็นสุญญากาศ การระเหย AL เช่น ชิ้นส่วนสั้น ๆ ของลวดอัลจะบนทังสเตนหรือเรือ พื้นผิวบนของภาพยนตร์เป็นการที่จะฝากยังอยู่ภายในห้องที่หันหน้าเข้าหาแหล่งที่มา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางทับถม
ในการเชื่อมต่อโครงสร้างอุปกรณ์ที่ "โลกภายนอก" ต้องมีการสะสมและการเลียนแบบของชั้นโลหะ ในความเป็นจริงของวงจรรวมที่ซับซ้อนมีสามและบางครั้งสี่ชั้น metallization แยกไฟฟ้า แยกไฟฟ้าของชั้นโลหะในทางกลับกันต้องมีการทับถมของชั้นแทรกแซงอิเล็กทริก ฟิล์มบางนอกจากนี้ยังมีเงินฝากเพื่อป้องกันการแพร่ของวัสดุและเพื่อปกป้องอุปกรณ์หรือวงจรจากการปนเปื้อน ในวิธีการใช้งานในการฝากภาพยนตร์เรื่องนี้จำเป็นต้องได้รับการทบทวนต่อไป.
Evoporation
Evoporation เป็นหนึ่งใน methords เก่าและตรงไปตรงมามากขึ้นของการสะสม -film บาง ในฐานะที่เป็น envisiones ในรูป 4.12, วัสดุที่จะระเหยจะอยู่ในหรือบนต้านทานอุ่น
เจ้าของแหล่งภายในห้องสูญญากาศ จะระเหยอัลตัวอย่างเช่นชิ้นสั้นของเส้นลวดอลาบาม่าจะเกิดขึ้นในทังสเตนหรือเรือ สารตั้งต้นกับหนังเรื่องนี้นำมาฝากยังอยู่ในตำแหน่งที่ภายในห้องหันหน้าไปทางแหล่งที่มา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเคลือบฟิล์มบางเพื่อเชื่อมต่อกับโครงสร้างอุปกรณ์เพื่อ " โลก " นอกต้องสะสมและการเลียนแบบของชั้นโลหะ ในความเป็นจริง , ICS ที่ซับซ้อนมีสามบ้างสี่แยกระบบไฟฟ้างานชั้น การแยกทางไฟฟ้าของโลหะ ชั้นจะต้องมีการสะสมของแทรกแซงไดอิชั้น ฟิล์มบางเป็นเงินฝากเพื่อป้องกัน interdiffusion ของวัสดุและการปกป้องอุปกรณ์ หรือวงจรจากการปนเปื้อน วิธีการที่ใช้ในการฝากเงิน และต้องมีการตรวจทานภาพยนตร์ต่อไปevoporationevoporation เป็นหนึ่งในเก่าและตรงไปตรงมามากขึ้น methords บาง - การเคลือบฟิล์ม เป็น envisiones ในรูปที่ 4.12 , วัสดุที่จะระเหยอยู่ในหรือบนต้านทานความร้อนแหล่งวางภายในห้องสูญญากาศ . ระเหยอัล ตัวอย่างเช่น ชิ้นสั้น ๆของอัล ลวดทังสเตน หรือจะวางบนเรือ พื้นผิวกับฟิล์มต้องฝากยังวางภายในห้อง ซึ่งแหล่ง