Quantitative Analysis of Scattering

Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิเคราะห์เชิงปริมาณของโปรยกลไกในผลึกสูงผิว CVD MoS2 ผ่านกลยุทธ์การเติบโตที่จำกัดตนเองด้วยอินเทอร์เฟซสำหรับวิศวกรรม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวิเคราะห์เชิงปริมาณของกลไกในการกระเจิงสูง MoS2 CVD ผลึกผ่านกลยุทธ์การเจริญเติบโต จำกัด ตัวเองโดยการเชื่อมต่อวิศวกรรม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การวิเคราะห์เชิงปริมาณของกลไกในการขอ ( CVD mos2 ผ่านตนเอง จำกัด กลยุทธ์การเติบโต โดยวิศวกรรมอินเตอร์เฟซ