also crystallized in the same hexag

also crystallized in the same hexagonal structure. The average crystallite size was estimated from the most intense XRD peak [(1 0 1)] to be about 33 nm by using Scherrer's formula [23]. Fig. 3 shows the Raman spectra of ZnO nanofibers annealed at 500 1C and 550 1C for 90 min. The strong Raman peak near 437 cm 1 corresponds to Eh2igh phonon mode of wurtzite ZnO and the peak located at 385 cm 1 corresponds to A1-TO mode. The peak located at $581 cm 1 (E1-LO) has been attributed to O-vacancy defects presentin the crystal [24]. The star marked peaks in the figure are due to multiple phonon scattering processes. It can be noticed that except the E2-high peak, the position of the rest shift slightly with increase in annealing temperature. The decrease in the intensity and the broadening of the E2-high peak with increasing temperature indicate a variation in defect concentration with temperature as proposed earlier [24]. It is evident that annealing at higher temperatures reduces the defect concentration in these nanostrucures. The Raman spectra also confirm the existence of a single hexagonal wurtzite phase with no other impurity phase as depicted by the XRD patterns.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ยัง ตกผลึกในโครงสร้างหกเหลี่ยมเหมือนกัน ขนาดเฉลี่ย crystallite ถูกประเมินจากยอด XRD รุนแรงที่สุด [(1 0 1)] จะ ประมาณ 33 nm โดยใช้สูตรของ Scherrer [23] Fig. 3 แสดงรามันแรมสเป็คตราของ ZnO nanofibers annealed ที่ 500 1C และ 550 1C สำหรับ 90 นาที พีครามันแข็งแกร่งใกล้ 437 cm 1 ตรงกับโหมด phonon Eh2igh wurtzite ZnO และสูงสุดอยู่ที่ 385 cm 1 ตรงกับ A1-โหมด สูงสุดอยู่ที่ $581 ซม 1 (E1-หล่อ) มีการบันทึกข้อบกพร่องตำแหน่งว่าง O presentin คริสตัล [24] แห่งเครื่องหมายดาวในภาพเนื่องจากกระบวนการ scattering phonon หลายได้ สามารถสังเกตเห็นที่ยกเว้นช่วง peak สูง E2 ตำแหน่งของส่วนเหลือกะกับเพิ่มอุณหภูมิการอบเหนียวเล็กน้อย ลดความรุนแรงและ broadening สูง E2 สูงด้วยการเพิ่มอุณหภูมิระบุรูปแบบในความเข้มข้นความบกพร่องกับอุณหภูมิก่อนเสนอ [24] เห็นได้ชัดว่า การอบเหนียวที่อุณหภูมิสูงขึ้นลดความเข้มข้นความบกพร่องใน nanostrucures เหล่านี้ได้ แรมสเป็คตรารามันยังยืนยันการดำรงอยู่ของระยะ wurtzite เดียวหกเหลี่ยมด้วยระยะมลทินอื่น ๆ ไม่เป็นแสดง โดยรูปแบบการ XRD

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ยังเป็นก้อนในโครงสร้างหกเหลี่ยมเดียวกัน ขนาดผลึกเฉลี่ยประมาณจากที่รุนแรงที่สุด XRD สูงสุด [(1 0 1)] จะประมาณ 33 นาโนเมตรโดยใช้สูตรของ Scherrer [23] มะเดื่อ 3 แสดงสเปกตรัมรามันของ nanofibers ZnO อบที่ 500 และ 550 1C 1C 90 นาที ยอดรามันแข็งแกร่งใกล้ 437 ซม. ? 1 สอดคล้องกับ Eh2igh โหมด phonon ของ wurtzite ZnO และสูงสุดอยู่ที่ 385 ซม. ? 1 สอดคล้องกับโหมด A1-TO จุดสูงสุดอยู่ที่ $ 581 ซม. ? 1 (E1-LO) ได้รับการบันทึกข้อบกพร่อง O-ว่าง presentin คริสตัล [24] ดาวยอดการทำเครื่องหมายในรูปเนื่องจากหลายกระบวนการ phonon กระเจิง ก็สามารถที่จะสังเกตเห็นว่ายกเว้นยอด E2 สูงตำแหน่งของส่วนที่เหลือเปลี่ยนเล็กน้อยกับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิการหลอม ลดลงในความรุนแรงและขยายของยอด E2 สูงที่มีอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นบ่งชี้ถึงการเปลี่ยนแปลงในความเข้มข้นของข้อบกพร่องที่มีอุณหภูมิตามที่เสนอก่อนหน้านี้ [24] จะเห็นว่าการหลอมที่อุณหภูมิสูงจะช่วยลดความเข้มข้นของข้อบกพร่องใน nanostrucures เหล่านี้ รามันสเปกตรัมยังยืนยันการมีอยู่ของขั้นตอนการ wurtzite เดียวหกเหลี่ยมที่มีขั้นตอนการปนเปื้อนอื่น ๆ ที่ไม่เป็นที่ปรากฎโดยรูปแบบ XRD

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ในโครงสร้างหกเหลี่ยมเป็นก้อนเดียวกัน ที่มีขนาดเฉลี่ยประมาณจาก XRD พีครุนแรงที่สุด [ 1 0 1 ) ] อยู่ประมาณ 33 nm โดยการใช้สูตรของเชเรอร์ [ 23 ] รูปที่ 3 แสดงลักษณะสเปกตรัมของซิงค์ออกไซด์นาโนอบ 500 1C และ 550 1C สำหรับ 90 นาทีแรง รามัน ยอดใกล้ 437 ซม.  1 สอดคล้องกับ eh2igh Phonon โหมดของ wurtzite ZnO และจุดสูงสุดอยู่ที่ 385 ซม.  1 สอดคล้องกับ a1-to โหมด สูงสุดอยู่ที่ $ 581 ซม.  1 ( e1-lo ) ได้ถูกว่า o-vacancy ข้อบกพร่อง presentin คริสตัล [ 24 ] ดาวเครื่องหมายยอดในรูปเนื่องจากหลาย Phonon กระบวนการกระจาย . มันอาจจะสังเกตเห็นว่า นอกจากยอดสูง E2ตำแหน่งที่เหลือกะเล็กน้อยกับเพิ่มอุณหภูมิการอบอ่อน . ลดความเข้มและการขยายของยอดเขาสูง E2 เพิ่มอุณหภูมิบ่งชี้การเปลี่ยนแปลงในข้อบกพร่องของอุณหภูมิตามที่เสนอก่อนหน้านี้ [ 24 ] จะเห็นได้ว่า อบที่อุณหภูมิสูงจะช่วยลดข้อบกพร่องของ nanostrucures เหล่านี้สเปกตรัมรามันยังยืนยันอยู่เดียว wurtzite หกเหลี่ยมเฟสอื่นไม่มีสิ่งเจือปน ระยะที่ภาพโดยวิเคราะห์รูปแบบ