For a fast response time, silicon r

For a fast response time, silicon resistivity and operating voltage must be chosen to give a depletion layer width such that the majority of the carriers are generated within it at the operating wavelength. In this case transit time will be dependent on both electron and hole drift velocities. Figure 5 illustrates the way drift velocity increases with electric field and it will also be seen that, except at very high fields the electron velocity is 2.5 times that for holes. Hence, hole transit time tends to dominate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เวลาตอบสนองรวดเร็ว ซิลิคอนความต้านทานและแรงดันไฟฟ้าต้องเลือกให้มีการลดลงของชั้นความกว้างที่ส่วนใหญ่ของสายการบินที่ถูกสร้างขึ้นภายในที่ความยาวคลื่นปฏิบัติ ในกรณีนี้ เวลาส่งต่อจะขึ้นอยู่กับอิเล็กตรอนและหลุมตะกอนดริฟท์ รูปที่ 5 แสดงวิธีการดริฟท์เพิ่มความเร็วกับสนามไฟฟ้าและจะยังสามารถเห็นได้ที่ ยกเว้นในเขตที่สูงมาก ความเร็วของอิเล็กตรอนได้ 2.5 ครั้งที่ในหลุม ดังนั้น เวลาส่งต่อหลุมมีแนวโน้มครอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับเวลาการตอบสนองที่รวดเร็วและความต้านทานซิลิคอนและแรงดันไฟฟ้าจะต้องเลือกที่จะให้ความกว้างของชั้นการสูญเสียดังกล่าวว่าส่วนใหญ่ของผู้ให้บริการจะมีการสร้างที่อยู่ภายในที่ความยาวคลื่นในการดำเนินงาน ในกรณีนี้เวลาการขนส่งจะขึ้นอยู่กับทั้งอิเล็กตรอนและหลุมความเร็วดริฟท์ รูปที่ 5 แสดงให้เห็นถึงวิธีการดริฟท์โวนอยด์ที่มีสนามไฟฟ้าและมันก็จะเห็นได้ว่ายกเว้นสาขาที่สูงมากความเร็วของอิเล็กตรอนคือ 2.5 ครั้งที่หลุม ดังนั้นเวลาการขนส่งหลุมมีแนวโน้มที่จะครอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับเวลาการตอบสนองอย่างรวดเร็วของความต้านทานแรงดันไฟฟ้า , ซิลิคอนและปฏิบัติการ ต้องมีการเลือกที่จะให้การทำลายชั้นบรรยากาศความกว้างดังกล่าวว่าส่วนใหญ่ของผู้ที่ถูกสร้างขึ้นภายในช่วงความยาวคลื่น 190 ในกรณีนี้ เวลาการขนส่งจะขึ้นอยู่กับทั้งอิเล็กตรอนและโฮลดริฟระ . รูปที่ 5 แสดงให้เห็นถึงวิธีที่ลอยเร็วเพิ่มขึ้นด้วยสนามไฟฟ้าและก็จะเห็นแล้วว่ายกเว้นในด้านความเร็วของอิเล็กตรอนสูงมาก เป็น 2.5 เท่า สำหรับหลุม ดังนั้น เวลาผ่านหลุมมีแนวโน้มที่จะครอง .