This paper presents a design of the

This paper presents a design of the transimpedance amplifier
using 0.35µm CMOS technology. In the proposed
transimpedance amplifier, feedback resistor RF of
conventional transimpedance amplifier has been replaced by
NMOS transistor as an active feedback resistor. This circuit
operates at 3.3V power supply voltage and for a photocurrent
of 0.5µA.The proposed transimpedance amplifier having low
noise, high gain and large dynamic range. The simulated
results of transimpedance gain in single stage and three stage
transimpedance amplifiers is 4.43 MΩ and 4.39 MΩ at gate
voltage of 0.4V. Power dissipation of single stage and three
stage transimpedance amplifier is 602.04 µW and 1.781mW at
gate voltage of 2.0V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอกสารนี้นำเสนอการออกแบบของแอมพลิฟายเออร์ transimpedance0.35µm โดยใช้เทคโนโลยี CMOS ในการนำเสนอแอมพลิฟายเออร์ transimpedance, RF ตัวต้านทานความคิดเห็นของแอมพลิฟายเออร์ transimpedance แบบเดิมถูกแทนที่ด้วยทรานซิสเตอร์ NMOS เป็นตัวต้านทานการใช้งานข้อเสนอแนะ วงจรนี้ทำงานที่ 3.3 v แรงดันแหล่งจ่ายไฟ และการ photocurrentของ 0.5µA.The ที่นำเสนอมีแอมพลิฟายเออร์ transimpedance ต่ำสัญญาณรบกวน กำไรสูง และช่วงแบบไดนามิกที่ใหญ่ การจำลองผลของ transimpedance ได้รับในขั้นตอนเดียวและขั้นตอนที่สามเครื่องขยายเสียง transimpedance เป็น 4.43 MΩ และ 4.39 MΩ ที่ประตูแรงดันไฟฟ้าของ 0.4V กระจายพลังงานของขั้นตอนเดียวและสามแอมพลิฟายเออร์ transimpedance stage เป็น 602.04 µW และ 1.781mW ที่แรงดันเกตของ 2.0V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้นำเสนอการออกแบบของเครื่องขยายเสียงต้านทาน
ใช้เทคโนโลยี0.35μm CMOS ในการเสนอ
Amplifier ต้านทานข้อเสนอแนะต้านทาน RF ของ
เครื่องขยายเสียงต้านทานแบบเดิมได้ถูกแทนที่โดย
NMOS ทรานซิสเตอร์เป็นตัวต้านทานที่ใช้งานข้อเสนอแนะ วงจรนี้
ทำงานที่ 3.3V แรงดันไฟฟ้าและโฟโต
ของ0.5μA.The Amplifier ต้านทานที่นำเสนอมีต่ำ
เสียงสูงและกำไรช่วงแบบไดนามิกที่มีขนาดใหญ่ จำลอง
ผลของการเพิ่มความต้านทานในขั้นตอนเดียวและสามเวที
เครื่องขยายเสียงต้านทานคือ 4.43 และ 4.39 MΩMΩที่ประตู
แรงดันไฟฟ้าของ 0.4V การกระจายอำนาจของขั้นตอนเดียวและสาม
เวทีเครื่องขยายเสียงความต้านทานเป็น 602.04 μWและ 1.781mW ที่
แรงดันไฟฟ้าประตู 2.0V

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้นำเสนอการออกแบบของ transimpedance เครื่องขยายเสียงใช้µ 0.35 m CMOS เทคโนโลยี ในการเสนอเครื่องขยายเสียง transimpedance RF , ตัวต้านทานของความคิดเห็นเครื่องขยายเสียง transimpedance เดิมได้ถูกแทนที่โดยnmos ทรานซิสเตอร์เป็นตัวต้านทานป้อนกลับที่ใช้งานอยู่ วงจรนี้ทำงานที่แรงดันไฟฟ้าและกระแสโฟโต 3.3v สำหรับ0.5 µ a.the เสนอ transimpedance เครื่องขยายเสียงมีต่ำเสียงที่ได้รับสูงและช่วงแบบไดนามิกที่มีขนาดใหญ่ จำลองผลของ transimpedance ได้รับในขั้นตอนเดียวและสามระยะtransimpedance เครื่องขยายเสียงคือ 4.43 เมตรΩและ 4.39 เมตรΩที่ประตูแรงดันของ 0.4v พลังงาน การกระจายของขั้นตอนเดียวและสามเครื่องขยายเสียง transimpedance เวที 602.04 µ W และ 1.781mw ที่ประตูไฟฟ้า 2.0v .