The resistance R2 of F-T-xA is smal

The resistance R2 of F-T-xA is small compared with 22.3 V for a similar photoanode structure constructed by TiO2 nanotubes modified with TiCl4 treatment in conjunction with an Al2O3 barrier layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความต้านทาน R2 ของ F-T-ซามีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับ 22.3 V สำหรับโครงสร้าง photoanode ที่คล้ายกันที่สร้าง โดย nanotubes TiO2 ที่ปรับเปลี่ยนกับ TiCl4 รักษาร่วมกับการ Al2O3 อุปสรรคชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความต้านทาน R2 ของ FT-xA มีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับ 22.3 V สำหรับโครงสร้าง photoanode ที่คล้ายกันสร้างขึ้นโดยท่อนาโน TiO2 แก้ไขด้วยการรักษา TiCl4 ร่วมกับชั้นอุปสรรค Al2O3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความต้านทาน R2 ของ f-t-xa มีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับของที่คล้ายกันจาก photoanode โครงสร้างนาโน TiO2 ที่ผู้วิจัยสร้างขึ้น โดยแก้ไขด้วยการรักษา ticl4 ร่วมกับ Al2O3 กั้นชั้น