The ZnO thin films were deposited u

The ZnO thin films were deposited using a route based on the
plasma assisted reactive evaporation method, which consists
of evaporating Zn in the presence of oxygen, so that there
takes place a chemical reaction that gives place to the formation
of the ZnO. As the Zn in the presence of O2 oxidize very
slowly at room temperature, it is necessary to ionize both Zn
and O2 to accelerate the chemical reaction between these two
species. The ionization is achieved through GD that includes
different ionized species that increase the speed of chemical
reaction and therefore the rate of growth of ZnO film. Under
the conditions of current and pressure used in the reactive
evaporation process, the generated plasma is a non-thermal
plasma that implies that the most probable mechanism of
ionization of the gas inside the plasma is direct ionization
of neutral particles (atoms, molecules or radical) by electron
impact [23].
For the design of the reactor that allows generating a stable
GD confined in the space between the electrodes, it took into
account the Paschen law that relates the voltage for the initiation
of the discharge and the product of the pressure by the
separation distance between the electrodes [23]. For the reactor
designed in this work and under the conditions of pressure
used, it was found that for oxygen, a stable glow discharge
is obtained by applying a voltage difference of the order of
500 V.
Fig. 1 shows a scheme of the setup designed and implemented
to grow ZnO thin films by plasma assisted reactive
evaporation. This includes the following units:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO ที่ฟิล์มบางมาฝากโดยใช้เส้นทางตามพลาสม่าช่วยวิธีระเหยปฏิกิริยา ซึ่งประกอบด้วยการระเหย Zn ในออกซิเจน ดังนั้นที่มีจะเกิดปฏิกิริยาทางเคมีที่ให้เกิดการก่อตัวของ ZnO เป็น Zn ใน O2 ออกซิไดซ์มากอย่างช้า ๆ ที่อุณหภูมิห้อง จำเป็นต้อง ionize Zn ทั้งสองและ O2 เพื่อเร่งปฏิกิริยาทางเคมีระหว่างสองสายพันธุ์ การไอออไนซ์คือ GD ที่มีความสำเร็จพันธุ์ที่เพิ่มความเร็วของสารเคมีแตกตัวเป็นไอออนปฏิกิริยา และอัตราการเจริญเติบโตของ ZnO ฟิล์ม ภายใต้สภาพของกระแสและแรงดันที่ใช้ในการทำปฏิกิริยากระบวนการระเหย พลาสมาสร้างขึ้นจะมีความร้อนพลาสม่าซึ่งก็หมายความว่ากลไกน่าจะมากที่สุดของไอออไนซ์ของก๊าซภายในพลาสม่าจะไอออไนซ์โดยตรงกลางอนุภาค (อะตอม โมเลกุล หรืออนุมูล) โดยอิเล็กตรอนผลกระทบ [23]สำหรับการออกแบบของเครื่องปฏิกรณ์ที่ช่วยให้การสร้างมั่นคงGD ถูกคุมขังในว่างระหว่างขั้วไฟฟ้า ที่เอาเข้าบัญชีกฎหมาย Paschen ที่แรงดันไฟฟ้าสำหรับการเริ่มต้นที่เกี่ยวข้องการปล่อยและผลิตภัณฑ์ของความดันโดยการระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้า [23] สำหรับเครื่องปฏิกรณ์ออกแบบ ในงานนี้ และภาย ใต้เงื่อนไขของความดันใช้ จะพบว่าสำหรับออกซิเจน การปล่อยแสงเสถียรจะได้รับ โดยใช้ความแตกต่างของแรงดันไฟฟ้าของสั่งของ500 Vรูปที่ 1 แสดงแบบแผนของการตั้งค่าการออกแบบ และดำเนินการการปลูกฟิล์มบาง ZnO โดยพลาช่วยปฏิกิริยาระเหย ซึ่งรวมถึงหน่วยต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์มีเงินใช้เส้นทางขึ้นอยู่กับ
พลาสม่าช่วยวิธีการระเหยปฏิกิริยาซึ่งประกอบด้วย
ระเหยธาตุสังกะสีในการปรากฏตัวของออกซิเจนเพื่อให้มี
เกิดขึ้นปฏิกิริยาทางเคมีที่ให้สถานที่ที่จะก่อตัว
ของซิงค์ออกไซด์ ในฐานะที่เป็นสังกะสีในการปรากฏตัวของ O2 ที่ออกซิไดซ์มาก
ช้าที่อุณหภูมิห้องก็เป็นสิ่งจำเป็นที่จะทำให้เป็นละอองทั้งสังกะสี
และ O2 เพื่อเร่งปฏิกิริยาทางเคมีระหว่างทั้งสอง
สายพันธุ์ ไอออนไนซ์จะทำได้โดย GD ที่มี
สายพันธุ์ที่แตกต่างกันที่แตกตัวเป็นไอออนเพิ่มความเร็วของสารเคมี
เกิดปฏิกิริยาและดังนั้นอัตราการเติบโตของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ ภายใต้
เงื่อนไขของความดันในปัจจุบันและที่ใช้ในปฏิกิริยา
กระบวนการระเหยพลาสม่าที่สร้างเป็นไม่ใช่ความร้อน
พลาสม่าที่แสดงให้เห็นว่ากลไกที่น่าจะเป็นที่สุดของ
ไอออนไนซ์ของก๊าซภายในพลาสม่าเป็นไอออนไนซ์โดยตรง
ของอนุภาคที่เป็นกลาง (อะตอมโมเลกุลหรืออนุมูลอิสระ ) โดยอิเล็กตรอน
ผลกระทบ [23].
สำหรับการออกแบบของเครื่องปฏิกรณ์ที่ช่วยให้การสร้างเสถียรภาพ
GD คุมขังอยู่ในช่องว่างระหว่างขั้วไฟฟ้าก็เอาเข้า
บัญชีกฎหมาย Paschen ที่เกี่ยวข้องแรงดันไฟฟ้าสำหรับการเริ่มต้น
ของการปล่อยสินค้าของ ความดันโดย
ระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้า [23] สำหรับเครื่องปฏิกรณ์
ได้รับการออกแบบในงานนี้และภายใต้เงื่อนไขของความดัน
ใช้พบว่าออกซิเจนปล่อยเรืองแสงที่มีเสถียรภาพ
จะได้รับโดยการใช้ความแตกต่างของแรงดันไฟฟ้าของคำสั่งของ
500 โวลต์
รูป 1 แสดงให้เห็นรูปแบบของการติดตั้งการออกแบบและดำเนิน
การปลูกฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์โดยพลาสม่าช่วยปฏิกิริยา
การระเหย ซึ่งรวมถึงหน่วยงานดังต่อไปนี้: