For the collector-feedback biased n

For the collector-feedback biased npn transis circuit in Figure 16-1, the dc load line crosses the horizontal axis on the collector characteristic curve plot at a value of collector-emitter voltage (Vce) equal to Vcc (Ic=0). It crosses the vertical axis ata value of collector curret(Ic) equal to Vcc/Rc (Vce=0).

The operating(Q-point) is located on the dc load line. It is determined from the value of the collector current (Ic). For maximum operating point stability with collector feedback bias, the value of the base resistor (Rb) must be much greater than βdc Rc. In order for the operating point to be close to the middle of the load line with collector-feedback bias, the value of the base resistor (Rb) must be approximately equal to βdc Rc. Therefore, keeping the operating point close to the center of the load line requires some sacrifice in operating point stability.
The dc current gain (βdc) is calculated by dividing the dc collector current (Ic) by the dc base current(Ib) thereforn, neglecting leakage current,
βDC=
The collector-emitter voltage (vce) for the collector-feedback biased npn transistor circuit is calculated from Kirchoff’s voltage law. Therefore,
Vcc=(Ic+Ib)Rc+Vce=IcRc+Vce
And
Vce=Vcc- IcRc
Collector-feedback bias is one of the simplest biasing networks, but the operating point is not as stable as with some of the other biasing configurations if it is desired to keep the operating point in the center of the load lind.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการรวบรวมคำติชมลำเอียง npn transis วงจรในรูปที่ 16-1 เส้นโหลด dc ตัดกับแกนแนวนอนบนพล็อตเส้นโค้งลักษณะเก็บค่าของตัวเก็บรวบรวมตัวส่งแรงดัน (Vce) เท่ากับ Vcc (Ic = 0) มันตัดค่า ata แกนแนวตั้งของตัวเก็บรวบรวม curret(Ic) เท่ากับ Vcc/Rc (Vce = 0)Operating(Q-point) ตั้งอยู่บนเส้นโหลด dc กำหนดจากค่าของตัวเก็บรวบรวมปัจจุบัน (Ic) สำหรับสูงสุดปฏิบัติจุดเสถียรภาพด้วยอคติความคิดเห็นรวบรวม ค่าของตัวต้านทานที่ฐาน (Rb) ต้องมากมากกว่า βdc Rc ในใบสั่งสำหรับจุดปฏิบัติงานไปกับตรงกลางของบรรทัดโหลดมีความโน้มเอียงในการรวบรวมคำติชม ค่าของตัวต้านทานที่ฐาน (Rb) ต้องประมาณเท่ากับ βdc Rc ดังนั้น รักษาจุดปฏิบัติงานใกล้กับศูนย์กลางของเส้นโหลดต้องเสียสละบางอย่างในการทำงานเสถียรภาพจุดDc ปัจจุบันกำไร (βdc) คำนวณ โดยการหารที่ dc เก็บปัจจุบัน (Ic) โดย thereforn current(Ib) ฐาน dc, neglecting ปัจจุบัน รั่ว ΒDC =คำนวณแรงดันตัวเก็บรวบรวมส่ง (vce) ในวงจรทรานซิสเตอร์ npn ลำเอียงเสนอแนะรวบรวมกฎหมาย Kirchoff ของแรงดันไฟฟ้า ดังนั้น Vcc =(Ic+Ib) Rc + Vce = IcRc + Vceและ Vce = Vcc - IcRcรวบรวมคำติชมความโน้มเอียงเป็นหนึ่งเครือข่าย biasing ง่าย แต่จุดปฏิบัติงานไม่เป็นมีเสถียรภาพเป็นกับบางที่ค่า biasing ถ้ามันจะต้องให้จุดทำงานของโหลด lind

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับข้อเสนอแนะสะสมลำเอียง NPN transis วงจรในรูปที่ 16-1, สายโหลด dc ข้ามแกนนอนบนพล็อตเส้นโค้งลักษณะที่เก็บค่าของแรงดันไฟฟ้าเก็บ-อีซีแอล (VCE) เท่ากับ Vcc (Ic = 0) มันข้ามแกนตั้งค่าอะของสะสม curret (IC) เท่ากับ Vcc / Rc (VCE = 0). ในการดำเนินงาน (Q จุด) ตั้งอยู่บนเส้นโหลดกระแสตรง มันจะถูกกำหนดจากมูลค่าของสะสมปัจจุบัน (IC) เพื่อความมั่นคงในการทำงานสูงสุดจุดที่มีอคติข้อเสนอแนะเก็บค่าของตัวต้านทานฐาน (Rb) จะต้องมากขึ้นกว่าβdc Rc เพื่อให้จุดปฏิบัติการจะใกล้เคียงกับช่วงกลางของเส้นโหลดอคติกับข้อเสนอแนะของสะสมมีค่าของตัวต้านทานฐาน (Rb) จะต้องประมาณเท่ากับβdc Rc ดังนั้นการรักษาจุดปฏิบัติการอยู่ใกล้กับศูนย์กลางของสายโหลดต้องเสียสละบางอย่างในความมั่นคงจุดปฏิบัติการ. ซีกำไรปัจจุบัน (βdc) จะถูกคำนวณโดยการหารสะสมกระแสไฟตรง (IC) โดยฐาน dc ปัจจุบัน (Ib) thereforn, ละเลยการรั่วไหลในปัจจุบันβDC = แรงดันสะสม-อีซีแอล (VCE) สำหรับเก็บรวบรวมข้อเสนอแนะลำเอียงวงจรทรานซิสเตอร์ NPN คำนวณจากกฎหมายของแรงดันไฟฟ้า Kirchoff ดังนั้นVcc = (Ic + Ib) Rc + VCE = ICRC + VCE และVCE = Vcc- ICRC อคติสะสมข้อเสนอแนะเป็นหนึ่งในเครือข่าย biasing ง่าย แต่จุดการดำเนินงานไม่เป็นที่มั่นคงเช่นเดียวกับบางส่วนของการกำหนดค่าอื่น ๆ biasing ถ้ามันเป็นที่ต้องการเพื่อให้จุดปฏิบัติการในใจกลางของลินด์โหลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับนักสะสมความคิดเห็นลำเอียง transis NPN วงจรในรูปที่ 16-1 , ดีซีโหลดบรรทัดข้ามแกนแนวนอนในลักษณะโค้งเก็บพล็อตที่มูลค่าการสะสมแรงดัน ( vce อีซี ) เท่ากับ VCC ( IC = 0 ) มันตัดแกนตั้ง ATA curret สะสมมูลค่า ( IC ) เท่ากับ VCC / RC ( vce = 0 )

ปฏิบัติการ ( q-point ) ตั้งอยู่บน DC โหลดบรรทัดจะพิจารณาจากค่าของนักสะสมในปัจจุบัน ( IC ) สำหรับเสถียรภาพสูงสุดจุดปฏิบัติกับนักสะสมความคิดเห็นที่อคติ ค่าพื้นฐานของตัวต้านทาน ( RB ) ต้องมีค่ามากกว่าบีตา DC RC เพื่อให้จุดทำงานอยู่ใกล้กับตรงกลางของเส้นกับความคิดเห็นอคติโหลดเก็บ ค่าพื้นฐานของตัวต้านทาน ( RB ) ต้องประมาณเท่ากับบีตา DC RC ดังนั้นการรักษาจุดทำงานอยู่ใกล้กับศูนย์กลางของเส้นต้องมีการเสียสละในการปฏิบัติโหลดประเด็นความมั่นคง
DC ปัจจุบันได้รับ ( บีตา DC ) คำนวณโดยการหาร DC สะสมปัจจุบัน ( IC ) โดย DC ฐานปัจจุบัน ( IB ) thereforn แต่การรั่วไหลของกระแส DC =

บีตาเก็บมิเตอร์แรงดันไฟฟ้า ( vce ) สำหรับนักสะสม NPN ทรานซิสเตอร์วงจรป้อนกลับ มีอคติ คำนวณจากกฎหมายแรงดันไฟฟ้าของเคอร์ชอฟฟ์ . ดังนั้น
VCC = ( IC IB ) RC vce =

= vce และ ICRC vce VCC - ICRC
สะสมความคิดเห็นอคติเป็นหนึ่งในที่ง่ายที่สุด ขยายเครือข่ายแต่จุดปฏิบัติการไม่มั่นคงเช่นเดียวกับบางส่วนของอื่น ๆขยายการตั้งค่าถ้ามันถูกต้องเพื่อให้จุดปฏิบัติการในศูนย์ของโหลด ลินด์ .