Simultaneously the characteristic o

Simultaneously the characteristic of DAF void and its formation/reduction
mechanism also are investigated. It was found that the DAF
voids occur at substrate/film interface with fixed location and
similar pattern.

They can be reduced significantly by
enhancement of transfer pressure during molding process,
which can be explained that gap on substrate surface is filled
furthest by film under high transfer pressure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะของ DAF โมฆะและก่อการลดพร้อมกันกลไกยังจะตรวจสอบ พบว่า DAFช่องว่างที่เกิดขึ้นในภาพยนตร์พื้นผิวติดต่อกับสถานที่คงที่ และรูปแบบคล้ายกัน พวกเขาสามารถลดลงอย่างมากเพิ่มความดันในระหว่างกระบวนการ ฉีดซึ่งสามารถอธิบายได้ที่ช่องว่างในพื้นผิว เต็มไปด้วยพื้นผิวอยู่ โดยฟิล์มภายใต้ความดันสูงส่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พร้อมกันลักษณะของ DAF โมฆะและการก่อตัว / ลดลงของ
กลไกการนอกจากนี้ยังมีการตรวจสอบ มันก็พบว่า DAF
ช่องว่างที่เกิดขึ้น / อินเตอร์เฟซฟิล์มสารตั้งต้นที่มีสถานที่ตั้งคงที่และ
รูปแบบคล้ายกัน. พวกเขาสามารถจะลดลงอย่างมีนัยสำคัญโดยการเพิ่มประสิทธิภาพของความดันการถ่ายโอนระหว่างขั้นตอนการปั้นซึ่งสามารถอธิบายช่องว่างบนพื้นผิวที่เต็มไปไกลโดยภาพยนตร์ภายใต้สูง การถ่ายโอนความดัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขณะเดียวกัน ลักษณะของโมฆะ DAF และการพัฒนา / ลดของมันกลไกยังถูกตรวจสอบ พบว่า กระบวนการช่องว่างเกิดขึ้นที่พื้นผิว / ฟิล์มติดต่อกับคงที่สถานที่แบบแผนที่คล้ายคลึงกันพวกเขาสามารถจะลดลงอย่างมากการเพิ่มความดันในการถ่ายโอนระหว่างกระบวนการขึ้นรูปซึ่งสามารถอธิบายได้ว่า ช่องว่างในพื้นผิวพื้นผิวที่เต็มไปไกลโดยภาพยนตร์ภายใต้ความดันการถ่ายโอนสูง