One-step preparation of supported C

One-step preparation of supported C-dots is achieved by thermal oxidization of the homogeneous mixture of SiO2 spherical particles and the precursor to C-dots, as illustrated in

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นการเตรียมการรองรับ C-จุดจะทำได้ โดยความร้อนสเปรย์ของผสมเนื้อเดียวของอนุภาคทรงกลม SiO2 และปูชนียบุคคลที่จุด C ดังที่แสดงใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเตรียมการขั้นตอนหนึ่งของการสนับสนุน C-จุดจะทำได้โดยการออกซิเดชันความร้อนของส่วนผสมเป็นเนื้อเดียวกันของอนุภาคทรงกลม SiO2 และปูชนียบุคคลที่ C-จุดดังแสดงใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมการขั้นหนึ่งของการสนับสนุน c-dots ได้ oxidization ความร้อนของส่วนผสมเป็นเนื้อเดียวกันของอนุภาคทรงกลมซิลิกาและสารตั้งต้น c-dots ตามที่แสดงใน