The AC impedance spectra of pure an

The AC impedance spectra of pure and doped ZnO ceramics on a Nyquist plot (Z″vs Z′) interpreted using equivalent circuit model are shown in Fig. 4. It is obvious that all specimens show only one incomplete and depressed semi-circle which is derived from the grain boundary barrier, suggesting the appearance of non-Debye type relaxation resulting from the heterogeneity of the barriers of the specimens [22]. The incomplete semicircle reveals that the relaxation frequency decreases to lower frequency which could be attributed to the development of porosity (Fig. 2) in the ceramics [23], and the measurement of this low frequency was not possible in this experiments. Moreover, the resistance of grain boundary (Rgb) decreased sharply with the increase concentration of Al dopant.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

AC อิมพีแดนซ์สเปกตรัมของเซรามิกส์ ZnO เจือ และบริสุทธิ์บนยัง (Z″vs Z′) แปลผลโดยใช้แบบจำลองวงจรเทียบเท่าที่แสดงในรูป 4 ก็คือชัดเจนว่า ชิ้นงานทั้งหมดแสดงเดียวหดหู่ และไม่สมบูรณ์รูปครึ่งวงกลมซึ่งได้มาจากอุปสรรคขอบเกรน แนะนำลักษณะของการพักผ่อนไม่ใช่ Debye ชนิดเกิดจาก heterogeneity ของอุปสรรคของตัวอย่าง [22] ครึ่งวงกลมสมบูรณ์แสดงให้เห็นว่า ความถี่ของการพักผ่อนลดลงความถี่ต่ำซึ่งอาจเกิดจากการพัฒนาของความพรุน (รูป 2) ในเซรามิกส์ [23], และการวัดความถี่ต่ำนี้เป็นไปไม่ได้ในการทดลองนี้ นอกจากนี้ ความต้านทานของขอบเกรน (Rgb) ลดลงอย่างรวดเร็วพร้อมเพิ่มความเข้มข้นของอัล dopant

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คณะกรรมการตรวจสอบความต้านทานสเปกตรัมของบริสุทธิ์และเจือเซรามิกส์ ZnO บนพล็อต Nyquist (Z "VS Z ') ตีความโดยใช้แบบจำลองวงจรสมมูลจะแสดงในรูป 4. เป็นที่ชัดเจนว่าตัวอย่างทั้งหมดแสดงเพียงหนึ่งไม่สมบูรณ์และหดหู่ครึ่งวงกลมซึ่งได้มาจากอุปสรรคขอบเกรนบอกลักษณะของการไม่อบายประเภทผ่อนคลายที่เกิดจากความแตกต่างของปัญหาและอุปสรรคของตัวอย่างที่ [22] ครึ่งวงกลมสมบูรณ์เผยให้เห็นว่าความถี่ในการผ่อนคลายลดลงความถี่ต่ำซึ่งอาจนำมาประกอบกับการพัฒนาของความพรุน (รูปที่. 2) ในเซรามิกส์ [23], และการวัดความถี่ต่ำนี้เป็นไปไม่ได้ในการทดลองนี้ นอกจากนี้ยังมีความต้านทานของขอบเกรน (RGB) ลดลงอย่างรวดเร็วด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของอัลเจือปน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

AC ความต้านทานและสเปกตรัมของบริสุทธิ์ด้วยเช่นกัน เซรามิกบน Nyquist วางแผน ( z vs z เพลง School ) ตีความการใช้รูปแบบวงจรสมมูลที่แสดงในรูปที่ 4 มันเป็นที่ชัดเจนว่าตัวอย่างแสดงเพียงหนึ่งสมบูรณ์และหดหู่กึ่งวงกลม ซึ่งได้มาจากการกั้นขอบเกรน , ลักษณะที่ไม่แนะนำ ดีบายประเภทผ่อนคลายที่เกิดจากความหลากหลายของอุปสรรคของชิ้นงาน [ 22 ] ครึ่งวงกลมไม่สมบูรณ์ พบว่าลดความถี่ความถี่ลดลง ผ่อนคลาย ซึ่งอาจจะเกิดจากการพัฒนาของรูพรุน ( รูปที่ 2 ) ในเครื่องเคลือบ [ 23 ] และการวัดความถี่ต่ำนี้ไม่ได้เป็นไปได้ในการทดลอง นอกจากนี้ความต้านทานของขอบเกรน ( RGB ) ลดลงอย่างรวดเร็วด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ อัล โดแพนท์ .