The ion implantation process select

The ion implantation process selects ions of a desired dopant,
accelerates them using an electric field to form a beam of ions, and scans them across a wafer to obtain a uniform predeposition dopant profile inside
the crystal. The energy imparted to the dopant ion determines the ion
implantation depth. Using this technique, a controlled dose of dopant
impurities can be introduced deep inside the semiconductor. This is in
contrast to diffusion, where the dose of dopant is introduced only at the
wafer surface. In addition, like diffusion, it is possible to conduct the ion
implantation in only certain well-defined areas of the wafer by using an
appropriate mask. This method yields reproducible and controlled dopant
concentration for semiconductor devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนการฝังไอออนเลือกของไอออนเจือปนที่ต้องการเร่ง
โดยใช้สนามไฟฟ้าในรูปแบบของลำแสงไอออนและสแกนพวกเขาข้ามแผ่นเวเฟอร์ที่จะได้รับรายละเอียด predeposition เจือปนเครื่องแบบภายใน
คริสตัล พลังงาน imparted ไปไอออนเจือปนกำหนดไอออน
ฝังลึก ใช้เทคนิคนี้ยาควบคุมเจือปน
สิ่งสกปรกสามารถนำส่วนลึกของเซมิคอนดักเตอร์ นี้เป็นในทางตรงกันข้ามกับ
แพร่ที่ปริมาณของสารเจือปนที่มีการแนะนำเพียง
ผิวเวเฟอร์ นอกจากนี้เช่นเดียวกับการแพร่ก็เป็นไปได้ที่จะดำเนินการฝังไอออน
ในพื้นที่ที่ดีที่กำหนดเพียงบางของเวเฟอร์โดยใช้หน้ากากที่เหมาะสม
วิธีการนี​​้ทำให้ซ้ำและควบคุมเจือปน
เข้มข้นสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประดิษฐ์ไอออนประจุ dopant ระบุ เลือก
โดยใช้สนามไฟฟ้าเป็นแสงอ่อน ๆ เพื่อเพิ่มความเร็ว และสแกนให้ทั่วแผ่นเวเฟอร์เพื่อดูโปรไฟล์ dopant predeposition สม่ำเสมอภายใน
คริสตัลจะ ไอออนกำหนดพลังงาน imparted ให้ไอออน dopant
ฤทธิ์ลึก การใช้เทคนิคนี้ ยาควบคุมของ dopant
สามารถจะนำสิ่งสกปรกภายในสารกึ่งตัวนำที่ลึก นี้เป็น
ความคมชัดการแพร่ ซึ่งเป็นที่รู้จักยาของ dopant ที่
ผิวแผ่นเวเฟอร์ นอกจากนี้ เช่นแพร่ เป็นการไอออน
ฤทธิ์ในเฉพาะบางพื้นที่โดยของแผ่นเวเฟอร์โดยการ
รูปแบบที่เหมาะสม วิธีนี้ทำให้การจำลอง และควบคุม dopant
ความเข้มข้นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการปลูกไอออนที่จะเลือกไอออนของ dopant ที่ต้องการ
เร่งความเร็วโดยใช้ฟิลด์ไฟฟ้าที่จะเป็นลำแสงของพลังไอออนช่วยปรับและการสแกนไว้ในแผ่นที่จะขอรับโปรไฟล์ dopant predeposition เครื่องแบบที่อยู่ทางด้านในคริสตัล
ซึ่งจะช่วยได้ ผันเปลี่ยนพลังงานให้กับไอออน dopant จะเป็นตัวกำหนดความลึกของไอออน
ซึ่งจะช่วยปลูกได้ การใช้เทคนิคนี้ยาควบคุมที่ของ dopant
ตามมาตรฐานสิ่งสกปรกจึงสามารถได้รับการแนะนำให้รู้จักในเซมิคอนดักเตอร์ที่ โรงแรมแห่งนี้อยู่ใน
ซึ่งจะช่วยในการแพร่ ภาพ ซึ่งยาที่มีการนำเสนอของ dopant เท่านั้นที่พื้นผิว
ซึ่งจะช่วยให้เป็นแผ่นบาง ในการเพิ่มเช่นแพร่มีความเป็นไปได้ที่จะทำไอออน
ปลูกในพื้นที่ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าเท่านั้นบางอย่างของแผ่นโดยการใช้หน้ากาก
ที่เหมาะสม วิธีนี้เกิดขึ้นซ้ำเดิมได้อัตราผลตอบแทนและควบคุม dopant
ตามมาตรฐานการทำสมาธิสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์.