Undoped and Mg-doped ZnO thin films

Undoped and Mg-doped ZnO thin films were deposited on
Si(1 0 0) and quartz substrates using the sol–gel process. The XRD
patterns indicate that the ZnO, ZnO:Mg-2%, ZnO:Mg-4% thin films
possess a polycrystalline ZnO with the hexagonal wurtzite struc-
ture. While the ZnO:Mg-2% and ZnO:Mg-4% thin films exhibit
preferential c-axis orientation. As Mg:Zn atomic ratio is 0.08,
Mg segregates in the form of MgO. AFM analysis revealed that
rms roughness of ZnO thin films increases with increasing Mg concentrations annealed at 873 K. Transmittance of the thin films
is over 85% in the visible region. The optical band gap increases
from 3.26 eV to 3.34 eV with increasing Mg concentration. PL spec-
tra were investigated at room temperature. We can observe the
strong ultraviolet (384–402 nm) emission and the weak blue emis-
sion (∼460 nm) peaks. The ultraviolet emission peaks blueshifts
with increasing Mg doping concentration. On the other hand, the
resistivities of the ZnO films are enhanced by Mg introduction
and increase with increasing doping concentrations. These may
be caused by the lattice distortion in the films and the electrical
barriers by the Mg deposited at the grain boundaries.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

films บาง undoped และ Mg เจือ ZnO ได้ฝากSi(1 0 0) และพื้นผิวของควอทซ์โดยใช้กระบวนการโซลเจล การ XRDรูปแบบระบุว่า ZnO, ZnO:Mg-2%, ZnO:Mg-4% บาง filmsมีค ZnO ด้วยหกเหลี่ยม wurtzite struc-ture ในขณะ ZnO:Mg-2% และ ZnO:Mg-films บาง 4% แสดงการวางแนวแกน c พิเศษ เป็นอัตราส่วนอะตอม Mg:Zn 0.08มก.แยกในรูปแบบของ MgO สำรวจวิเคราะห์เปิดเผยที่rms ที่ขรุขระของ ZnO บาง films ที่เพิ่มขึ้นกับความเข้มข้น Mg เพิ่มอบที่ 873 เคส่งของ films บางมีมากกว่า 85% ในภูมิภาคสามารถมองเห็นได้ การเพิ่มช่องว่างของวงแสงจาก eV ที่ 3.26 การ 3.34 eV ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ Mg ข้อมูลจำเพาะ-PLตราถูกตรวจสอบที่อุณหภูมิห้อง เราสามารถสังเกตการการปล่อยรังสีอัลตราไวโอเลตที่แข็งแกร่ง (384 – 402 nm) และความอ่อนน้ำเงิน emisยอดเขาที่ sion (∼460 nm) การปล่อยรังสีอัลตราไวโอเลตยอดเขา blueshiftsเพิ่มมิลลิกรัมยาสลบเข้มข้น บนมืออื่น ๆ การresistivities ของ ZnO films จะเพิ่มขึ้น โดยแนะนำ Mgและเพิ่ม ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของยาสลบ เหล่านี้อาจเกิดจากการบิดเบี้ยวตาข่ายในการ films และการไฟฟ้าอุปสรรค โดยมก.ฝากที่ขอบเกรน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โคบอลต์และแมกนีเซียมเจือ ZnO LMS บาง Fi ถูกวางลงบน
ศรี (1 0 0) และพื้นผิวผลึกโดยใช้กระบวนการโซลเจล XRD
รูปแบบการแสดงให้เห็นว่าซิงค์ออกไซด์, ซิงค์ออกไซด์: Mg-2% ZnO: Mg-4% LMS Fi บาง
มีซิงค์ออกไซด์ polycrystalline กับ wurtzite หกเหลี่ยมโครงสร้าง
ture ในขณะที่ ZnO: Mg-2% และ ZnO: Mg-4% LMS Fi บางแสดง
พิเศษปฐมนิเทศ C-แกน ในฐานะที่เป็น Mg: Zn อัตราส่วนอะตอม 0.08
มิลลิกรัมแบ่งแยกกันในรูปแบบของ MgO วิเคราะห์ AFM เปิดเผยว่า
rms ขรุขระของ ZnO บาง Fi LMS เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มความเข้มข้นของ Mg อบที่ 873 เคส่งผ่านของ LMS Fi บาง
มีมากกว่า 85% ในภูมิภาคที่มองเห็นได้ ช่องว่างวงออปติคอลเพิ่มขึ้น
จาก 3.26 EV ถึง 3.34 EV ได้ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ Mg PL spec-
Tra ถูกตรวจสอบที่อุณหภูมิห้อง เราสามารถสังเกต
อัลตราไวโอเลตที่แข็งแกร่ง (384-402 นาโนเมตร) ปล่อยก๊าซเรือนกระจกและอ่อนแอป่าฝนเขตร้อนสีฟ้า
ไซออน (~460 NM) ยอดเขา การปล่อยรังสีอัลตราไวโอเลตยอด blueshifts
กับการเพิ่มความเข้มข้นของ Mg ยาสลบ บนมืออื่น ๆ ที่
ความต้านทานของ ZnO LMS Fi จะเพิ่มขึ้นโดยการแนะนำ Mg
และการเพิ่มขึ้นด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของยาสลบ เหล่านี้อาจ
จะเกิดจากการบิดเบือนตาข่ายใน LMS fi และไฟฟ้า
อุปสรรคโดย Mg ฝากข้าวเขตแดน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคมีไฟฟ้า และแมกนีเซียมด้วยเช่นกันจึงถูกฝากไว้บนและบางศรี ( 1 0 0 ) และควอตซ์พื้นผิวโดยใช้กระบวนการโซล - เจล . การศึกษาเฟสรูปแบบพบว่าสังกะสีออกไซด์ , ZnO : mg-2 % P : mg-4 % จึงจัดบางมีซิงค์ออกไซด์ที่มีโครงสร้าง wurtzite - ผลึกหกเหลี่ยมture . ในขณะที่ ZnO : mg-2 % และซิงค์ออกไซด์ : mg-4 % บางจึงจัดนิทรรศการพิเศษ c-axis ปฐมนิเทศ เป็นมิลลิกรัม : Zn อะตอมเท่ากับ 0.08 ,มิลลิกรัม segregates ในรูปแบบของแมกนีเซียมออกไซด์ . การวิเคราะห์ AFM เปิดเผยว่าค่า RMS ของซิงค์ออกไซด์บางจึงเพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มความเข้มข้นและอบในเครื่องส่งผ่านมิลลิกรัม K ของ LMS จึงบางกว่า 85% ในภูมิภาคที่สามารถมองเห็นได้ เพิ่มช่องว่างแถบแสงจากจำนวนการเพิ่ม EV EV 3.34 มิลลิกรัมความเข้มข้น - คุณสเป็คระหว่างศึกษาที่อุณหภูมิห้อง เราสามารถสังเกตรังสีอัลตราไวโอเลตที่แข็งแกร่ง ( 384 – 402 nm ) และเอมิส สีฟ้าอ่อน - ปล่อยไซออน ( ∼ 460 nm ) ยอดเขา ยอดการปล่อย blueshifts รังสีอัลตราไวโอเลตกับการเพิ่ม mg เติมความเข้มข้น บนมืออื่น ๆresistivities ของ ZnO จึงสอนเสริมด้วยมิลลิกรัมแนะนำกับการเพิ่มเติมและเพิ่มความเข้มข้น เหล่านี้อาจจะเกิดจากการบิดเบือนในแลตทิซจึง LMS และไฟฟ้าอุปสรรคต่อเม็ด โดยฝากไว้ที่ขอบเขต