Hot-spot heating occurs when the op

Hot-spot heating occurs when the operating current of the module exceeds the reduced short-circuit
current of a faulty (or shadowed) cell(s). This will force the cell(s) into a reverse bias condition when it
becomes a load dissipating heat. Serious hot spot phenomena can be as dramatic as outright burns of all
the layers, cracking, or even breakage of the glass. It is important to note that even under less severe hot
spot conditions, with the intervention of the bypass diode, a part (also known as a string) of the module is
excluded thus causing a sensible drop in power output of the module.
The approach to simulate realistic hot-spot conditions of the relevant clause 10.9 in IEC 61215 is
constantly being debated.
It is well accepted by the main test laboratories that the current version of hot-spot method does not
represent, nor is able to represent a real hot-spot situation. An improved hot-spot method has been
drafted within TC82 of the IEC, and is expected to become normative with the 3rd edition of IEC 61215 in
2010. Some test laboratories have decided to already use the improved method.
Further insight and details will be provided in a future article.
Although failure rate statistics in different laboratories may differ, hot-spot still appears to be among the 5
most frequent failures for both c-Si and thin-film modules.
Bypass diode: is a thermal test.
Bypass diode is a very important aspect of module design. It is a critical component determining the
thermal behavior of the module under hot-spot conditions and therefore also directly affecting reliability in
the field.
The test method requires attaching a thermocouple to the diode(s) body, heating the module up to 75°C ±
5 °C and applying a current equal to the short circuit current Isc measured at STC for 1h.
The temperature of each bypass diode body is measured (Tcase) and the junction temperature Tj is
calculated using a formula using the specs provided by the diode’s manufacturer (RTHjc = constant
provided by diode manufacturer relating Tj to Tcase, typically a design parameter, and UD = diode
voltage, ID = diode current).
Then the current is increased to 1.25 times the short-circuit current of the module Isc as measured at STC
for another hour while maintaining the module temperature at the same temperature.
The diode shall still be operational.
Failures of bypass diode test still occur with a certain frequency, caused by either overrating by the diode
manufacturer, or incorrect electrical configuration with respect to the module’s Isc by the module
manufacturer.
In most cases, the bypass diodes are supplied as incorporated components in the junction box of the
whole sub-assembly (junction box + cable + connector). Therefore, it is of critical importance to make
sure that this small component is closely checked during the incoming goods controls by the module
manufacturer.
UV preconditioning: is an irradiance test.
The purpose is to identify materials that are susceptible to ultra-violet (UV) degradation before the thermal
cycle and humidity freeze tests are performed.
IEC 61215 requires to subject the module to a total UV irradiation of 15 kWh/m2 in the (UVA + UVB)
regions (280 nm – 400 nm), with at least 5 kWh/m2, i.e. 33% in the UVB region (280 nm – 320 nm), while
maintaining the module at 60 °C ±5 °C.
(IEC 61646 requires a UVB portion of 3% to 10% of the total UV irradiation). This requirement has been
harmonized also for IEC 61215 by a CTL Decision Sheet n. 733 within IECEE CB Scheme.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เครื่องปรับอากาศเครื่องทำความร้อนเกิดขึ้นเมื่อปัจจุบันการดำเนินงานของโมดูลเกิน short-circuit ลดลงปัจจุบันของเซลล์ผิดพลาด (หรือมีเงา) นี้จะทำให้เซลล์ที่เป็นอคติกลับเงื่อนไขเมื่อนั้นจะโหลด dissipating ความร้อน ปรากฏการณ์จุดร้อนที่ร้ายแรงได้อย่างมากที่ไหม้ทันทีทั้งหมดชั้น เคมีฯ cracking หรือแม้แต่ของแก้ว สิ่งสำคัญคือต้องทราบว่า ใต้น้อยรุนแรงร้อนเงื่อนไขรับ มีการแทรกแซงของไดโอดบายพาส ส่วนหนึ่ง (หรือที่เรียกว่าสายอักขระ) ของโมดูลคือไม่รวมทำหล่นที่สมเหตุสมผลในอำนาจผลของโมดูลเป็นวิธีการจำลองการทำงานจริงเงื่อนไขจุดร้อนของอนุประโยคเกี่ยวข้อง 10.9 ใน IEC 61215ตลอดเวลาที่ยังคงดีมีการยอมรับ โดยห้องปฏิบัติการทดสอบหลักที่จุดร้อนวิธีรุ่นปัจจุบันไม่ได้แสดง หรือสามารถแสดงสถานการณ์จริงร้อนจุด วิธีการเครื่องปรับอากาศดีขึ้นได้ร่างภายใน TC82 ของ IEC และคาดว่าจะเป็น normative กับ IEC 61215 ในรุ่น 32010 บางห้องปฏิบัติการทดสอบได้ตัดสินใจแล้วใช้วิธีปรับปรุงจะให้ความเข้าใจและรายละเอียดเพิ่มเติมในบทความในอนาคตแม้ว่าสถิติอัตราความล้มเหลวในห้องปฏิบัติการต่าง ๆ อาจแตกต่าง จุดร้อนยังคงดูเหมือนจะ เป็นในหมู่ 5ความล้มเหลวบ่อย ๆ สำหรับโมดูล c-ซี และ ฟิล์มบางข้ามไดโอด: คือการทดสอบความร้อนไดโอดข้ามเป็นด้านสำคัญของการออกแบบโมดูล จึงเป็นสิ่งสำคัญการกำหนดคอมโพเนนต์ความร้อนการทำงานของโมดูลภายใต้เงื่อนไขจุดร้อนและดังนั้น โดยตรงยังมีผลต่อความน่าเชื่อถือในฟิลด์วิธีการทดสอบต้องแนบ thermocouple ร่างกาย diode(s) ทำความร้อนโมการ 75 ° C5 ° C และใช้เท่ากับปัจจุบันกับช็อต Isc ปัจจุบันวัดที่ STC สำหรับ 1hอุณหภูมิของร่างกายแต่ละไดโอดข้ามมาวัด (Tcase) อุณหภูมิแยกเป็น Tjคำนวณโดยใช้สูตรที่ใช้รายละเอียดจากผู้ผลิตไดโอด (RTHjc =ค่าคงโดยผู้ผลิตไดโอดเกี่ยวกับ Tj Tcase โดยทั่วไปพารามิเตอร์ออกแบบ และอุด =ไดโอดแรงดัน ID =ปัจจุบันไดโอด)แล้วปัจจุบันมีเพิ่มขึ้น 1.25 เท่าโม Isc เป็นวัดที่ STC กระแสลัดวงจรชั่วโมงอื่นในขณะที่รักษาอุณหภูมิโมดูลที่อุณหภูมิเดียวกันไดโอดจะยังคงสามารถดำเนินงานความล้มเหลวของการทดสอบไดโอดข้ามยังคงเกิด ด้วยบางความถี่ เกิดจากการ overrating โดยไดโอดผู้ผลิต หรือการกำหนดค่าไฟฟ้าที่ไม่ถูกต้องกับ Isc ของโมดูลโดยโมผู้ผลิตในกรณีส่วนใหญ่ ใส่ไดโอดได้ข้ามเป็นส่วนประกอบของรูปในกล่องเชื่อมต่อของการทั้งย่อยแอสเซมบลี (เชื่อมต่อกล่อง + สาย + เชื่อมต่อ) ดังนั้น จึงเป็นของสำคัญความสำคัญจะทำให้แน่ใจว่า คอมโพเนนต์นี้เล็กจะใกล้ชิดตรวจสอบในระหว่างการควบคุมสินค้าขาเข้าโมผู้ผลิตUV preconditioning: เป็นการทดสอบ irradianceวัตถุประสงค์คือการ ระบุวัสดุที่ไวต่อการลดระดับพิเศษไวโอเลท (UV) ก่อนความร้อนดำเนินการทดสอบหยุดวงจรและความชื้นIEC 61215 ต้องการเรื่องโมไปกับรวม UV วิธีการฉายรังสีของไม่ 15 m2 ใน (UVA + UVB)ภูมิภาค (280 nm – 400 nm), มีน้อย 5 ที่ ไม่/m2 เช่น 33% ในภูมิภาค UVB (280 nm – 320 nm), ในขณะที่รักษาโมที่ 60 ° C ± 5 องศาเซลเซียส(IEC 61646 ต้องส่วน UVB ของ 3% ถึง 10% ของวิธีการฉายรังสี UV รวม) ข้อกำหนดนี้ได้harmonized ยังสำหรับ IEC 61215 โดยเป็น n. แผ่นตัดสิน CTL 733 ภายในโครงร่าง IECEE CB

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความร้อนร้อนจุดที่เกิดขึ้นเมื่อการดำเนินงานปัจจุบันของโมดูลเกินลดลงลัดวงจร
ปัจจุบันของความผิดพลาด (หรือเงา) เซลล์ (s) นี้จะบังคับเซลล์ (s) เป็นสภาพอคติกลับเมื่อมัน
กลายเป็นภาระการสลายความร้อน ปรากฏการณ์จุดร้อนที่จริงจังสามารถเป็นอย่างมากเช่นการเผาไหม้ทันทีทุก
ชั้นแตกหรือแม้กระทั่งการแตกของกระจก มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะทราบว่าแม้ภายใต้ร้อนรุนแรงน้อยกว่า
เงื่อนไขจุดที่มีการแทรกแซงของไดโอดบายพาสส่วน (หรือเรียกว่าสตริง) ของโมดูลจะ
ไม่รวมจึงก่อให้เกิดการลดลงที่เหมาะสมในการผลิตไฟฟ้า.
วิธี เพื่อจำลองสภาพจริงจุดร้อนของข้อที่เกี่ยวข้อง 10.9 ใน IEC 61215 เป็นที่
ถกเถียงกันอย่างต่อเนื่อง.
เป็นที่ยอมรับอย่างดีจากห้องปฏิบัติการทดสอบหลักว่ารุ่นปัจจุบันของวิธีการจุดร้อนไม่ได้
เป็นตัวแทนหรือมีความสามารถที่จะเป็นตัวแทนร้อนจริง -spot สถานการณ์ วิธีการจุดร้อนที่ดีขึ้นได้รับการ
เกณฑ์ทหารภายใน TC82 ของ IEC และคาดว่าจะกลายเป็นบรรทัดฐานกับรุ่นที่ 3 ของ IEC 61215 ใน
2010 บางห้องปฏิบัติการทดสอบได้ตัดสินใจที่จะอยู่แล้วใช้วิธีการที่ดีขึ้น.
ข้อมูลเชิงลึกเพิ่มเติมและรายละเอียดจะมีการระบุไว้ในบทความในอนาคต.
แม้ว่าสถิติอัตราความล้มเหลวในห้องปฏิบัติการที่แตกต่างกันอาจแตกต่างกันจุดร้อนยังคงปรากฏอยู่ในหมู่ 5
ความล้มเหลวบ่อยที่สุดสำหรับคทั้งสอง -SI และโมดูลแบบฟิล์มบาง.
ไดโอดบายพาส: คือการทดสอบความร้อน.
ไดโอดบายพาสเป็นลักษณะสำคัญของการออกแบบโมดูล มันเป็นส่วนประกอบที่สำคัญการกำหนด
พฤติกรรมทางความร้อนของโมดูลภายใต้เงื่อนไขที่จุดร้อนและจึงยังมีผลกระทบต่อความน่าเชื่อถือโดยตรงใน
สนาม.
วิธีการทดสอบต้องติดทนที่จะไดโอด (s) ร่างกายร้อนโมดูลสูงสุดถึง 75 ° C ±
5 องศาเซลเซียสและการประยุกต์ใช้ในปัจจุบันเท่ากับลัดวงจร Isc ปัจจุบันวัดที่ STC สำหรับ 1h.
อุณหภูมิของร่างกายแต่ละไดโอดบายพาสเป็นวัด (Tcase) และอุณหภูมิทางแยก Tj มีการ
คำนวณโดยใช้สูตรโดยใช้รายละเอียดการให้บริการโดยไดโอดของ ผู้ผลิต (RTHjc = คงที่
จาก บริษัท ผู้ผลิตไดโอดเกี่ยวข้อง Tj เพื่อ Tcase โดยทั่วไปพารามิเตอร์การออกแบบและการ UD = ไดโอด
แรงดัน ID = ไดโอดปัจจุบัน).
จากนั้นในปัจจุบันจะเพิ่มขึ้นเป็น 1.25 เท่าในปัจจุบันการลัดวงจรของโมดูล Isc ที่วัด ที่เอสทีซี
อีกชั่วโมงในขณะที่รักษาอุณหภูมิโมดูลที่อุณหภูมิเดียวกัน.
ไดโอดยังคงต้องมีการดำเนินงาน.
ความล้มเหลวของการทดสอบไดโอดบายพาสยังคงเกิดขึ้นกับความถี่บางอย่างที่เกิดจากการ overrating ทั้งโดยไดโอด
ผู้ผลิตหรือการกำหนดค่าไฟฟ้าที่ไม่ถูกต้องเกี่ยวกับการ Isc โมดูลโดยโมดูล
ผู้ผลิต.
ในกรณีส่วนใหญ่ไดโอดบายพาสจะมาเป็นองค์ประกอบที่จดทะเบียนในกล่องแยกของ
ทั้งประกอบย่อย (กล่องแยก + สายเคเบิล + การเชื่อมต่อ) ดังนั้นจึงเป็นสิ่งที่สำคัญที่จะทำให้
แน่ใจว่าส่วนประกอบเล็ก ๆ นี้มีการตรวจสอบอย่างใกล้ชิดในระหว่างการควบคุมสินค้าขาเข้าโดยโมดูล
ผู้ผลิต.
preconditioning UV. จะทดสอบรังสี
วัตถุประสงค์คือการระบุวัสดุที่มีความไวต่อสีม่วงพิเศษ (UV ) การย่อยสลายก่อนที่ความร้อน
. วงจรและการทดสอบความชื้นแช่แข็งจะดำเนินการ
ตามมาตรฐาน IEC 61215 จะต้องอยู่ภายใต้โมดูลการฉายรังสียูวีรวม 15 kWh / m2 ใน (UVA + UVB)
ภูมิภาค (280 นาโนเมตร - 400 นาโนเมตร) ที่มีอย่างน้อย 5 kWh / m2 คือ 33% ในภูมิภาค UVB (280 นาโนเมตร - 320 นาโนเมตร) ในขณะที่
. การรักษาโมดูลที่ 60 ° C ± 5 ° C
(IEC 61646 ต้องมีส่วน UVB 3% ถึง 10% ของการฉายรังสียูวีทั้งหมด ) ความต้องการนี้ได้รับ
ความกลมกลืนยังสำหรับ IEC 61215 โดย n ตัดสินใจ CTL แผ่น 733 ภายใน IECEE CB Scheme

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ร้อนจุดร้อนเกิดขึ้นเมื่อปฏิบัติการปัจจุบันของโมดูลเกินลดกระแสลัดวงจร
ปัจจุบันผิดพลาด ( หรือเงา ) เซลล์ ( s ) นี้จะบังคับให้เซลล์ ( s ) เป็นอคติย้อนกลับเงื่อนไขเมื่อ
กลายเป็นโหลดสลายความร้อน เครียดร้อนปรากฏการณ์สามารถอย่างน่าทึ่ง เป็นแชมป์จากทั้งหมด
ชั้น , แตก , หรือแม้กระทั่งการแตกของกระจกมันเป็นสิ่งสำคัญที่จะทราบว่าแม้ภายใต้สภาวะที่รุนแรงน้อยกว่าจุดร้อน
กับการแทรกแซงของพาสไดโอดเป็นส่วนหนึ่ง ( ที่รู้จักกันเป็นสตริง ) ของโมดูล
แยกออกจึงก่อให้เกิดหยดที่เหมาะสมในพลังงานของโมดูล .
วิธีการจำลองเหมือนจริงจุดร้อนเงื่อนไขของมาตรา 65 ที่เกี่ยวข้อง ใน IEC 61215 อยู่ตลอดเวลาการถกเถียงกัน

.เป็นที่ยอมรับโดยหลักของห้องปฏิบัติการทดสอบที่รุ่นปัจจุบันของวิธีจุดร้อนไม่
เป็นตัวแทน หรือสามารถที่จะเป็นตัวแทนของสถานการณ์ร้อน จุดจริง การปรับปรุงจุดวิธีการได้รับ
ร่างภายใน tc82 ของ IEC และคาดว่าจะกลายเป็นบรรทัดฐานกับ 3 รุ่นของ IEC 61215 ใน
2010 ห้องปฏิบัติการทดสอบ ได้ตัดสินใจที่จะได้ใช้ปรับปรุงวิธีการ
.ข้อมูลเชิงลึกเพิ่มเติมและรายละเอียดจะถูกระบุไว้ในบทความในอนาคต .
ถึงแม้ว่าอัตราการล้มเหลวสถิติในห้องปฏิบัติการที่แตกต่างกันอาจแตกต่าง จุดร้อน ยังคงปรากฏอยู่ในหมู่ที่ 5
บ่อยที่สุดและความล้มเหลวทั้ง c-si ฟิล์มบางโมดูล .
ไดโอดบายพาส : คือการทดสอบความร้อน .
ไดโอดข้ามเป็นกว้างยาวที่สำคัญของการออกแบบโมดูล มันเป็นองค์ประกอบสำคัญที่กำหนด
พฤติกรรมทางความร้อนของโมดูลภายใต้เงื่อนไขจุดร้อนและดังนั้นจึงโดยตรงมีผลต่อความน่าเชื่อถือใน

วิธีการทดสอบสนาม ต้องแนบ thermocouple ไดโอด ( s ) ร่างกายร้อนโมดูลถึง 75 ° C ±
5 ° C และใช้ในปัจจุบันเท่ากับลัดวงจรปัจจุบัน ISC วัดที่ STC สำหรับ 1 h .
อุณหภูมิของร่างกายที่วัดแต่ละไดโอดบายพาส ( tcase ) และแยกอุณหภูมิ TJ เป็น
คำนวณโดยใช้สูตรใช้รายละเอียดที่ให้โดยผู้ผลิตของไดโอด ( Diode rthjc = ค่าคงที่
โดยผู้ผลิตเกี่ยวกับการ tcase เจ โดยทั่วไปการออกแบบพารามิเตอร์และ UD =
= id ไดโอดไดโอดแรงดัน , กระแส
แล้วปัจจุบันเพิ่มขึ้นเป็น 125 การลัดวงจรปัจจุบันของโมดูล ISC เป็นวัดที่ STC
อีกชั่วโมงในขณะที่รักษาโมดูลอุณหภูมิที่อุณหภูมิเดียวกัน ไดโอดจะยังคงดำเนินงาน
.
ความล้มเหลวของการทดสอบไดโอดบายพาสยังเกิดขึ้นกับความถี่หนึ่ง เกิดจากทั้ง overrating โดยไดโอด
ผู้ผลิตหรือการตั้งค่าที่ไม่ถูกต้องและไฟฟ้าของโมดูล ISC โดยผู้ผลิตโมดูล
.
ในกรณีส่วนใหญ่ ผ่านไดโอด ให้มาเป็นส่วนประกอบส่วนประกอบในกล่องของ
ประกอบย่อยทั้งหมด ( กล่องแยกสายเชื่อมต่อ ) ดังนั้น จึงมีความสําคัญสําคัญให้
แน่ใจว่าส่วนประกอบขนาดเล็กนี้เป็นอย่างใกล้ชิดตรวจสอบในระหว่างขาเข้าสินค้าการควบคุมโดยโมดูล

preconditioning ยูวีผู้ผลิต : ทดสอบดังกล่าว .
มีวัตถุประสงค์เพื่อระบุวัสดุที่ไวต่ออัลตร้าไวโอเลต ( UV ) การสลายตัวก่อนที่วงจรความร้อนและความชื้นแช่แข็งจะดำเนินการทดสอบ

.IEC 61215 ต้องเรื่องโมดูลรวม UV รังสี 15 kWh / m2 ( UVA UVB )
ภูมิภาค ( 280 nm - 400 nm ) อย่างน้อย 5 kWh / m2 คือ 33% ใน UVB ภูมิภาค ( 280 nm – 320 nm ) ในขณะที่
รักษาโมดูลที่ 60 เมตร ± 5 ° C C
( IEC 61646 ต้องการ UVB ส่วน 3 ล้านจากการฉายรังสี UV รวม ) ความต้องการนี้ได้ถูก
ความกลมกลืนและ IEC 61215 โดยการตัดสินใจภายในโครงการ , 733 ctl แผ่น CB iecee .