An iron film was deposited on 330-?

An iron film was deposited on 330-?m thick p-type silicon wafers using electron beam (e-beam) evaporation. The thickness of the Fe films varies over a range of 5–6 nm and was monitored by a quartz-crystal sensor fixed inside the e-beam evaporation chamber.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มเหล็กถูกฝากบน 330-? รับซิลิคอน m p ชนิดหนาใช้อิเล็กตรอนบีม (อีบีม) ระเหย ความหนาของฟิล์มเฟไปช่วง 5-6 nm และถูกตรวจสอบเซนเซอร์คริสตัลควอตซ์ถาวรภายในหอระเหยอีบีม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์เหล็กวางอยู่บน 330-? m หนาชนิดพีซิลิคอนเวเฟอร์ใช้ลำแสงอิเล็กตรอน (จคาน) การระเหย ความหนาของฟิล์มเฟแตกต่างกันไปในช่วง 5-6 นาโนเมตรและได้รับการตรวจสอบโดยเซ็นเซอร์ผลึกคริสตัลคงที่ภายใน e-คานห้องระเหย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์เหล็ก เป็นเงิน 330 - ? พีเมตรหนาซิลิกอนเวเฟอร์ โดยใช้ลำแสงอิเล็กตรอน ( e-beam ) การระเหย ความหนาของเหล็กภาพยนตร์ที่แตกต่างกันไปในช่วง 5 - 6 nm และถูกตรวจสอบโดยคริสตัลควอตซ์เซนเซอร์คง e-beam การระเหยภายในห้อง