where q0 and T0 denote material par

where q0 and T0 denote material parameters. Here kBT0 ¼ 1:5
a3NðEÞ,
where N(E) is the density of states at the Fermi level and a denotes
the rate of fall-off of the envelope of the electron wave function. The
curve plotted for ln (R/R400) versus (1/T)1/4 shown in Fig. 8a gives a
straight line. From this the value of T0 has been obtained for pure
and Sn–ZnO films. It has been found that the values of T0 decreased
with the increase in Sn content (see Fig. 8b). This suggests that the
density of states increases with the increase in Sn concentration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ q0 และ T0 แสดงพารามิเตอร์วัสดุ ที่นี่ kBT0 ¼ 1:5a3NðEÞโดยที่ N(E) คือ ความหนาแน่นของอเมริกาในระดับพลังงานแฟร์มีและแสดงอัตราของการตกออกของซองจดหมายของฟังก์ชันคลื่นของอิเล็กตรอน ที่พล็อตเส้นโค้งสำหรับ ln (R R400) กับ (1/T) 1/4 แสดงใน Fig. 8a ให้เป็นเส้นตรง จากนี้ ได้มีการรับค่า T0 สำหรับบริสุทธิ์และภาพยนตร์ Sn – ZnO จะพบว่า ค่า T0 ลดลงมีการเพิ่มขึ้นของ Sn เนื้อหา (ดู Fig. 8b) นี้แนะนำที่ความหนาแน่นของอเมริกาเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของ Sn

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ Q0 และ T0 แสดงว่าพารามิเตอร์วัสดุ นี่ kBT0 ¼ 1: 5
a3NðEÞ,
ที่ N (E) คือความหนาแน่นของรัฐที่อยู่ในระดับ Fermi และหมายถึง
อัตราของฤดูใบไม้ร่วงออกจากซองจดหมายของฟังก์ชันคลื่นอิเล็กตรอน
พล็อตเส้นโค้งสำหรับ LN (R / R400) กับ (1 / T) 1/4 แสดงในรูป 8a ให้
เส้นตรง จากนี้มูลค่าของ T0 ได้รับสำหรับบริสุทธิ์
ภาพยนตร์และ Sn-ZnO จะได้รับพบว่าค่าของ T0 ลดลง
ด้วยการเพิ่มเนื้อหา Sn (ดูรูป. 8b) นี้แสดงให้เห็นว่า
มีความหนาแน่นของรัฐที่เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความเข้มข้น Sn

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ q0 t0 แทนและค่าวัสดุ ที่นี่ kbt0 ¼ 1 : 5

Þ a3n ð E , n ( E ) ซึ่งมีความหนาแน่นของรัฐในระดับเฟอร์มิและแสดง
อัตราตกของซองจดหมายของอิเล็กตรอนคลื่นฟังก์ชัน
โค้งวางแผนสำหรับ LN ( R / r400 ) เมื่อเทียบกับ 1 / T ) 1 / 4 แสดงในรูปที่ 8A ให้
เส้นตรง จากคุณค่าของ t0 ได้สำหรับเพียว
และ SN –ซิงค์ออกไซด์ฟิล์มพบว่าค่า
t0 ลดลงด้วยการเพิ่มเนื้อหา ( ดูรูปที่ใส่ SN ) นี้แสดงให้เห็นว่า
ความหนาแน่นของรัฐด้วยการเพิ่มเพลง เพิ่มความเข้มข้น