In the vocabulary of von Klitzing’s

In the vocabulary of von Klitzing’s Ph.D. thesis, his discovery of 1980 could
be called ‘galvanomagnetic properties of a two-dimensional electron gas in
strong magnetic fields’. This special electron gas, as von Klitzing used it, exists
in a carefully prepared metal–oxide–silicon field-effect transistor or MOSFET.
This type of transistor is the workhorse of modern electronics, because
very many can be placed on a small flat silicon crystal, a ‘chip’, which needs
to be structured on one side only. In one kind of MOSFET the crystal itself,
the substrate, is acceptor-doped, i.e., p-type.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในคำศัพท์ของฟอน Klitzing ปริญญานิพนธ์ การค้นพบของเขา 1980 สามารถเรียก ' galvanomagnetic คุณสมบัติของก๊าซสองอิเล็กตรอนในแรงแม่เหล็กของเขตข้อมูล ก๊าซนี้อิเล็กตรอนพิเศษ ใช้ฟอน Klitzing มันมีอยู่ในการเตรียมอย่างรอบคอบโลหะ – ออกไซด์ – ซิลิคอนฟิลด์–ผลทรานซิสเตอร์หรือมอสเฟตชนิดของทรานซิสเตอร์เป็น workhorse ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทันสมัย เนื่องจากมากมากสามารถวางบนเหลี่ยมผลึกซิลิคอนขนาดเล็กแบน เป็น 'ชิป' ซึ่งต้องการจัดโครงสร้างด้านใดด้านหนึ่งเท่านั้น ในประเภทหนึ่งของมอสเฟตคริสตัลเองพื้นผิว เป็น acceptor doped ได้แก่ ชนิด p

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในคำศัพท์ของปริญญาเอกฟอน Klitzing ของ วิทยานิพนธ์, การค้นพบของ 1980 อาจ
จะเรียกว่า 'คุณสมบัติ galvanomagnetic ของก๊าซอิเล็กตรอนสองมิติใน
สนามแม่เหล็กแรงสูง ' นี้ก๊าซอิเล็กตรอนพิเศษเป็นฟอน Klitzing ใช้มันอยู่
ในเตรียมโลหะออกไซด์ซิลิกอนทรานซิสเตอร์สนามผลหรือ MOSFET.
ชนิดของทรานซิสเตอร์นี้เป็นเทียมของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัยเพราะ
หลายอย่างที่สามารถวางบนซิลิคอนขนาดเล็กแบน คริสตัล 'ชิปซึ่งความต้องการ
ที่จะมีโครงสร้างในด้านหนึ่งเท่านั้น หนึ่งในชนิดของ MOSFET คริสตัลตัวเอง
พื้นผิวที่เป็นตัวรับเจือคือชนิดพี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในคำศัพท์ของฟอน klitzing Ph.D . วิทยานิพนธ์ การค้นพบของเขาในปีพ.ศ. 2523 ได้
ถูกเรียกว่า ' galvanomagnetic คุณสมบัติของแก๊สอิเล็กตรอนสองมิติใน
ของเขตข้อมูลแม่เหล็กที่แข็งแกร่ง ก๊าซอิเล็กตรอนพิเศษนี้ เป็น วอน klitzing ใช้มันมีอยู่จริง
ในอย่างระมัดระวังเตรียมโลหะออกไซด์และซิลิกอนทรานซิสเตอร์ หรือ field-effect MOSFET .
ของทรานซิสเตอร์ชนิดนี้เป็น workhorse ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัยเพราะ
มากสามารถถูกวางไว้บนผลึกซิลิคอนแบนขนาดเล็ก ' ชิป ' ซึ่งความต้องการ
เป็นโครงสร้างด้านหนึ่งเท่านั้น ในหนึ่งชนิด MOSFET คริสตัลเอง
พื้นผิว คือ พระนาสิกเจือ เช่น พี .