Abstract — A unified model is propo

Abstract — A unified model is proposed to consistently explain
the degradation behaviors of a-IGZO TFTs under different light
illumination and gate bias stress conditions. In the proposed
model, photo-excited double ionized oxygen vacancies (Vo
2+) traps
and their transportation under the electric field are two key
factors that cause the threshold voltage (Vth) shift of TFTs.
Additional traps generated during the formation of Vo
2+ also
deteriorate the subthreshold characteristics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นามธรรมซึ่งเสนออธิบายอย่างต่อเนื่องแบบครบวงจรลดพฤติกรรมการ IGZO TFTs ภายใต้แสงที่แตกต่างกันไฟส่องสว่างและเงื่อนไขของปัญหา bias ประตู ในการนำเสนอนางแบบ ภาพตื่นเต้นใหญ่แตกตัวเป็นไอออนตำแหน่งออกซิเจน (Vo2+) กับดักและเดินทางภายใต้สนามไฟฟ้า สองคีย์ปัจจัยที่ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้า (Vth) ขีดจำกัดด้าน TFTsกับดักเพิ่มเติมที่สร้างขึ้นในระหว่างการก่อตัวของ Vo2 + ยังเสื่อมสภาพลักษณะ subthreshold

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ - รูปแบบครบวงจรจะเสนอให้อย่างต่อเนื่องอธิบาย
พฤติกรรมการย่อยสลายของ A-IGZO TFTs ภายใต้แสงที่แตกต่างกัน
การส่องสว่างและเงื่อนไขความเครียดประตูอคติ ในการเสนอ
รูปแบบภาพความตื่นเต้นคู่แตกตัวเป็นไอออนตำแหน่งงานว่างออกซิเจน (Vo
2+) กับดัก
และการขนส่งของตนภายใต้สนามไฟฟ้าที่มีสองคีย์
ปัจจัยที่ก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงแรงดันเกณฑ์ (Vth) ของ TFTs.
ดักเพิ่มเติมเกิดขึ้นในระหว่างการก่อตัวของ Vo
2 + ยัง
เสื่อมลักษณะ subthreshold

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม - รวมรูปแบบนำเสนออย่างต่อเนื่อง อธิบายการย่อยสลายพฤติกรรมของ a-igzo tfts ภายใต้แสงที่แตกต่างกันไฟส่องสว่างและสภาวะความเครียดประตูลำเอียง ในการเสนอรูปแบบ , รูปคู่อิออนออกซิเจน ( VO งง ตื่นเต้น2 ) กับดักและการขนส่งภายใต้สนามไฟฟ้าสองคีย์ปัจจัยที่ทำให้เกณฑ์แรงดัน ( vth ) กะของ tfts .กับดักเพิ่มเติมสร้างขึ้นในระหว่างการก่อตัวของโว2 + ยังเสื่อมสภาพ subthreshold ลักษณะ