== Reverse bias =={{unreferenced|se

== Reverse bias ==
{{unreferenced|section|date=November 2013}}
[[File:PN Junction in Reverse Bias.png|frame|right|A silicon p–n junction in reverse bias.]]

Connecting the ''P-type'' region to the ''negative'' terminal of the battery and the ''N-type'' region to the ''positive'' terminal corresponds to reverse bias. If a diode is reverse-biased, the voltage at the cathode is comparatively higher than the anode. Therefore, no current will flow until the diode breaks down. The connections are illustrated in the diagram to the right.

Because the p-type material is now connected to the negative terminal of the power supply, the '[[Electron hole|holes]]' in the P-type material are pulled away from the junction, causing the width of the depletion zone to increase. Likewise, because the N-type region is connected to the positive terminal, the electrons will also be pulled away from the junction. Therefore, the [[depletion region]] widens, and does so increasingly with increasing reverse-bias voltage. This increases the voltage barrier causing a high resistance to the flow of charge carriers, thus allowing minimal electric current to cross the p–n junction. The increase in resistance of the p–n junction results in the junction behaving as an insulator.

The strength of the depletion zone electric field increases as the reverse-bias voltage increases. Once the electric field intensity increases beyond a critical level, the p–n junction depletion zone breaks down and current begins to flow, usually by either the [[Zener breakdown|Zener]] or the [[avalanche breakdown]] processes. Both of these breakdown processes are non-destructive and are reversible, as long as the amount of current flowing does not reach levels that cause the semiconductor material to overheat and cause thermal damage.

This effect is used to one's advantage in [[Zener diode]] regulator circuits. Zener diodes have a certain – low – breakdown voltage. A standard value for breakdown voltage is for instance 5.6 V. This means that the voltage at the cathode can never be more than 5.6 V higher than the voltage at the anode, because the diode will break down – and therefore conduct – if the voltage gets any higher. This in effect regulates the voltage over the diode.

Another application of reverse biasing is [[Varicap]] diodes, where the width of the [[depletion zone]] (controlled with the reverse bias voltage) changes the capacitance of the diode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

== กลับอคติ=={ { unreferenced|section|date 2013 พฤศจิกายน =} }[[File:PN Junction ใน Bias.png|frame|right| กลับเป็นซิลิคอน p – n เชื่อมต่อในความโน้มเอียงกลับ]]เชื่อมต่อภูมิภาค ''ชนิด P'' กับ ''ลบ '' เทอร์มินัลของแบตเตอรี่และภูมิภาค ''ชนิด N'' กับเทอร์มินัล ''บวก '' ตรงกลับความโน้มเอียง ถ้าไดโอดเป็นภาพย้อนกลับ แรงดันไฟฟ้าที่แคโทดจะดีอย่างหนึ่งสูงกว่าขั้วบวก ดังนั้น ไม่ปัจจุบันจะไหลจนกว่าไดโอดแบ่ง การเชื่อมต่อจะแสดงในแผนภาพทางด้านขวาเนื่องจากวัสดุชนิด p ตอนนี้เชื่อมต่อกับเทอร์มินัลลบของไฟฟ้า '[[อิเล็กตรอน hole|holes]]' ใน วัสดุชนิด P จะดึงจากชุมทาง สาเหตุของความกว้างของโซนการลดลงของการเพิ่ม ทำนองเดียวกัน เนื่องจากภูมิภาค N ชนิดเชื่อมต่อกับเทอร์มินัลบวก อิเล็กตรอนจะยังสามารถดึงจากแยก ดังนั้น [[การลดลงของภูมิภาค]] widens และไม่ให้มากขึ้น ด้วยการเพิ่มแรงดันอคติย้อนกลับ เพิ่มกำแพงแรงดันไฟฟ้าที่ก่อให้เกิดความต้านทานสูงกับการไหลของค่าธรรมเนียมสายการบิน จึง ทำให้กระแสไฟฟ้าน้อยที่สุดจะข้ามแยก p – n เพิ่มความต้านทานของเชื่อมต่อ p – n ผลแยกพฤติกรรมที่เป็นฉนวนความแรงของการลดลงของไฟฟ้าข้อมูลเพิ่มเป็นเพิ่มแรงดันอคติกลับ เมื่อความเข้มของสนามไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นเกินระดับ แบ่งโซนการลดลงของ p – n junction และปัจจุบันเริ่มไหล ปกติ โดยทั้ง [[ซีเนอร์ breakdown|ซีเนอร์]] หรือ [[หิมะถล่มแบ่ง]] กระบวนการ ทั้งกระบวนการแบ่งเหล่านี้จะไม่ทำลาย และใจ ตราบเท่าที่จำนวนปัจจุบันไหลถึงระดับที่ทำให้เกิดวัสดุสารกึ่งตัวนำร้อนมากเกินไป และทำให้เกิดความเสียหายความร้อนลักษณะพิเศษนี้จะใช้เพื่อประโยชน์ของหนึ่งในวงจรควบคุม [[ซีเนอร์ไดโอด]] ซีเนอร์ไดโอดได้แรงดัน –ต่ำ – การแบ่งที่แน่นอนได้ ค่ามาตรฐานสำหรับการแบ่งแรงดันไฟฟ้าเป็นตัวอย่าง 5.6 V ซึ่งหมายความ ว่า แรงดันไฟฟ้าที่แคโทดไม่สามารถมากกว่า 5.6 V สูงกว่าแรงดันไฟฟ้าที่ขั้วบวก เนื่อง จากไดโอดจะแบ่ง – ทำ – ดังนั้น ถ้าแรงดันไฟฟ้าสูงได้ ซึ่งมีผลกำหนดแรงดันไฟฟ้าผ่านไดโอดโปรแกรมประยุกต์อื่นของ biasing กลับเป็นไดโอดได้ [[วาแรกเตอร์]] ซึ่งความกว้างของ [[การลดลงของโซน]] (ควบคุม ด้วยแรงดันตั้งย้อน) เปลี่ยนค่าความจุของไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

= = = = < ย้อนกลับอคติ ! -- ส่วนนี้จะเชื่อมโยงจากภายใน [ [ ] ] -- >
{ { ต้องการอ้างอิงเฉพาะส่วน | ส่วน | วันที่ = พฤศจิกายน 2013 } }
[ [ ไฟล์ : PN Junction ในอคติย้อนกลับ ผล | กรอบ | ใช่ | ซิลิคอน P และ N Junction ในไบอัสกลับ ] ]

' ' ' 'p-type เชื่อมภูมิภาค ไป ' ' ' 'negative ขั้วของแบตเตอรี่ และ ' 'n-type ' ' ภูมิภาค ' 'positive ' ' สถานีสอดคล้องกลับลำเอียง ถ้าเป็นไดโอดกลับลําเอียงแรงดันที่ขั้วแคโทด เมื่อเปรียบเทียบสูงกว่าแอโนด ดังนั้นจึงไม่มีกระแสจะไหลจน ไดโอด ตัวแบ่งลง การเชื่อมต่อจะแสดงในแผนภาพด้านขวา

เพราะวัสดุพีตอนนี้เชื่อมต่อกับอาคารที่เป็นลบของแหล่งจ่ายไฟ , ' [ [ ] ] ' | อิเล็กตรอนหลุมหลุมในวัสดุพีถูกดึงออกไปจากชุมทางทำให้ความกว้างของโซนการเพิ่มขึ้น อนึ่ง เพราะทั่วไปเขตเชื่อมต่อกับขั้วบวก อิเล็กตรอนก็จะถูกดึงออกไปจากชุมทาง ดังนั้น การ [ [ เขต ] ] กว้างยิ่งขึ้น ด้วยการเพิ่ม และไม่ได้กลับตั้งค่าแรงดัน นี้จะเพิ่มแรงดันสูงทนต่ออุปสรรคทำให้เกิดการไหลของประจุพาหะจึงช่วยให้น้อยที่สุด กระแสไฟฟ้าข้าม p - N Junction เพิ่มความต้านทานของ P และ N ชุมทางผลลัพธ์ในชุมทางทำตัวเป็นฉนวน .

แรงของการเพิ่มโซนสนามไฟฟ้าความต่างศักย์กลับเพิ่มขึ้น เมื่อความเข้มของสนามไฟฟ้าเพิ่มขึ้นเกินกว่าระดับวิกฤตP และ N ชุมทางการแบ่งโซน และปัจจุบันเริ่มมีการ มักจะ โดย [ [ Zener Breakdown | Zener ] ] หรือ [ [ รายละเอียด ] ] , กระบวนการ ทั้งกระบวนการรายละเอียดเหล่านี้เป็นแบบไม่ทำลายและผันกลับได้ ตราบใดที่ปริมาณกระแสที่ไหล ยังไม่ถึงระดับที่ทำให้วัสดุสารกึ่งตัวนำร้อนเกินไปและก่อให้เกิดความเสียหายทางความร้อน .

ผลคือ ใช้เพื่อประโยชน์ของซีเนอร์ไดโอด ใน [ [ ] ] ควบคุมวงจร ซีเนอร์ไดโอดมีบาง–ต่ำ–การแบ่งแรงดัน ค่าแรงดันไฟฟ้ามาตรฐานสำหรับการเป็นเช่น 5.6 & nbsp ; V . ซึ่งหมายความ ว่า แรงดันที่แคโทดไม่สามารถมากกว่า 5.6 & nbsp ; v สูงกว่าแรงดันที่แอโนดเพราะไดโอดจะแบ่ง–จึงนำ–ถ้าแรงดันยิ่งสูง นี้มีผลควบคุมแรงดันไฟฟ้าผ่านไดโอด

อีกโปรแกรม Reverse ความลำเอียงคือ [ [ ] ] ไดโอดวาแรกเตอร์ที่ความกว้างของ [ [ เขต ] ] ( ควบคุมด้วยค่าความต่างศักย์ย้อนกลับ ) การเปลี่ยนแปลงความจุของไดโอด .