UV-A (315–400 nm) range. The detect

UV-A (315–400 nm) range. The detector photoconductivity
increases almost significantly than at around 350 nm, as
presented in Fig. 9(a–d). These results have been previously
observed in an AlN MSM photodetector grown by MOCVD
on GaN substrate [37]. The data of Fig. 9(a and b) suggest that

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

UV-A (315-400 nm) ช่วงนั้น Photoconductivity จับเพิ่มขึ้นเกือบมากกว่าในรอบ 350 nm เป็นนำเสนอใน Fig. 9(a–d) ผลลัพธ์เหล่านี้ได้รับก่อนหน้านี้ในมี photodetector AlN MSM โดย MOCVDบนพื้นผิวกัน [37] ข้อมูลของ Fig. 9(a and b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

UV-A (315-400 นาโนเมตร) ช่วง photoconductivity ตรวจจับ
การเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเกือบกว่าที่ประมาณ 350 นาโนเมตรเป็น
การนำเสนอในรูป 9 (-D) ผลลัพธ์เหล่านี้เคยได้รับการ
ตั้งข้อสังเกตใน photodetector MSM ALN เติบโตขึ้นโดย MOCVD
บนพื้นผิวกาน [37] ข้อมูลของรูป 9 (ข) แสดงให้เห็นว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสียูวี เอ ( 315 – 400 nm ) ช่วง เครื่องตรวจจับ photoconductivity
เพิ่มเกือบอย่างมากกว่าที่ประมาณ 350 nm , แสดงในรูปที่ 9 (
( D ) ผลลัพธ์เหล่านี้ได้รับก่อนหน้านี้
สังเกตใน ALN MSM โฟโตดีเทกเตอร์โต โดย mocvd
บนพื้นผิวกาน [ 37 ] ข้อมูลในรูปที่ 9 ( A และ B ) ได้แนะนำว่า