Where NA is the doping concentratio

Where NA is the doping concentration of the p-type substrate, and e is the permittivity of silicon (1.04 x 10-12 F/cm) The parameter y has the dimension of √V and is typically 0.5 V1/2 ,Finally , note that Eq. (5.30) applies equally well for p-chaael devices with VSB replaced by the reverse bias of the sub, VBS (alternatively Replace VSB by [VSB] for both devices).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่นาสมาธิ doping ของพื้นผิวชนิด p และอี permittivity ของซิลิคอน (1.04 x 10-12 F/cm) y พารามิเตอร์มีขนาด √V และ โดยปกติ 0.5 V1/2 สุดท้าย หมายเหตุที่ใช้ Eq. (5.30) เท่า ๆ กันดีสำหรับ p-chaael อุปกรณ์ มี VSB ถูกแทนที่ ด้วยความโน้มเอียงย้อนกลับของย่อย VBS (หรือแทน VSB โดย [VSB] สำหรับอุปกรณ์ทั้งสองอย่าง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ไหน NA คือความเข้มข้นของการเติมสารตั้งต้นชนิดพีและอีเป็น permittivity ของซิลิกอน (1.04 x 10-12 F / เซนติเมตร) พารามิเตอร์ y ที่มีขนาด√Vและเป็นปกติ 0.5 V1 / 2, ในที่สุดทราบ ที่สม (5.30) มีผลบังคับใช้อย่างเท่าเทียมกันทั้งสำหรับอุปกรณ์พี chaael กับ VSB แทนที่ด้วยอคติย้อนกลับของการย่อย VBS (หรือแทนที่ VSB โดย [VSB] สำหรับอุปกรณ์ทั้งสอง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งนาเป็นยาสลบความเข้มข้นของพีพื้นผิว และ E คือป้อนของซิลิคอน ( 1.04 x 10-12 F / cm ) พารามิเตอร์ Y มีมิติของ√ V และเป็นปกติ 0.5 V1 / 2 ในที่สุดทราบว่าอีคิว ( 17.30 ) ใช้เท่าเทียมกันดีสำหรับ p-chaael อุปกรณ์ที่มี vsb แทนที่ด้วยอคติย้อนกลับ ของ sub VBS ( หรือแทนที่ vsb โดย [ vsb ] สำหรับอุปกรณ์ทั้งสอง )