Zn-doped AlN nanostructures were sy

Zn-doped AlN nanostructures were synthesized via a catalyst-free chemical vapor deposition method
under different growth temperatures. The surface morphologies and size of nanostructures are
significantly affected by the growth temperature. The undoped sample shows an ultraviolet emission
band at 360 nm, which is attributed to the transition from ON to VAl defect complex to the ON level. With
increasing temperature, the doped samples exhibit two new emissions centered at 282 and 320 nm.
The band at 320 nm is related to the nitrogen vacancies, and the band at 282 nm can be ascribed to the
transition from nitrogen vacancies with three positive charges to neutral Zn acceptors. These results
indicate that temperature increase favors the Zn incorporation which strongly affects the growth and
luminescence of samples.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Zn doped AlN nanostructures ถูกสังเคราะห์ผ่านวิธีการสะสมไอสารเคมีปราศจากเศษภายใต้อุณหภูมิเติบโตแตกต่างกัน Morphologies ผิวและขนาดของ nanostructuresผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญตามอุณหภูมิเจริญเติบโต ตัวอย่าง undoped แสดงการปล่อยก๊าซรังสีอัลตราไวโอเลตวงที่ 360 nm ซึ่งเกิดจากการเปลี่ยนแปลงจากระบบบกพร่อง VAl ซับซ้อนระดับบน ด้วยอุณหภูมิเพิ่มขึ้น การจัดแสดงตัวอย่าง doped ปล่อยสองใหม่แปลกที่ 282 และ 320 nmวงที่ 320 nm จะเกี่ยวข้องกับตำแหน่งไนโตรเจน และวงที่ 282 สามารถ ascribed nm เพื่อเปลี่ยนจากตำแหน่งไนโตรเจนมีค่าสามค่าบวกเพื่อเป็นกลาง Zn acceptors ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ว่า อุณหภูมิเพิ่มขึ้นสนับสนุนประสาน Zn ที่ขอมีผลต่อการเจริญเติบโต และluminescence อย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สังกะสีเจือ ALN สังเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยานาโนผ่านฟรีวิธีตกสะสมไอเชิงเคมี
ภายใต้อุณหภูมิการเจริญเติบโตที่แตกต่างกัน ลักษณะพื้นผิวและขนาดนาโนถูก
อย่างมากผลกระทบจากอุณหภูมิการเจริญเติบโต ตัวอย่างแสดงการเคมีไฟฟ้า
รังสีอัลตราไวโอเลตวงดนตรีที่ 360 nm ซึ่งจะเกิดจากการเปลี่ยนแปลงจากเมื่อวาลของเสียที่ซับซ้อนในระดับ กับ
เพิ่มอุณหภูมิ เจือตัวอย่างแสดงสองปล่อยใหม่ศูนย์กลางที่ 282 และ 320 nm .
วงดนตรีที่ 320 nm จะเกี่ยวข้องกับปริมาณงาน และวงดนตรีที่ 282 nm สามารถ ascribed ไป
เปลี่ยนจากไนโตรเจนงงกับสามค่าใช้จ่ายบวกเป็นกลางสังกะสีเปรียบเทียบ . ผลลัพธ์เหล่านี้
พบว่าอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นสนับสนุนการขอสังกะสีที่มีผลต่อการเจริญเติบโตและ
เรืองแสงของตัวอย่าง