A pulse rise time that is as short

A pulse rise time that is as short as possible is preferred to achieve uniform PIII [11]. The potential on control grid G1 has to be optimized. It is +200 V in our system, and the rise time of the pulse is about 1 μs. A larger G1 potential may lead to deleterious electrical oscillation. The potential on grid G2 has a slight influence on the rise time of the pulse, and no obvious difference is observed with the G2 potential changing from +1500 to +1900 V. Due to the capacitance of the plasma load and cable, a long fall time is induced after the tetrode shuts down. This will lead to the energy nonuniformity of incident ions, and surface sputtering of treated samples may happen. This fall time may last several hundreds of microseconds due to the high resistance of the plasma sheath. The hard tube or series solid-state switch (e.g., IGBTs) can be utilized to discharge the equivalent capacitor rapidly. A fall time of less than 1 μs has been reported [12]. However, this method may make the circuit of the modulator more complex and bring extra hardware cost. Therefore, a pull-down resistor is frequently utilized in practical circuits, although power consumption is needed. In our system, the fall time of the pulse is controlled by pull-down resistor R3 of 20–30 kΩ.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เวลาการเพิ่มขึ้นของพัลส์ที่สั้นที่สุดเท่าที่เป็นไปได้เป็นที่ต้องการเพื่อให้บรรลุเครื่องแบบ PIII [11] ที่มีศักยภาพในการควบคุม g1 ตารางจะต้องมีการปรับให้เหมาะสม มันเป็น 200 v ในระบบของเราและเวลาที่เพิ่มขึ้นของชีพจรเป็นประมาณ 1 μs ที่มีศักยภาพ g1 ขนาดใหญ่อาจนำไปสู่​​ความผันผวนไฟฟ้าเป็นอันตราย ที่มีศักยภาพใน g2 ตารางมีอิทธิพลเล็กน้อยในเวลาเพิ่มขึ้นของชีพจรและไม่มีความแตกต่างที่เห็นได้ชัดเป็นที่สังเกตกับการเปลี่ยนแปลงที่อาจเกิดขึ้น g2 1500-1900 โวลต์เนื่องจากความจุของโหลดพลาสม่าและสายเคเบิลเวลาในฤดูใบไม้ร่วงที่มีความยาวเป็นเทพหลังจาก Tetrode ปิดลง นี้จะนำไปสู่​​ nonuniformity พลังงานของไอออนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นและสปัตเตอร์พื้นผิวของตัวอย่างที่ได้รับการรักษาอาจจะเกิดขึ้นเวลาฤดูใบไม้ร่วงปีนี้อาจจะหลายร้อย microseconds เนื่องจากความต้านทานสูงของปลอกพลาสม่า หลอดยากหรือชุดสวิทช์ของรัฐที่มั่นคง (เช่น IGBTs) สามารถใช้ในการปล่อยประจุอย่างรวดเร็วเทียบเท่า เวลาลดลงน้อยกว่า 1 μsได้รับรายงาน [12] แต่วิธีนี้อาจทำให้วงจรของโมดูเลเตอร์ที่ซับซ้อนมากขึ้นและนำค่าใช้จ่ายฮาร์ดแวร์เพิ่มเติม ดังนั้นตัวต้านทานแบบเลื่อนลงจะใช้บ่อยในวงจรปฏิบัติแม้ว่าการใช้พลังงานเป็นสิ่งจำเป็น ในระบบของเราเวลาการล่มสลายของชีพจรจะถูกควบคุมโดยเลื่อนลง r3 ต้านทาน 20-30 kΩ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชีพจรเพิ่มขึ้นเวลาที่สั้นที่สุดคือต้องให้สม่ำเสมอ PIII [11] ศักยภาพในตารางควบคุม G1 เพื่อปรับให้เหมาะได้ 200 V ในระบบของเรา และเวลาเพิ่มขึ้นของชีพจร ประมาณ 1 μs ศักยภาพ G1 ใหญ่อาจทำให้ไฟฟ้าสั่นร้าย ศักยภาพบนกริด G2 มี influence เล็กน้อยเวลาขึ้นของชีพจร และความแตกต่างไม่ชัดเจนจะสังเกต ด้วย G2 อาจเปลี่ยนจาก 1500 V. 1900 เนื่องจากค่าความจุของพลาสมา เคเบิ้ล เวลาตกยาวจะเกิดจากหลังจากปิด tetrode และโหลด นี้จะนำไปสู่ nonuniformity พลังงานของประจุเหตุการณ์ และพ่นผิวบำบัดอย่างอาจเกิดขึ้น ฤดูใบไม้ร่วงนี้อาจสุดท้าย microseconds เนื่องจากความต้านทานสูงของ sheath พลาสม่าหลายร้อยครั้ง ยากหลอดหรือชุดโซลิดสเตตสวิตช์ (เช่น IGBTs) สามารถนำไปใช้ประโยชน์ปลดตัวเก็บประจุเทียบเท่าอย่างรวดเร็ว เวลาตกของ μs น้อยกว่า 1 แล้วรายงาน [12] อย่างไรก็ตาม วิธีการนี้อาจทำให้วงจรของ modulator ที่ซับซ้อน และนำต้นทุนฮาร์ดแวร์เพิ่มเติม ดังนั้น มักจะใช้ตัวต้านทานดึงลงในวงจรปฏิบัติ แม้ว่าพลังงานเป็นสิ่งจำเป็น ระบบของเรา เวลาฤดูใบไม้ร่วงของชีพจรถูกควบคุม โดยดึงลงตัวต้านทาน R3 ของ k ω 20–30

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เวลาขึ้นระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)ที่มีในระยะทางสั้นๆเพื่อไปมากที่สุดเท่าที่จะเป็นได้แต่งเครื่องแบบ piii [ 11 ] ที่มี ศักยภาพ สูงในการควบคุม G 1 มีการปรับแต่ง 200 V ในระบบของเราและเวลาที่เพิ่มขึ้นของปุ่ม Pulse ประมาณ 1 μs. 1 G ขนาดใหญ่ที่อาจเกิดขึ้นที่อาจนำไปสู่สองจิตสองใจไฟฟ้าพวง ที่มี ศักยภาพ สูงในตาราง G 2 มี influence เอียงเล็กน้อยในช่วงเวลาที่ทรงของปุ่ม Pulseและไม่มีความแตกต่างกันอย่างเห็นได้ชัดคือสังเกตเห็นมี ศักยภาพ G 2 ที่เปลี่ยนจาก 1500 ถึง 1900 V เนื่องจากการประจุกระแสไฟฟ้าของสายจอพลาสม่าและโหลดได้เวลาลงมาเป็นเวลานานมีผลทำให้เกิดหลังจาก tetrode จะปิดลง โรงแรมแห่งนี้จะนำไปสู่ nonuniformity พลังงานของไอออนเหตุการณ์ตัวอย่างและพื้นผิวละล่ำละลักของการปฏิบัติอาจจะเกิดขึ้นช่วงเวลาฤดูใบไม้ร่วงนี้อาจสุดท้ายหลายร้อยหลายแห่งของไมโครวินาทีเนื่องจากมีการต่อต้านที่สูงของปลอกจอพลาสม่าที่ ท่อดูดฝุ่นหรือ Series Solid - State (เช่น igbts )ที่สามารถใช้งานในการคายประจุตัวเก็บประจุสูญหายเทียบเท่ากับที่อย่างรวดเร็ว เวลาฤดูใบไม้ร่วงที่มีขนาดน้อยกว่า 1 μs มีรายงานว่า[ 12 ] อย่างไรก็ตามวิธีการนี้อาจจะทำให้วงจรของ RF โมดูเลเตอร์ที่ซับซ้อนมากขึ้นและนำค่าใช้จ่ายพิเศษฮาร์ดแวร์ ดังนั้นตัวต้านทานปลายสายดึงลงที่จะใช้งานได้ในวงจรไฟฟ้าที่ใช้งานได้จริงแม้ว่าการใช้พลังงานเป็นสิ่งจำเป็น ในระบบของเราเวลาลงของระดับพร้อมปุ่ม Pulse จะถูกควบคุมโดยดึงลงตัวต้านทานของ 20-30 20-30 20-30 R 3 k Ω