nanotubes/graphene; these carbon na

nanotubes/graphene; these carbon nanostructures may disrupt the
pp intermolecular stacking of the conjugated polymer matrix
[22e25,29]. The challenges of sorting semiconducting and metallic
carbon nanotube along with controlling bandgap energy of those
carbonclass nanomaterials still frustrate future developments. In
contrast, only a few studies have discussed the suitability of inor
ganic nanostructures such as nanocrystals [30,31], tetrapods [32]
and nanowires [33e35].
Here we present a new combination of solutionprocessed
nanocomposite FETs based on a dual layer active channel of
intrinsic silicon (Si) nanowires and organic semiconducting poly(3
hexylthiophene) (P3HT) polymers. The former owing to unique
onedimensional structure, semiconductive and electrically/
chemically tunable properties has attracted extensive attentions on
opto/electronic, sensing, and energy conversion/storage applica
tions. The latter has often been employed as pchannel semi
conductors and light absorbing electron donors, with low cost
processability on large areas by spincoating or inkjet printing.
With regard to their uniqueness, we propose that a new type of
transistor active channel obtained through the addition of semi
conducting nanowires into polymeric matrixes may offer a signif
icant impact in charge transport. Our preliminary results reveal that
the effective eld effect mobilities of dual layer Si nanowireP3HT
nanocomposite transistors are increased by a factor of more than
six compared to that of pristine P3HT FETs. The loading effects of Si
nanowire on the FET characteristics and the device stability in
ambient air conditions are also investigated.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

nanotubes/ฟีน nanostructures คาร์บอนเหล่านี้อาจทำให้การpp intermolecular ซ้อนของเมทริกซ์พอลิเมอร์เพียง[22e25, 29] ความท้าทายของการเรียงลำดับโลหะ และโลหะท่อนาโนคาร์บอนพร้อมกับควบคุมพลังงาน bandgap คนcarbonclass nanomaterials ยังคงรอดพ้นพัฒนาในอนาคต ในความคมชัด เพียงไม่กี่ศึกษาได้กล่าวถึงความเหมาะสมของ inorganic nanostructures เช่น nanocrystals 30 [31], [32] เพื่อสะท้อนและ nanowires [33e35]ที่นี่เรานำเสนอชุดใหม่ solutionprocessedสิต FETs ตามช่องทางใช้งานอยู่ชั้นสองของnanowires intrinsic ซิลิคอน (Si) และอินทรีย์โลหะโพลี (3hexylthiophene) (P3HT) โพลิเมอร์ อดีตเนื่องจากเฉพาะโครงสร้าง onedimensional, semiconductive และระบบไฟฟ้า /คุณสมบัติทางเคมีที่สามารถปรับได้ดึงดูดแน่นกว้างขวางบนออปโต้อิเล็กทรอนิกส์ ตรวจจับ และ applica แปลงเก็บพลังงานทุกระดับ หลังมักจะถูกใช้เป็น pchannel semiตัวนำและผู้บริจาคอิเล็กตรอน ด้วยต้นทุนต่ำ การดูดซับแสงเชิงบนพื้นที่ขนาดใหญ่โดยการพิมพ์ inkjet หรือ spincoatingโดยคำนึงถึงความเป็นเอกลักษณ์ของพวกเขา เรานำเสนอที่เป็นชนิดใหม่ของช่องใช้งานทรานซิสเตอร์ที่ได้รับ โดยการเพิ่ม semiดำเนิน nanowires เป็นโพลีเมอร์ matrixes อาจมีการ signifผลกระทบที่ icant ในค่าขนส่ง เปิดเผยผลเบื้องต้นของเราที่mobilities ผลประสิทธิภาพภายในของชั้นสองศรี nanowireP3HTสิตทรานซิสเตอร์จะเพิ่มขึ้น โดยปัจจัยที่มากกว่า6 เมื่อเทียบกับของเก่า P3HT FETs ผลการโหลดของศรีnanowire ลักษณะ FET และเสถียรภาพอุปกรณ์ในยังมีการตรวจสอบสภาพอากาศแวดล้อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ท่อนาโน / กราฟีน; เหล่านี้โครงสร้างนาโนคาร์บอนอาจรบกวนการ
ซ้อนระหว่างโมเลกุลppของเมทริกซ์โพลิเมอร์ผัน
[22e25,29] ความท้าทายของการคัดแยกสารกึ่งตัวนำและโลหะ
ท่อนาโนคาร์บอนพร้อมกับการควบคุมพลังงาน bandgap ของผู้ที่
nanomaterials carbonclassยังคงรอดพ้นการพัฒนาในอนาคต ใน
ทางตรงกันข้ามเพียงการศึกษาน้อยได้กล่าวถึงความเหมาะสมของinor
โครงสร้างนาโน Ganic เช่นนาโนคริสตัล [30,31] tetrapods [32]
และ nanowires [33e35].
ที่นี่เรานำเสนอการรวมกันใหม่solutionprocessed
FETs นาโนคอมโพสิตอยู่บนพื้นฐานของ คู่ชั้นช่องทางที่ใช้งานของ
ซิลิกอนที่แท้จริง (SI) และโพลี nanowires กึ่งตัวนำอินทรีย์ (3
hexylthiophene) (P3HT) โพลิเมอร์ อดีตที่ไม่ซ้ำกันเนื่องจาก
โครงสร้างonedimensional, สารกึ่งตัวนำและไฟฟ้า /
สารเคมีคุณสมบัติพริ้งได้ดึงดูดความสนใจอย่างกว้างขวางใน
Opto / อิเล็กทรอนิกส์, การตรวจจับและการแปลงพลังงาน / applicaจัดเก็บ
ข้อ หลังได้รับมักจะใช้เป็นpchannelsemi
ตัวนำและแสงดูดซับบริจาคอิเล็กตรอนที่มีต้นทุนต่ำ
ในการขึ้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่โดยspincoatingหรือการพิมพ์inkjet.
ในเรื่องเกี่ยวกับความเป็นเอกลักษณ์ของพวกเขากับเราเสนอว่าเป็นชนิดใหม่ของ
ทรานซิสเตอร์ ช่องทางที่ใช้งานได้ผ่านการเพิ่มsemi
nanowires การดำเนินการออกเป็นพอลิเมอ matrixes อาจมีsignif
ผลกระทบ icant ค่าใช้จ่ายในการขนส่ง ผลการศึกษาเบื้องต้นของเราแสดงให้เห็นว่า
มีประสิทธิภาพ ELD เคลื่อนที่ผลของชั้นสองศรีnanowireP3HT
ทรานซิสเตอร์นาโนคอมโพสิตเพิ่มขึ้นโดยปัจจัยที่มากกว่า
หกเทียบกับที่ของ FETs P3HT ที่เก่าแก่ ผลกระทบในการโหลดของศรี
เส้นลวดนาโนอยู่กับลักษณะและความมั่นคง FET อุปกรณ์ใน
สภาพอากาศโดยรอบจะถูกตรวจสอบยัง