The preparation of single-layer gra

The preparation of single-layer graphene by the thermal decomposition of silicon carbide (SiC) has been proposed as a viable route for the synthesis of uniform,wafer-size graphenelayers for technological applications

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เตรียม graphene ชั้นเดียวโดยการเน่าความร้อนของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้รับการเสนอชื่อเป็นกระบวนการทำงานได้สังเคราะห์รูป แผ่นเวเฟอร์ขนาด graphenelayers สำหรับการใช้งานเทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเตรียมความพร้อมของกราฟีนชั้นเดียวจากการสลายตัวทางความร้อนของซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ได้รับการเสนอเป็นเส้นทางที่มีศักยภาพสำหรับการสังเคราะห์เครื่องแบบ graphenelayers เวเฟอร์ขนาดสำหรับการใช้งานเทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมการของ graphene ชั้นเดียวโดยการสลายตัวทางความร้อนของซิลิคอนคาร์ไบด์ ( SIC ) ได้รับการเสนอเป็นเส้นทางที่ใช้สำหรับการสังเคราะห์ของเครื่องแบบ เวเฟอร์ขนาด graphenelayers
สำหรับการใช้งานเทคโนโลยี