Abstract:Top gate, global back gate

Abstract:
Top gate, global back gate and buried gate CNTFET structures with a channel length of 5.9 nm are studied in the scope of the 2026 ITRS requirements. The studies are performed using a numerical device simulator. Figures of merit and performance parameters such as the switching speed, the switching energy, Ion/Ioff-ratio, among others, are obtained for each structure and compared with the 2026 ITRS requirements for different application scenarios. Most of the requirements are met with the buried gate CNTFET. The requirement for the Ion/Ioff-ratio is met at the cost of other performance parameters.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อ:ด้านบนประตู ประตูหลังส่วนกลาง และประตูฝัง CNTFET โครงสร้างกับความยาวช่อง 5.9 nm จะศึกษาในขอบเขตของข้อกำหนดของ ITRS 2026 การศึกษาจะดำเนินการต่อโดยใช้แบบจำลองเชิงตัวเลขอุปกรณ์ ตัวเลขของบุญและประสิทธิภาพพารามิเตอร์เช่นการสลับเร็ว พลังงานสลับ ไอออน/Ioff-สม อื่น ๆ จะได้รับสำหรับแต่ละโครงสร้าง และเปรียบเทียบกับข้อกำหนดของ ITRS 2026 สำหรับสถานการณ์การประยุกต์ใช้แตกต่างกัน ส่วนใหญ่ของความต้องการที่จะได้พบกับประตูฝัง CNTFET ความต้องการสำหรับ ไอออน/Ioff-อัตราส่วนเป็นไปตามค่าใช้จ่ายอื่น ๆ ค่าประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ:
ประตูสูงสุดประตูหลังทั่วโลกและฝังประตูโครงสร้าง CNTFET ที่มีความยาวช่อง 5.9 นาโนเมตรมีการศึกษาอยู่ในขอบเขตของความต้องการ ITRS 2026 การศึกษาจะดำเนินการโดยใช้อุปกรณ์จำลองเชิงตัวเลข ตัวเลขของบุญและประสิทธิภาพการทำงานพารามิเตอร์เช่นความเร็วในการเปลี่ยนพลังงานเปลี่ยนไอออน / Ioff อัตราส่วนหมู่คนอื่น ๆ จะได้รับสำหรับแต่ละโครงสร้างและเมื่อเทียบกับ 2026 ต้องการ ITRS สำหรับสถานการณ์การประยุกต์ใช้ที่แตกต่างกัน ส่วนใหญ่ต้องการที่จะพบกับประตูฝัง CNTFET ข้อกำหนดสำหรับไอออน / Ioff อัตราส่วนจะพบค่าใช้จ่ายของค่าประสิทธิภาพอื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อ :ด้านบนประตู ประตูกลับโลกและฝังโครงสร้าง cntfet ประตูที่มีช่องความยาว 5.9 นาโนเมตร โดยศึกษาในขอบเขตของ 2026 itrs ความต้องการ การศึกษาการใช้อุปกรณ์จำลองเชิงตัวเลข ร่างของบุญและผลของพารามิเตอร์เช่นความเร็วในการสลับ , การสลับพลังงาน , อัตราส่วน , ไอออน / ioff ในหมู่คนอื่น ๆ จะได้รับสำหรับแต่ละโครงสร้างและเปรียบเทียบกับความต้องการสำหรับการ itrs 2026 สถานการณ์แตกต่างกัน ที่สุดของความต้องการจะเจอกับประตูที่ถูกฝัง cntfet . ความต้องการอัตราส่วนไอออน / ioff เป็นไปตามที่ค่าของพารามิเตอร์ประสิทธิภาพอื่น ๆ