In the etching and deposition steps

In the etching and deposition steps in the production of semiconductor chips, plasma
processing is required for three main reasons. First, electrons are used to dissociate
the input gas into atoms. Second, the etch rate is greatly enhanced by ion bombardment,
which breaks the bonds in the first few monolayers of the surface, allowing the
etchant atoms, usually Cl or F, to combine with substrate atoms to form volatile
molecules. And third, most importantly, the electric field of the plasma sheath
straightens the orbits of the bombarding ions so that the etching is anisotropic,
allowing the creation of features approaching nanometer dimensions.
The plasma sources used in the semiconductor industry were originally developed
by trial and error, with little basic understanding of how they work. To achieve this
understanding, many challenging physics problems had to be solved. This chapter is
an introduction to the science of radiofrequency (rf ) plasma sources, which are by far
the most common. Sources operating at zero or other frequencies, such as 2.45 GHz
microwaves, lie outside our scope. Most rf sources use the 13.56 MHz industrial
standard frequency. Among these, there are three main types: (1) capacitively coupled
plasmas or CCPs, also called reactive ion etchers (RIEs); (2) inductively coupled
plasmas (ICPs), also called transformer coupled plasmas (TCPs); and (3) helicon
wave sources, which are new and can be called HWSs

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในขั้นตอนการแกะสลักและสะสมในการผลิตชิมิคอนดักเตอร์ พลาสม่าการประมวลผลจำเป็นสำหรับสามเหตุผลหลัก ครั้งแรก ใช้อิเล็กตรอนในการแยกตัวออกแก๊สที่อินพุตเข้าไปในอะตอม ที่สอง อัตราการ etch เป็นอย่างมากเพิ่ม โดยระดมยิงไอออนซึ่งแบ่งความผูกพันใน monolayers สองสามแรกของพื้นผิว ช่วยให้การetchant อะตอม ปกติ Cl หรือ F รวมกับอะตอมของพื้นผิวการระเหยแบบฟอร์มโมเลกุล และที่สาม ที่สำคัญที่สุดคือ ฟิลด์ไฟฟ้าของพลาสม่าฝักควบคุมวงโคจรของไอออน bombarding เพื่อให้การแกะสลักคือศาตร์ช่วยให้การสร้างคุณลักษณะใกล้ขนาดนาโนเมตรได้พัฒนาแหล่งพลาสมาที่ใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำโดยลองผิด มีความเข้าใจพื้นฐานเล็กน้อยของวิธี ทำงาน เพื่อให้บรรลุนี้เข้าใจ มากมายท้าทายฟิสิกส์ปัญหามีไว้แก้ บทนี้จะแนะนำวิทยาศาสตร์แหล่งพลา radiofrequency (rf) ซึ่งมีมากมายพบมากที่สุด แหล่งเป็นศูนย์หรือความถี่อื่น ๆ เช่น 2.45 GHzไมโครเวฟ ที่อยู่นอกขอบเขตของเรา ส่วนใหญ่แหล่ง rf ใช้อุตสาหกรรม 13.56 MHzความถี่มาตรฐาน ในหมู่เหล่านี้ มีสามประเภทหลัก: (1) คู่ capacitivelyplasmas หรือ Ccp เรียกว่าไอออนปฏิกิริยา etchers (RIEs); (2) inductively ควบคู่plasmas (ICPs), หรือ เรียกว่าหม้อแปลงไฟฟ้าควบคู่ plasmas (TCPs); และ helicon (3)แหล่งคลื่น ใหม่ และสามารถเรียกใช้ HWSs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการแกะสลักและการสะสมขั้นตอนในการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์, พลาสม่า
ในการประมวลผลเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับสามสาเหตุหลัก ครั้งแรกที่อิเล็กตรอนจะใช้ในการแยกตัวออก
ก๊าซป้อนข้อมูลลงในอะตอม ประการที่สองอัตราการกัดจะเพิ่มขึ้นอย่างมากจากการโจมตีไอออน
ซึ่งแบ่งพันธบัตรในไม่กี่ monolayers แรกของพื้นผิวที่ช่วยให้
อะตอม etchant มัก Cl หรือไฮน์, รวมกับอะตอมพื้นผิวในรูปแบบระเหย
โมเลกุล และสามที่สำคัญที่สุดคือสนามไฟฟ้าจากฝักพลาสมา
ยืดวงโคจรของไอออนแสงเพื่อให้แกะสลักเป็น anisotropic,
ช่วยให้การสร้างคุณลักษณะใกล้ขนาดนาโนเมตร.
แหล่งที่มาพลาสม่าที่ใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์มีการพัฒนามา
โดยการทดลองและ ข้อผิดพลาดด้วยความเข้าใจพื้นฐานเล็ก ๆ น้อย ๆ ของวิธีการที่พวกเขาทำงาน เพื่อให้บรรลุนี้
เข้าใจหลายปัญหาที่ท้าทายฟิสิกส์จะต้องได้รับการแก้ไข บทนี้เป็น
คำแนะนำเกี่ยวกับวิทยาศาสตร์ของคลื่นวิทยุ (RF) แหล่งที่มาพลาสม่าซึ่งไกลโดย
ที่พบมากที่สุด แหล่งที่มาของการปฏิบัติงานที่ศูนย์หรือความถี่อื่น ๆ เช่น 2.45 GHz
ไมโครเวฟอยู่นอกขอบเขตของเรา ส่วนใหญ่แหล่ง RF ใช้ 13.56 MHz อุตสาหกรรม
ความถี่มาตรฐาน กลุ่มคนเหล่านี้มีสามประเภทหลักคือ (1) คู่ capacitively
พลาสมาหรือ CCPs เรียกว่าปฏิกิริยา Etchers ไอออน (Ries); (2) inductively คู่
พลาสมา (ICPs) เรียกว่าหม้อแปลงคู่พลาสมา (TCPs); และ (3) Helicon
แหล่งคลื่นซึ่งเป็นของใหม่และสามารถเรียก HWSs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการกัดและขั้นตอนการเคลือบในการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์ , พลาสมากระบวนการที่จำเป็นสำหรับเหตุผลหลักสาม ก่อนจะใช้เพื่อแยกอิเล็กตรอนใส่แก๊สอะตอม ที่สอง , กัดอัตราโจมตีมากขึ้นไอออน ,ซึ่งแบ่งพันธบัตรในไม่กี่ monolayers แรกของพื้นผิว , ที่ช่วยให้etchant อะตอมมักจะ CL หรือ F เพื่อรวมกับสารอะตอมแบบระเหยโมเลกุล และสามที่สำคัญที่สุดคือ สนามไฟฟ้าของพลาสมาฝักstraightens โคจรของแสงเพื่อให้ภาพเป็น Anisotropic ไอออน ,ช่วยให้การสร้างคุณสมบัติใกล้ขนาดนาโนเมตร .พลาสมาแหล่งข้อมูลที่ใช้ในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำได้รับการพัฒนาเดิมโดยการทดลองและข้อผิดพลาด มีความเข้าใจพื้นฐานของวิธีการที่พวกเขาทำงาน เพื่อให้บรรลุนี้ความเข้าใจในฟิสิกส์ที่ท้าทายมาก ปัญหาต้องได้รับการแก้ไข บทนี้คือรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับวิทยาศาสตร์ของด้วยคลื่นวิทยุ ( RF ) แหล่งกำเนิดพลาสมาซึ่งจะโดยไกลที่พบบ่อยที่สุด แหล่งงานที่ศูนย์หรือความถี่ 2.45 GHz อื่น ๆเช่นไมโครเวฟอยู่ภายนอกขอบเขตของเรา แหล่งข้อมูลส่วนใหญ่ใช้ RF 13.56 MHz อุตสาหกรรมความถี่มาตรฐาน ระหว่างนี้ มีอยู่สามประเภทหลัก : ( 1 ) capacitively คู่พลาสมา หรือต้องเรียกว่าปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก ( ries ) ; ( 2 ) อุปนัยคู่พลาสมา ( ICPS ) เรียกว่าหม้อแปลงคู่พลาสมา ( tcps ) ; และ ( 3 ) Heliconแหล่งคลื่นซึ่งเป็นใหม่ และสามารถเรียก hwss