MOSFET DriversWhen utilizing N­Chan

MOSFET Drivers
When utilizing N­Channel MOSFETs to switch a DC voltage across a load, the drain terminals of the high side MOSFETs are often connected to the highest voltage in the system. This creates a difficulty, as the gate terminal must be approximately 10V higher than the drain terminal for the MOSFET to conduct. Often, integrated circuit devices known as MOSFET drivers are utilized to achieve this difference through charge pumps or bootstrapping techniques. These chips are capable of quickly charging the input capacitance of the MOSFET (Cgiss) quickly before the potential difference is reached, causing the gate to source voltage to be the highest system voltage plus the capacitor voltage, allowing it to conduct. A diagram of an N­Channel MOSFET with gate, drain, and source terminals is shown in Figure 8.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดรเวอร์ MOSFETเมื่อใช้ NChannel MOSFETs สลับเป็นแรงดัน DC ในการโหลด ขั้วท่อระบายน้ำของ MOSFETs ข้างสูงมักจะเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดในระบบ นี้สร้างความยากลำบาก เป็นอาคารประตูต้องประมาณ 10V สูงกว่าเทอร์มินัลสำหรับ MOSFET ทำท่อระบายน้ำ มักจะ อุปกรณ์วงจรรวมที่เรียกว่าไดรเวอร์ MOSFET ถูกนำมาใช้เพื่อให้เกิดความแตกต่างนี้ผ่านค่าปั๊มหรือเทคนิค bootstrapping เกล็ดเหล่านี้มีความสามารถในการได้อย่างรวดเร็วชาร์จความจุอินพุตของ MOSFET (Cgiss) ได้อย่างรวดเร็วก่อนที่ค่าความต่างศักย์ถึง ทำให้เกิดประตูแหล่งแรงดันไฟฟ้าจะเป็นระบบแรงดันสูงสุดบวกแรงดันตัวเก็บประจุ ปล่อยให้มันดำเนิน ไดอะแกรมของ MOSFET มี NChannel มีประตู ท่อระบายน้ำ แหล่งโดยสารจะแสดงในรูปที่ 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดรเวอร์ MOSFET
เมื่อใช้ MOSFETs nChannel เพื่อสลับแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงทั่วโหลดขั้วท่อระบายน้ำของ MOSFETs ด้านสูงมักจะเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าที่สูงที่สุดในระบบ นี้จะสร้างความยากลำบากเป็นขั้วประตูจะต้องเป็นประมาณ 10V สูงกว่าขั้วท่อระบายน้ำสำหรับ MOSFET ที่จะดำเนินการ บ่อยครั้งที่อุปกรณ์วงจรรวมที่รู้จักกันเป็นคนขับ MOSFET ถูกนำมาใช้เพื่อให้บรรลุความแตกต่างนี้ผ่านปั๊มค่าใช้จ่ายหรือเทคนิคร่วมมือ ชิปเหล่านี้มีความสามารถในการเรียกเก็บเงินได้อย่างรวดเร็วความจุการป้อนข้อมูลของมอสเฟต (Cgiss) อย่างรวดเร็วก่อนที่ความต่างศักย์ถึงก่อให้เกิดประตูสู่แหล่งจ่ายแรงดันให้เป็นระบบแรงดันไฟฟ้าสูงสุดบวกแรงดันไฟฟ้าประจุปล่อยให้มันดำเนินการ แผนภาพของ nChannel MOSFET กับประตูท่อระบายน้ำและอาคารแหล่งที่มาแสดงในรูปที่ 8