around 15 nm. At low injection leve

around 15 nm. At low injection levels, the green intensity is higher than the blue one. As the injection current increases, the blue peak becomes dominating. This trend is attributed to the short migration distance of holes in nitride compounds [3]. At the low injection levels, holes can migrate mainly down to the ﬁrst QW, which emits green light. Therefore, green emission dominates. As the injection current increases, holes can reach the two middle QWs, which emit blue light. The higher crystallinequalityofthesetwoQWsresultsinthestrongerELpeak. The bottom green-emitting QW does not seem to directly contribute much in either PL or EL. This QW was designed for absorbing the down-propagating blue light and then re-emitting green light. However, it is difﬁcult to calibrate its contribution. Although the comparisons are difﬁcult and dependent on the processconditions,fromthecurrent–voltagemeasurements,we observe that generally the turn-on voltage and the device resistanceofthetwo-wavelengthLEDliebetweenthecorresponding values of a purely blue and a purely green LED. Nevertheless, thislettermeanstopresentthenovelconceptofwhitelightgeneration. The details of the blue/green two-wavelength LED will be discussed elsewhere. We then spin-coated CdSe–ZnS nanocrystals on the fabricated two-wavelength LED. The diameter of the CdSe core is around 4 nm and the thickness of the ZnS shell is about 0.2 nm.
The weight concentration of the used nanocrystal toluene solution is 5 Wt/%. Fig. 4 shows the room-temperature PL and photoluminescenceexcitation(PLEdetectedat580nm)spectra of the nanocrystals. One can see the strong absorption in the shallowUV range.Also, thereis an absorptionshoulder around 460 nm in the PLE spectrum, which was utilized for blue absorption and red light generation. In the PL spectrum of the nanocrystals,amajorpeakaround615nmandasecondarypeak around580nmcanbeseen.Theroom-temperatureELspectraat variousinjection currents ofthe LED coatedwiththe nanocrystals are shown in Fig. 5. Here, one can see that the original blue peak is tremendously suppressed and a strong red peak around 615 nm appears. Only the ﬁrst quantum dot states were excited inourLEDoperation.Thesuppressionofbluelightisduetothe conversionofbluephotonsintoredlightthroughtheCdSe–ZnS nanocrystals. It can also be attributed to the stronger scattering, when compared with the green light, by the nanocrystals. In summary, we have grown and processed a blue/green two-wavelength LED basedon the mixture of two kinds of QW in epitaxial growth. The relative EL intensity of the two colors depended on the injection current level, which controlled the holeconcentrationdistributionamongtheQWs.Wethencoated CdSe–ZnS nanocrystals on the top of the two-wavelength LED for converting blue photons into red light. By coating such nanocrystals, the device emitted blue, green, and red lights for white light generation.
REFERENCES
[1] I.Ozden,E.Makarona,A.V.Nurmikko,T.Takeuchi,andM. Krames, “A dual-wavelength indium gallium nitride quantum well light emittingdiode,”Appl.Phys.Lett.,vol.79,no.16,pp.2532–2534,Oct.2001.
[2] M. Yamada, Y. Narukawa, and T. Mukai, “Phosphor free high-luminous-efﬁciencywhitelight-emittingdiodescomposedofInGaNmultiquantum well,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, no. 3A, pp. L246–L248, Mar. 2002.
[3] Y. D. Qi, H. Liang, W. Tang, Z. D. Lu, and K. M. Lau, “Dual wavelength InGaN/GaN multi-quantum well LEDs grown by metalorganic vaporphaseepitaxy,”J.Cryst.Growth,vol.272,no.1–4,pp.333–340, 2004.
[4] B. Damilano, N. Grandjean, C. Pernot, and J. Massier, “Monolithic white light emitting diodes based on InGaN/GaN multiple-quantum wells,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 40, no. 9A/B, pt. 2, pp. L918–L920, Sep. 2001.
[5] A. Kikuchi, M. Kawai, M. Tada, and K. Kishino, “InGaN/GaN multiple quantum disk nanocolumn light-emitting diodes grown on (111) Si substrate,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 12A, pp. L1524–L1526, Nov. 2004.
[6] M. Achermann, M. A. Petruska, S. Kos, D. L. Smith, D. D. Koleske, and V. I. Klimov, “Energy-transfer pumping of semiconductor nanocrystals using an epitaxial quantum well,” Nature, vol. 429, pp. 642–646, Jun. 2004.
[7] D. M. Yeh, C. F. Huang, H. S. Chen, T. Y. Tang, C. F. Lu, Y. C. Lu, J. J. Huang, C. C. Yang, I. S. Liu, and W. F. Su, “Control of the colorcontrastofapolychromaticlight-emittingdevicewithCdSe/ZnS Nano-crystals on an InGaN/GaN quantum-well structure,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 18, no. 5, pp. 712–714, Mar. 1, 2006.
[8] S. M. Ting, J. C. Ramer, D. I. Florescu, V. N. Merai, B. E. Albert, A. Parekh, D. S. Lee, D. V. Christini, L. Liu, and E. A. Armour, “Morphological evolution of InGaNÕGaN quantum-well heterostructures grownbymetalorganicchemicalvapordeposition,”J.Appl.Phys.,vol. 94, no. 3, pp. 1461–1467, Aug. 2003.
[9] W. J. Bartels, J. Hornstra, and D. J. W. Lobeek, “X-ray diffraction of multilayers and superlattices,” Acta Crystallogr., vol. 42, pt. 6, pp. 539–545, Nov. 1986, sec. A.
[10] Y. C. Cheng, C.

around 15 nm. At low injection levels, the green intensity is higher than the blue one. As the injection current increases, the blue peak becomes dominating. This trend is attributed to the short migration distance of holes in nitride compounds [3]. At the low injection levels, holes can migrate mainly down to the ﬁrst QW, which emits green light. Therefore, green emission dominates. As the injection current increases, holes can reach the two middle QWs, which emit blue light. The higher crystallinequalityofthesetwoQWsresultsinthestrongerELpeak. The bottom green-emitting QW does not seem to directly contribute much in either PL or EL. This QW was designed for absorbing the down-propagating blue light and then re-emitting green light. However, it is difﬁcult to calibrate its contribution. Although the comparisons are difﬁcult and dependent on the processconditions,fromthecurrent–voltagemeasurements,we observe that generally the turn-on voltage and the device resistanceofthetwo-wavelengthLEDliebetweenthecorresponding values of a purely blue and a purely green LED. Nevertheless, thislettermeanstopresentthenovelconceptofwhitelightgeneration. The details of the blue/green two-wavelength LED will be discussed elsewhere. We then spin-coated CdSe–ZnS nanocrystals on the fabricated two-wavelength LED. The diameter of the CdSe core is around 4 nm and the thickness of the ZnS shell is about 0.2 nm.
The weight concentration of the used nanocrystal toluene solution is 5 Wt/%. Fig. 4 shows the room-temperature PL and photoluminescenceexcitation(PLEdetectedat580nm)spectra of the nanocrystals. One can see the strong absorption in the shallowUV range.Also, thereis an absorptionshoulder around 460 nm in the PLE spectrum, which was utilized for blue absorption and red light generation. In the PL spectrum of the nanocrystals,amajorpeakaround615nmandasecondarypeak around580nmcanbeseen.Theroom-temperatureELspectraat variousinjection currents ofthe LED coatedwiththe nanocrystals are shown in Fig. 5. Here, one can see that the original blue peak is tremendously suppressed and a strong red peak around 615 nm appears. Only the ﬁrst quantum dot states were excited inourLEDoperation.Thesuppressionofbluelightisduetothe conversionofbluephotonsintoredlightthroughtheCdSe–ZnS nanocrystals. It can also be attributed to the stronger scattering, when compared with the green light, by the nanocrystals. In summary, we have grown and processed a blue/green two-wavelength LED basedon the mixture of two kinds of QW in epitaxial growth. The relative EL intensity of the two colors depended on the injection current level, which controlled the holeconcentrationdistributionamongtheQWs.Wethencoated CdSe–ZnS nanocrystals on the top of the two-wavelength LED for converting blue photons into red light. By coating such nanocrystals, the device emitted blue, green, and red lights for white light generation.
REFERENCES
 [1] I.Ozden,E.Makarona,A.V.Nurmikko,T.Takeuchi,andM. Krames, “A dual-wavelength indium gallium nitride quantum well light emittingdiode,”Appl.Phys.Lett.,vol.79,no.16,pp.2532–2534,Oct.2001. 
[2] M. Yamada, Y. Narukawa, and T. Mukai, “Phosphor free high-luminous-efﬁciencywhitelight-emittingdiodescomposedofInGaNmultiquantum well,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, no. 3A, pp. L246–L248, Mar. 2002. 
[3] Y. D. Qi, H. Liang, W. Tang, Z. D. Lu, and K. M. Lau, “Dual wavelength InGaN/GaN multi-quantum well LEDs grown by metalorganic vaporphaseepitaxy,”J.Cryst.Growth,vol.272,no.1–4,pp.333–340, 2004. 
[4] B. Damilano, N. Grandjean, C. Pernot, and J. Massier, “Monolithic white light emitting diodes based on InGaN/GaN multiple-quantum wells,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 40, no. 9A/B, pt. 2, pp. L918–L920, Sep. 2001. 
[5] A. Kikuchi, M. Kawai, M. Tada, and K. Kishino, “InGaN/GaN multiple quantum disk nanocolumn light-emitting diodes grown on (111) Si substrate,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 12A, pp. L1524–L1526, Nov. 2004. 
[6] M. Achermann, M. A. Petruska, S. Kos, D. L. Smith, D. D. Koleske, and V. I. Klimov, “Energy-transfer pumping of semiconductor nanocrystals using an epitaxial quantum well,” Nature, vol. 429, pp. 642–646, Jun. 2004. 
[7] D. M. Yeh, C. F. Huang, H. S. Chen, T. Y. Tang, C. F. Lu, Y. C. Lu, J. J. Huang, C. C. Yang, I. S. Liu, and W. F. Su, “Control of the colorcontrastofapolychromaticlight-emittingdevicewithCdSe/ZnS Nano-crystals on an InGaN/GaN quantum-well structure,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 18, no. 5, pp. 712–714, Mar. 1, 2006.
 [8] S. M. Ting, J. C. Ramer, D. I. Florescu, V. N. Merai, B. E. Albert, A. Parekh, D. S. Lee, D. V. Christini, L. Liu, and E. A. Armour, “Morphological evolution of InGaNÕGaN quantum-well heterostructures grownbymetalorganicchemicalvapordeposition,”J.Appl.Phys.,vol. 94, no. 3, pp. 1461–1467, Aug. 2003. 
[9] W. J. Bartels, J. Hornstra, and D. J. W. Lobeek, “X-ray diffraction of multilayers and superlattices,” Acta Crystallogr., vol. 42, pt. 6, pp. 539–545, Nov. 1986, sec. A. 
[10] Y. C. Cheng, C.

0/5000

จาก: -

เป็น: -

ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]

คัดลอก!

ประมาณ 15 nm ที่ฉีดต่ำระดับ ความเข้มสีเขียวมีมากกว่าหนึ่งสีฟ้า เป็นการฉีดปัจจุบันเพิ่มขึ้น สูงสีฟ้ากลายเป็นมีอำนาจเหนือ แนวโน้มนี้จะเกิดจากการโยกย้ายสั้นระยะห่างของหลุมในสารประกอบไนไตรน์ [3] ในระดับต่ำฉีด หลุมสามารถโยกย้ายส่วนใหญ่ลงไปเลย QW ซึ่งปล่อยแสงสีเขียว ดังนั้น เขียวปล่อยกุมอำนาจ เป็นการฉีดปัจจุบันเพิ่ม หลุมสามารถเข้าถึงสองกลาง QWs ที่เปล่งแสงสีฟ้า CrystallinequalityofthesetwoQWsresultsinthestrongerELpeak สูงขึ้น ด้านล่างเขียวเปล่ง QW ดูเหมือนจะไม่มีส่วนร่วมโดยตรงมากใน PL หรือ EL QW นี้ถูกออกแบบมาสำหรับดูดซับแสงสีน้ำเงินที่ทอดลง และเปล่งแสงสีเขียวอีกครั้ง อย่างไรก็ตาม ก็ difﬁcult การช่วยเหลือ แม้ว่าการเปรียบเทียบจะ difﬁcult และขึ้นกับ processconditions, fromthecurrent – voltagemeasurements เราสังเกตโดยทั่วไปที่เปิดแรงดันไฟฟ้าและอุปกรณ์ resistanceofthetwo wavelengthLEDliebetweenthecorresponding ค่าของสีแท้จากและ LED สีเขียวแท้จาก อย่างไรก็ตาม thislettermeanstopresentthenovelconceptofwhitelightgeneration รายละเอียดของสีฟ้า/เขียวสองความยาวคลื่น LED จะมีกล่าวถึงไว้ในที่อื่น เราแล้วหมุนเคลือบ nanocrystals CdSe – ZnS ในสองความยาวคลื่น LED ประดิษฐ์ เส้นผ่าศูนย์กลางของ CdSe core จะประมาณ 4 nm และความหนาของเปลือก ZnS เป็นเกี่ยวกับ 0.2 นาโนเมตรน้ำหนักความเข้มข้นของโทลูอีน nanocrystal ใช้เป็น 5 Wt/% รูป 4 แสดงอุณหภูมิห้อง PL และ photoluminescenceexcitation (PLEdetectedat580nm) มุมของการ nanocrystals หนึ่งสามารถดูการดูดซึมที่แข็งแกร่งในช่วง shallowUV ยัง thereis absorptionshoulder มีประมาณ 460 nm ในสเปกตรัม PLE ซึ่งใช้สำหรับการสร้างการดูดซึมและแสงสีแดงสีน้ำเงิน ในสเปกตรัมที่ PL nanocrystals, amajorpeakaround615nmandasecondarypeak around580nmcanbeseen กระแส variousinjection Theroom temperatureELspectraat ของ LED coatedwiththe nanocrystals จะแสดงในรูปที่ 5 ที่นี่ หนึ่งสามารถมองเห็นที่ยอดสีฟ้าเดิมจะถูกระงับอย่างมาก และสีแดงแรง peak ประมาณ 615 nm ปรากฏ เฉพาะแรกควอนตัมจุดรัฐได้ตื่นเต้น inourLEDoperation.Thesuppressionofbluelightisduetothe conversionofbluephotonsintoredlightthroughtheCdSe – ZnS nanocrystals มันสามารถยังถือโปรยแข็ง เมื่อเทียบกับแสงสีเขียว โดย nanocrystals ยังด้วย ในสรุป เรามีการเติบโต และดำเนิน basedon LED สองความยาวคลื่นของสีฟ้า/เขียวผสมสองชนิด QW epitaxial เจริญเติบโต ความเข้มเอลญาติของสองสีขึ้นอยู่กับระดับปัจจุบันฉีด ที่ควบคุม holeconcentrationdistributionamongtheQWs.Wethencoated nanocrystals CdSe – ZnS บน LED สองความยาวคลื่นสำหรับการแปลงสีน้ำเงินโฟตอนในแสงสีแดง โดยการเคลือบเช่น nanocrystals อุปกรณ์จากไฟสีน้ำเงิน สีเขียว และสีแดงสำหรับการสร้างแสงสีขาวอ้างอิง [1] I.Ozden,E.Makarona,A.V.Nurmikko,T.Takeuchi,andM Krames "คลื่นสองอินเดียมแกลเลียมไนไตรน์ควอนตัมแสงดี emittingdiode,"Appl.Phys.Lett.,vol.79,no.16,pp.2532–2534,Oct.2001 [2] ยามาดะ M. ประกันศูนย์ปีนารุคาวะ และ T. Mukai "ฟอสเฟอร์ฟรีสูงแสง-efﬁciencywhitelight-emittingdiodescomposedofInGaNmultiquantum ดี Jpn. J. ใช้กายภาพ ฉบับ 41 หมายเลข 3A, pp. L246 – L248, 2002 มี.ค. [3] ประกันศูนย์ปี D. ฉี H. Liang, W. Tang, Z. D. Lu และคุณ M. Lau "สองความยาวคลื่น InGaN/กัน ควอนตัมหลายดวงดีปลูก โดย metalorganic vaporphaseepitaxy,"J.Cryst.Growth,vol.272,no.1–4,pp.333–340, 2004 [4] B. Damilano, N. Grandjean, C. Pernot และ J. Massier "เสาหินขาวเปล่งแสงไดโอดตาม InGaN/กัน ควอนตัมหลายหลุม Jpn. J. ใช้กายภาพ ฉบับ 40 หมายเลข 9 ก/B พ. 2, pp. L918 – L920 ก.ย. 2001 อ.คะ [5] M. Kawai, M. Tada และคุณ Kishino "InGaN/กัน ควอนตัมหลายดิสก์–ไดโอดเปล่ง nanocolumn แสงที่ปลูกบนพื้นผิวศรี (111) Jpn. J. ใช้กายภาพ ฉบับ 43 หมายเลข 12A, pp. L1524 – L1526, 2004 พฤศจิกายน [6] M. Achermann, M. A. Petruska, S. คอส D. L. Smith, D. D. Koleske, V. I. Klimov, "พลังงานโอนปั๊ม nanocrystals สารกึ่งตัวนำโดยการควอนตัม epitaxial ดี, " ฉบับ 429, pp. 642-646, 2004 มิ.ย. ธรรมชาติ [7] D. M. Yeh, C. F. Huang, H. S. Chen, T. ประกันศูนย์ปีถัง C. F. Lu, Lu C. ประกันศูนย์ปี J. J. Huang, C. C. Yang, I. S. Liu และ W. F. Su "ควบคุมของ colorcontrastofapolychromaticlight-emittingdevicewithCdSe/ZnS Nano-ผลึกในโครงสร้างที่มีทั้งควอนตัม InGaN/กัน โฟตอน IEEE Technol. Lett. ฉบับ 18 หมายเลข 5, pp. 712-714, 1 มี.ค. 2006 [8] S. M. ทิง J. C. Ramer, D. I. Florescu, V. N. Merai, B. E. Albert, A. Parekh, D. S. Lee, D. V. Christini, L. หลิว และ E. A. เกราะ "สัณฐานวิวัฒนาการของ InGaNÕGaN heterostructures ควอนตัมดี grownbymetalorganicchemicalvapordeposition,"J.Appl.Phys.,vol. 94 เลข 3, pp.ค.ศ. 1461-1467, 2003 ส.ค. [9] ปูวินาที J. Bartels, J. Hornstra และ D. J. วัตต์ Lobeek "กระจายแสงเอ็กซเรย์ของ multilayers และ superlattices," Acta Crystallogr. ฉบับ 42 พ. 6, pp. 539-545, 1986 พฤศจิกายน a [10] ประกันศูนย์ปี C. Cheng, c

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]

คัดลอก!

ประมาณ 15 นาโนเมตร ในระดับที่ฉีดต่ำความเข้มของสีเขียวสูงกว่าสีฟ้า การฉีดเพิ่มขึ้นในปัจจุบันยอดเขาสีฟ้ากลายเป็นมีอำนาจเหนือ แนวโน้มนี้มีสาเหตุมาจากการย้ายถิ่นระยะทางสั้น ๆ ของหลุมในสารประกอบไนไตรด์ [3] ในระดับต่ำฉีดหลุมสามารถโยกย้ายส่วนใหญ่ลงไปที่ QW แรกซึ่งเปล่งแสงสีเขียว ดังนั้นครอบงำปล่อยก๊าซเรือนกระจกสีเขียว การฉีดเพิ่มขึ้นในปัจจุบันสามารถเข้าถึงหลุมสอง QWS กลางซึ่งเปล่งแสงสีฟ้า crystallinequalityofthesetwoQWsresultsinthestrongerELpeak สูง ด้านล่างสีเขียวเปล่ง QW ดูเหมือนจะไม่ได้มีส่วนร่วมโดยตรงมากในการอย่างใดอย่างหนึ่งหรือ PL EL QW นี้ถูกออกแบบมาสำหรับการดูดซับแสงสีฟ้าลงขยายพันธุ์และ re-เปล่งแสงสีเขียว แต่ก็เป็นสิ่งยากที่ในการสอบเทียบผลงานของตน แม้ว่ารถจะยากที่และขึ้นอยู่กับ processconditions ที่-fromthecurrent voltagemeasurements เราสังเกตที่มักจะเปิดเครื่องขึ้นแรงดันไฟฟ้าและอุปกรณ์ค่า-resistanceofthetwo wavelengthLEDliebetweenthecorresponding สีฟ้าอย่างหมดจดและไฟ LED สีเขียวอย่างหมดจด อย่างไรก็ตาม thislettermeanstopresentthenovelconceptofwhitelightgeneration ดูรายละเอียดของสีฟ้า / ไฟ LED สีเขียวสองความยาวคลื่นจะมีการหารือในที่อื่น ๆ จากนั้นเราจะหมุนเคลือบนาโนคริสตัล CdSe-ZnS บนประดิษฐ์สองความยาวคลื่น LED เส้นผ่าศูนย์กลางของแกน CdSe เป็นรอบ 4 นาโนเมตรและความหนาของ ZnS เปลือกเป็นประมาณ 0.2 นาโนเมตร.
ความเข้มข้นน้ำหนักของการแก้ปัญหา nanocrystal โทลูอีนที่ใช้คือ 5 น้ำหนัก /% มะเดื่อ. ที่ 4 แสดงอุณหภูมิห้อง PL และ photoluminescenceexcitation (PLEdetectedat580nm) สเปกตรัมของนาโนคริสตัล หนึ่งสามารถมองเห็นการดูดซึมที่แข็งแกร่งใน shallowUV range.Also, thereis absorptionshoulder รอบ 460 นาโนเมตรในสเปกตรัม PLE ซึ่งถูกนำมาใช้ในการดูดซึมสีฟ้าและรุ่นแสงสีแดง ในสเปกตรัมของ PL นาโนคริสตัลที่ amajorpeakaround615nmandasecondarypeak around580nmcanbeseen.Theroom-temperatureELspectraat กระแส variousinjection ofthe นาโนคริสตัล coatedwiththe LED จะแสดงในรูป 5. ที่นี่หนึ่งจะเห็นว่ายอดเขาสีฟ้าเดิมถูกระงับอย่างมากและยอดสีแดงที่แข็งแกร่งรอบ 615 นาโนเมตรปรากฏ เพียงแรกจุดควอนตัมรัฐมีความตื่นเต้นนาโนคริสตัล inourLEDoperation.Thesuppressionofbluelightisduetothe conversionofbluephotonsintoredlightthroughtheCdSe-ZnS นอกจากนี้ยังสามารถนำมาประกอบกับการกระเจิงแข็งแกร่งเมื่อเทียบกับไฟเขียวจากนาโนคริสตัล โดยสรุปเรามีการเจริญเติบโตและการประมวลผลสีฟ้า / เขียวสองความยาวคลื่น LED basedon ส่วนผสมของสองชนิดของ QW ในการเจริญเติบโต epitaxial ญาติเข้ม EL ของทั้งสองสีขึ้นอยู่กับการฉีดระดับในปัจจุบันซึ่งควบคุมนาโนคริสตัล holeconcentrationdistributionamongtheQWs.Wethencoated CdSe-ZnS ด้านบนของทั้งสองความยาวคลื่น LED สำหรับการแปลงโฟตอนสีฟ้าเป็นแสงสีแดง โดยการเคลือบนาโนคริสตัลเช่นอุปกรณ์ที่ปล่อยออกมาสีฟ้า, สีเขียว, สีแดงและไฟสำหรับการสร้างแสงสีขาว.
อ้างอิง
[1] I.Ozden, E.Makarona, AVNurmikko, T.Takeuchi, andM Krames "dual-ความยาวคลื่นอินเดียมแกลเลียมไนไตรด์ควอนตัมแสง emittingdiode ดี" Appl.Phys.Lett. vol.79, No.16, pp.2532-2534, Oct.2001.
[2] เอ็มยามาดะวาย Narukawa และ T. Mukai "Phosphor ฟรี Fi สูงส่องสว่าง-EF-ciencywhitelight emittingdiodescomposedofInGaNmultiquantum ดี" JPN เจ Appl สรวง. ฉบับ 41 ไม่มี 3A, PP. L246-L248 มีนาคม 2002
[3] YD ฉีเหลียงเอชดับบลิวถัง ZD Lu และ KM Lau "คู่ความยาวคลื่น InGaN / กานหลายควอนตัมไฟ LED ดีเติบโตขึ้นโดย vaporphaseepitaxy metalorganic" J.Cryst.Growth, vol.272, no.1-4, pp.333-340 2004
[4] บี Damilano เอ็น Grandjean ซี Pernot และเจ Massier "เสาหินแสงสีขาวไดโอดเปล่งแสง ขึ้นอยู่กับ InGaN / กานหลายหลุมควอนตัม "JPN เจ Appl สรวง. ฉบับ 40 ไม่มี 9A / B PT 2, PP. L918-L920, กันยายน 2001
[5] เอ Kikuchi, M. Kawai, M. ธาดาและเค Kishino "InGaN / กานหลายดิสก์ควอนตัม nanocolumn ไดโอดเปล่งแสงที่ปลูกใน (111) ศรี สารตั้งต้น "JPN เจ Appl สรวง. ฉบับ 43 ไม่มี 12A, PP. L1524-L1526 พฤศจิกายน 2004
[6] เอ็ม Achermann, MA Petruska เอสคอส DL สมิ ธ DD Koleske และ VI Klimov "พลังงานการถ่ายโอนสูบน้ำจากนาโนคริสตัลเซมิคอนดักเตอร์ใช้ควอนตัม epitaxial ดี "ธรรมชาติฉบับ 429, PP. 642-646 จุน. 2004.
ได้ [7] DM Yeh, CF Huang, HS เฉินไทถัง CF Lu, YC Lu, JJ Huang, CC ยางเป็นหลิวและ WF ซู "การควบคุมของ colorcontrastofapolychromaticlight-emittingdevicewithCdSe / ZnS นาโนคริสตัลบน / กานโครงสร้างควอนตัมดี InGaN "อีอีอีโฟตอน วิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี Lett. ฉบับ 18 ไม่มี 5, PP. 712-714, 1 มีนาคม 2006
[8] SM Ting, JC Ramer ดิ Florescu, VN Merai พ.ศ. อัลเบิร์เอ Parekh, DS ลี DV Christini ลิตรหลิวและ EA เกราะ "วิวัฒนาการของทางสัณฐานวิทยาInGaNÕGaNดีวอนตัม heterostructures grownbymetalorganicchemicalvapordeposition," J.Appl.Phys. ฉบับ 94 ไม่มี 3, PP. 1461-1467 สิงหาคม 2003
[9] WJ Bartels เจ Hornstra และ DJW Lobeek "X-ray เลนส์หลายชั้นและ superlattices" Acta Crystallogr. ฉบับ 42, PT 6, PP. 539-545, พ.ย. 1986 คณะกรรมการ ก.ล.ต. A.
[10] YC เฉิงซี

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]

คัดลอก!

การแปล กรุณารอสักครู่..

ภาษาอื่น ๆ

การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.