The application of a negative VGs,

The application of a negative VGs, however, sets up an electric field that repels the charge carriers (electrons) from a portion of the channel beneath the silicon dioxide layer, causing the formation of a non-uniform depletion region, as shown in Figure 7-36(b). The width of the depletion region is directly proportional to the amount of the negative VGs applied at the gate-source terminals. The negative voltage VGs that causes the total depletion of the channel and stops the flow of the drain current completely is called the gate-to-source cut-off voltage V The voltage VGs is equal to the pinch-off voltage GS(off) VP in absolute value. That is:



Since the gate in depletion MOSFET is insulated from the channel, the gate-to-source voltage VGs can also be positive, in which case more charge carriers are attracted to the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การประยุกต์ใช้ VGs เป็นลบ อย่างไรก็ตาม ตั้งค่าสนามไฟฟ้าที่ขับไล่ผู้ให้บริการค่าธรรมเนียม (อิเล็กตรอน) จากส่วนหนึ่งของสถานีอยู่ใต้ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ ก่อให้เกิดพื้นที่สูญเสียไม่สม่ำเสมอ ดังที่แสดงในรูป 7-36(b) ความกว้างของภูมิภาคสูญเสียเป็นสัดส่วนโดยตรงกับจำนวน VGs เป็นลบที่ใช้เทอร์มินัลต้นทางประตู VGs แรงดันไฟฟ้าลบที่ทำให้เกิดการสูญเสียทั้งหมดของช่องสัญญาณและหยุดการไหลของกระแสไฟฟ้าท่อระบายน้ำอย่างสมบูรณ์เรียกว่าประตูแหล่งตัดแรงดันไฟฟ้า V คือแรงดัน VGs เท่ากับหยิกปิดแรงดัน GS(off) VP ในค่าสัมบูรณ์ นั่นก็คือ: ตั้งแต่ประตูในสูญเสีย MOSFET เป็นฉนวนจากช่อง ประตูแหล่งแรงดัน VGs ยังสามารถบวก ในกรณีเพิ่มเติมค่าธรรมเนียม สายการบินที่มีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประยุกต์ใช้เชิงลบ VGS แต่ตั้งค่าสนามไฟฟ้าที่ขับไล่ผู้ให้บริการค่าใช้จ่าย (อิเล็กตรอน) จากส่วนหนึ่งของช่องอยู่ใต้ชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ทำให้เกิดการก่อตัวของนอกเครื่องแบบภูมิภาคพร่องดังแสดงในรูปที่ 7 -36 (ข) ความกว้างของเขตการสูญเสียเป็นสัดส่วนโดยตรงกับปริมาณของ VGS เชิงลบที่ใช้ที่อาคารประตูแหล่งที่มา แรงดันไฟฟ้าในเชิงลบ VGS ที่เป็นสาเหตุของการสูญเสียรวมของช่องทางและหยุดการไหลของกระแสท่อระบายน้ำได้อย่างสมบูรณ์ที่เรียกว่าประตูไปแหล่งที่มาตัดแรงดัน V แรงดันไฟฟ้า VGS เท่ากับหยิกปิดแรงดันไฟฟ้า GS (ปิด) รองประธานฝ่าย ในค่าสัมบูรณ์ นั่นคือ:



ตั้งแต่ประตูพร่อง MOSFET เป็นฉนวนจากช่องประตูต่อแหล่งจ่ายแรงดัน VGS ยังสามารถเป็นบวกซึ่งในกรณีนี้ผู้ให้บริการมากขึ้นค่าใช้จ่ายจะถูกดึงดูดไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โปรแกรมลบแบบวีจีเ แต่ตั้งสนามไฟฟ้าที่ขับไล่ประจุพาหะ ( อิเล็กตรอน ) จากส่วนของช่องใต้ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ ทำให้เกิดการก่อตัวของความไม่สม่ำเสมอของภูมิภาคดังแสดงในรูปที่ 7-36 ( B ) ความกว้างของการเขตจะเป็นสัดส่วนโดยตรงกับปริมาณของวีจีเใช้ในแหล่งลบประตูอาคาร ลบที่เป็นสาเหตุของการสูญเสียแรงดันวีจีเรวมช่องทางและหยุดการไหลของน้ำในปัจจุบันอย่างสมบูรณ์เรียกว่าประตูแหล่งตัดแรงดันไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าวีจีเเท่ากับหยิกออกแรงดัน GS ( ปิด ) VP ในค่าสัมบูรณ์ นั่นคือ :ตั้งแต่ประตูของมอสเฟตเป็นฉนวน จากช่องประตู แหล่งจ่ายแรงดันวีจีเยังเป็นบวก ซึ่งในกรณีที่ผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายมากขึ้นจะดึงดูดไป