which suggest complex formation bet

which suggest complex formation between 1 and Ni2+ ion. In addition, the new absorption band centered at 540 nm appeared with increasing intensity with increasing Ni2+ ion concentration. Indeed, sensor 1 displayed a remarkable enhancement in absorption ratios (A541/A341) from 0 to 15.3 upon one equiv of Ni2+ ion treatment. As shown in the inset of Fig. 2a, the absorption bands at 341 nm and 540 nm decreased and increased linearly up to 1 equiv of Ni2+ ion, respectively, indicating the formation of a 1:1 complex

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งแนะนำผู้แต่งซับซ้อนระหว่าง 1 และไอออน Ni2 นอกจากนี้ วงดูดซึมใหม่แปลกที่ 540 nm ปรากฏ ด้วยเพิ่มความเข้มด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของไอออน Ni2 แน่นอน เซ็นเซอร์ 1 แสดงประสิทธิภาพที่โดดเด่นในการดูดซึมอัตรา (A541 A341) จาก 0 ถึง 15.3 ตามชนิดหนึ่งของการรักษาไอออน Ni2 ตามที่แสดงในใบแทรกของ Fig. 2a วงดูดซึมที่ 341 nm และ 540 nm ลดลง และเพิ่มขึ้น 1 ถึงเชิงเส้นชนิดของไอออน Ni2 ตามลำดับ แสดงการก่อตัวของคอมเพล็กซ์ 1:1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งแสดงให้เห็นการพัฒนาที่ซับซ้อนระหว่าง 1 และ Ni2 + ไอออน นอกจากนี้วงดนตรีการดูดซึมใหม่ศูนย์กลางที่ 540 นาโนเมตรปรากฏมีความรุนแรงเพิ่มขึ้นกับการเพิ่ม Ni2 + ไอออนเข้มข้น แท้จริงเซ็นเซอร์ที่ 1 แสดงการเพิ่มประสิทธิภาพที่โดดเด่นในอัตราส่วนการดูดซึม (A541/A341) 0-15.3 เมื่อหนึ่งเทียบเท่าของการรักษา Ni2 + ไอออน ดังแสดงในรูปของสิ่งที่ใส่เข้าไป 2a, แถบการดูดกลืนที่ 341 นาโนเมตรและ 540 นาโนเมตรลดลงและเพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรงถึง 1 equiv ของ Ni2 + ไอออนตามลำดับแสดงให้เห็นการก่อตัวของ 1:1 ซับซ้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งแนะนำเชิงซ้อนระหว่าง 1 และ ni2 ไอออน นอกจากนี้ แถบการดูดซึมใหม่เป็นศูนย์กลาง 540 nm ปรากฏด้วยการเพิ่มความเข้มด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของไอออน ni2 . แน่นอน , เซ็นเซอร์ 1 แสดงการปรับปรุงที่โดดเด่นในอัตราส่วนการดูดซึม ( a541 / a341 ) ตั้งแต่ 0 ถึง 15.3 เมื่อหนึ่ง equiv รักษาไอออน ni2 . ดังแสดงในรูปที่ 2A ใส่ของ ,การดูดซึมวงดนตรีที่ 341 nm และ 540 nm ลดและเพิ่มน้ำหนักถึง 1 equiv ของ ni2 ไอออนตามลำดับ แสดงให้เห็นว่าการเกิดเป็นสารประกอบเชิงซ้อน