In general, not only the inherent b

In general, not only the inherent brittleness, but also low thermal resistance are limitations in PLA applications. In the current study, PLA was chemically bonded in situ with highly crystalline PBS chains through SA condensa- tion, to enhance the thermal dimensional stability of PLA. The percentage of thermal shrinkage was simply determined by changing the film dimensions along MD and TD after annealing at high temperatures, as shown in Table 2.The PLA film shrank slightly (around 5%) in both MD and TD after annealing at 60C for 60 min. This sug- gested that some free amorphous PLA chains deformed and were rearranged into higher-order structures near Tg. The shrinkage of the PLA film was extreme with $10% in MD and $20% in TD when annealed at 100C (Tcc)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยทั่วไป ไม่เพียงแต่ความเปราะบางโดยธรรมชาติเท่านั้น แต่ยังมีความต้านทานความร้อนต่ำอีกด้วย ถือเป็นข้อจำกัดในการใช้งาน PLA ในการศึกษาปัจจุบัน PLA ได้รับพันธะเคมีในแหล่งกำเนิดด้วยโซ่ PBS ที่มีผลึกสูงผ่านการควบแน่น SA เพื่อเพิ่มเสถียรภาพมิติทางความร้อนของ PLA เปอร์เซ็นต์ของการหดตัวจากความร้อนถูกกำหนดโดยการเปลี่ยนขนาดฟิล์มตาม MD และ TD หลังจากการหลอมที่อุณหภูมิสูง ดังแสดงในตารางที่ 2 ฟิล์ม PLA หดตัวเล็กน้อย (ประมาณ 5%) ทั้งใน MD และ TD หลังจากการหลอมที่ 60 C สำหรับ 60 นาที สิ่งนี้ชี้ให้เห็นว่าโซ่ PLA ที่ไม่มีรูปร่างอิสระบางเส้นเปลี่ยนรูปและถูกจัดเรียงใหม่ให้เป็นโครงสร้างที่มีลำดับสูงกว่าใกล้กับ Tg การหดตัวของฟิล์ม PLA สูงมากโดยมีค่า MD 10% และ TD 20% เมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 100 C (Tcc)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยทั่วไปไม่เพียง แต่ความเปราะบางโดยธรรมชาติ แต่ความต้านทานความร้อนต่ำเป็นข้อ จำกัด ของการใช้งาน PLA ในการวิจัยปัจจุบัน PLA ถูกผูกมัดทางเคมีด้วยโซ่ PBS ที่ตกผลึกสูงผ่านการควบแน่นของ SA เพื่อปรับปรุงเสถียรภาพมิติความร้อนของ PLA ดังที่แสดงในตารางที่ 2 เปอร์เซ็นต์ของการหดตัวของความร้อนจะถูกกำหนดโดยการเปลี่ยนขนาดฟิล์มตาม MD และ TD หลังจากการอบอ่อนที่อุณหภูมิสูง
ฟิล์ม PLA หดตัวเล็กน้อย (ประมาณ 5%) ทั้งใน MD และ TD หลังจากผ่านการอบอ่อนที่ 60 ℃ เป็นเวลา 60 นาที นี่แสดงให้เห็นว่าห่วงโซ่ PLA แบบอสัณฐานฟรีบางส่วนเปลี่ยนรูปและจัดเรียงใหม่เป็นโครงสร้างที่มีคำสั่งสูงใกล้กับ Tg อัตราการหดตัวของฟิล์ม PLA สูงสุดคือ 10% สำหรับ MD และ 20% สำหรับ TD เมื่ออบอ่อนที่ 100 ℃ (Tcc)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไปไม่เพียงแต่ความเปราะบางโดยธรรมชาติแต่ความต้านทานความร้อนต่ํายังจํากัดการใช้PLA ในการศึกษาก่อนหน้านี้PLAถูกผูกมัดด้วยสารเคมีในแหล่งกําเนิดด้วยโซ่PBSที่มีผลึกสูงโดยการควบแน่นของSAเพื่อเพิ่มเสถียรภาพทางความร้อนของPLA ดังแสดงในตารางที่2เปอร์เซ็นต์ของการหดตัวด้วยความร้อนสามารถกําหนดได้โดยการเปลี่ยนขนาดของเมมเบรนตามMDและTDหลังจากการอบอุณหภูมิสูง
60นาทีหลังจากการอบ60องศาเซลเซียสฟิล์มPLAหดตัวเล็กน้อย(ประมาณ5 % )ในทั้งMDและTD นี่แสดงให้เห็นว่าบางส่วนของห่วงโซ่PLAอิสระมีการเปลี่ยนรูปและจัดเรียงใหม่ในโครงสร้างขั้นสูงใกล้Tg เมื่อหลอมที่100 c ( Tcc )การหดตัวของฟิล์มPLAจะรุนแรงด้วยการหดตัวตามแนวยาว10 %และการหดตัวด้านข้าง20 %