VF and tF differently influence the

VF and tF differently influence the Nd values, showing that the defects formed in the TiO2during its growing
might be of different nature. When VF increases, it causes an increment in the diffusion coefficient for the F
ions
inside the compact layer formed in the metal/oxide interface,
9
so a greater insertion of these ions is expected when
the TiO2nanotube films are grown at continuously higher VF. Modifying TiO2 by doping with F
ions induce
energetic states inside the gap, provoking a displacement of the Efb towards the conduction band of the TiO2,
increasing the Nd.
10,11
However, even when the same trend in Efb
is observed, the estimated Nddecreased as tFgot
increasingly higher, evidencing a further modification of the film probably related to the insertion of other species
present in the electrolyte, which is compensating the charge, inducing energeticstates in the gap over the valence

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

VF และ tF ที่แตกต่างกันมีผลต่อค่า ND, แสดงให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นใน TiO2during การเจริญเติบโต
อาจจะมีลักษณะที่แตกต่าง เมื่อ VF เพิ่มขึ้นจะทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นในค่าสัมประสิทธิ์การแพร่สำหรับ F
ไอออน
ภายในชั้นขนาดกะทัดรัดที่เกิดขึ้นในส่วนติดต่อโลหะ / ออกไซด์
9
เพื่อแทรกมากขึ้นของไอออนเหล่านี้คาดว่าเมื่อ
ภาพยนตร์ TiO2nanotube มีการเจริญเติบโตอย่างต่อเนื่องใน VF ที่สูงขึ้น การปรับเปลี่ยน TiO2 โดยยาสลบกับ F
ไอออนทำให้เกิด
รัฐมีพลังที่อยู่ภายในช่องว่างกระตุ้นการเคลื่อนที่ของ EFB ต่อการนำวงดนตรีของ TiO2 ที่
เพิ่ม Nd.
10,11
อย่างไรก็ตามแม้ในขณะที่แนวโน้มเดียวกันใน EFB
สังเกตประมาณ Nddecreased เป็น tFgot
มากขึ้นสูงกว่าหลักฐานการแก้ไขต่อไปของภาพยนตร์เรื่องนี้อาจจะเกี่ยวข้องกับการแทรกของสายพันธุ์อื่น ๆ
ที่มีอยู่ในอิเล็กโทรไลซึ่งเป็นชดเชยค่าใช้จ่ายการกระตุ้นให้เกิด energeticstates ในช่องว่างมากกว่าความจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

VF และแตกต่างกันมีผลต่อค่า TF ครั้งแสดงให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นใน tio2during การเติบโตของอาจเป็นจากธรรมชาติที่แตกต่างกัน เมื่อเปิดเครื่อง เพิ่มขึ้น จะทำให้การเพิ่มสัมประสิทธิ์การแพร่ Fไอออนภายในกระชับขึ้นในชั้นโลหะออกไซด์ / ติดต่อ9ดังนั้น การมากขึ้นของไอออนนี้คาดว่าเมื่อการ tio2nanotube ภาพยนตร์โตที่อย่างต่อเนื่องสูงกว่า VF แก้ไขโดยการเติม F )ไอออนจูงสหรัฐอเมริกามีพลังภายในช่องว่างก่อ การเคลื่อนที่ของแก๊สต่อนำวงดนตรีของ TiO2 ,เพิ่มครั้งที่ .10,11อย่างไรก็ตาม แม้ว่าแนวโน้มเดียวกันในแก๊สเป็นที่สังเกต nddecreased เป็น tfgot โดยประมาณยิ่งขึ้นสูง evidencing เพิ่มเติมเปลี่ยนแปลงของภาพยนตร์อาจเกี่ยวข้องกับการแทรกของสายพันธุ์อื่น ๆปัจจุบันในอิเล็กโทรไลต์ ซึ่งการชดเชยค่าใช้จ่ายโดย energeticstates ในช่องว่างเหนือวาเลนซ์