For the Si(001) wafer without metal

For the
Si(001) wafer without metal layer, a 20-nm-thick
(100)-oriented β-FeSi2 template was prepared at 743K by the
reactive deposition epitaxy (RDE) method. The details of the RDE method were already described in a previous paper [4].

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับ
ศรี ( 001 ) เวเฟอร์ โดยไม่มีชั้นโลหะ 20 nm หนา
( 100 ) - oriented บีตา - fesi2 แม่แบบถูกเตรียมโดยปฏิกิริยาการสร้าง 743k
( RDE ) วิธี รายละเอียดของเรด วิธีอธิบายไว้แล้วในหน้ากระดาษ [ 4 ]