Propertiess-electron delocalisation

Properties
s-electron delocalisation is present in polysilanes that contrasts organic polymers
(e.g. polyacetylene) that have p-electron delocalisation.
Physcial properties arising from delocalisation including strong electronic
absorption, conductivity, photoconductivity and photosensitivity.
s-electron delocalisation occurs primarily because of the good overlap of Si-Si
bonds and lower electronegativity of Si relative to carbon.
The electronic description of many atom materials can be described using band
theory. You will study band theory in year 3, however briefly:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติdelocalisation s อิเล็กตรอนอยู่ใน polysilanes ที่ตัดโพลิเมอร์อินทรีย์(เช่น polyacetylene) ที่มี delocalisation p อิเล็กตรอนคุณสมบัติ Physcial เกิดจาก delocalisation ที่แข็งแกร่งรวมถึงอิเล็กทรอนิกส์ดูดซึม นำ photoconductivity ก photosensitivitydelocalisation s อิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นเนื่องจากการทับซ้อนของซีซีดีเป็นหลักพันธบัตรและ electronegativity ต่ำของศรีสัมพันธ์กับคาร์บอนสามารถอธิบายคำหลายอะตอมวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ใช้วงทฤษฎีการ คุณจะเรียนทฤษฎีดนตรีปี 3 ไรสั้น ๆ:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติของอิเล็กตรอน delocalisation อยู่ใน polysilanes ที่แตกต่างโพลิเมอร์อินทรีย์ (เช่น polyacetylene) ที่มี delocalisation พีอิเล็กตรอน. คุณสมบัติ physcial ที่เกิดขึ้นจาก delocalisation รวมถึงอิเล็กทรอนิกส์ที่แข็งแกร่งการดูดซึมการนำphotoconductivity และแสง. s อิเล็กตรอน delocalisation เกิดขึ้นส่วนใหญ่เป็นเพราะของดี การทับซ้อนของศรีศรีพันธบัตรและอิเล็กล่างของศรีเทียบกับคาร์บอน. คำอธิบายอิเล็กทรอนิกส์ของวัสดุอะตอมจำนวนมากสามารถอธิบายโดยใช้วงทฤษฎี คุณจะได้เรียนทฤษฎีวงในปีที่ 3 แต่ในเวลาสั้น ๆ :

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติ
s-electron delocalisation มีอยู่ใน polysilanes ที่แตกต่าง
พอลิเมอร์อินทรีย์ ( เช่นลีน ) ที่ได้ p-electron delocalisation .
physcial คุณสมบัติที่เกิดจาก delocalisation รวมทั้งแข็งแรงอิเล็กทรอนิกส์
การดูดซึม และการนํา photoconductivity photosensitivity .
s-electron delocalisation เกิดขึ้นเป็นหลักเนื่องจากการทับซ้อนของศรีศรี
พันธบัตรและลดอิเล็กโทรเนกาติวิตีชีเทียบกับคาร์บอน
รายละเอียดวัสดุอิเล็กทรอนิกส์อะตอมหลายสามารถอธิบายได้โดยใช้ทฤษฎีวง

คุณจะเรียนทฤษฎีใน ปี 3 วง แต่สั้น ๆ :