Figure 4. Schematic diagrams of the

Figure 4. Schematic diagrams of the process sequence for the fabrication of the hybrid mask
mold. (a) Cr alignment marks pattern over Al thin layer on quartz substrate, (b) PMMA and
co-polymer pattern by e-beam lithography, (c) Cr dot array by lift-off, (d) Al dry etch,
(e) quartz dry etch, (f) Cr and Al wet etch, and (g) micron size Cr pattern by lift-off.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 4 แผนผังวงจรไดอะแกรมลำดับกระบวนการผลิตของรูปแบบการผสม
แม่พิมพ์ (ก) Cr ตำแหน่งเครื่องหมายรูปผ่านอัลชั้นบาง ๆ บนพื้นผิวควอตซ์ PMMA (b) และ
รูปโคพอลิเมอร์อีบีมภาพพิมพ์หิน, (c) Cr กัดแถวจุด โดย lift-off, (d) กัดอัล etch,
(e) แห้งควอตซ์แห้ง เปียก Cr และอัล (f) และ (g) ไมครอนขนาด Cr ลาย โดย lift-off

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 4 แผนภาพแผนผังของลำดับขั้นตอนสำหรับการผลิตของหน้ากากไฮบริด
แบบ (ก) การจัดตำแหน่ง Cr เครื่องหมายรูปแบบอัชั้นบาง ๆ บนพื้นผิวผลึก (ข) PMMA และ
ร่วมพอลิเมอรูปแบบ e-คานพิมพ์หิน (ค) Cr จุดอาร์เรย์โดยยกออก (ง) อัลกัดแห้ง
(จ ) ผลึกจำหลักแห้ง (ฉ) Cr และอัลกัดเปียกและ (ช) ขนาดไมครอน Cr รูปแบบโดยลิฟท์ออก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แผนผังแผนภาพของกระบวนการลำดับสำหรับการขึ้นรูปแม่พิมพ์หน้ากาก
ลูกผสม ( ก ) ตำแหน่งเครื่องหมายรูปแบบมากกว่าอัล CR ชั้นบางบนพื้นผิว quartz ( ข ) PMMA พอลิเมอร์ Co โดยรูปแบบและ
e-beam สาแหรก ( C ) CR จุดเรย์โดยยกออก ( D ) เพื่อให้บริการแกะสลัก
( E ) , ควอตซ์บริการแกะสลัก ( f ) CR และอัลเปียกแกะสลัก และกรัม ) ไมครอนขนาด CR แบบยกออก