Mixed crystals including Ga, As, an

Mixed crystals including Ga, As, and P (GaPxAs1-x) are interesting since the emission wavelength can be shorter than for GaAs, reaching the visible range while the bandgap is direct for x below 0.45. N. Holonyak Jr. and co-workers at the General Electric laboratory in the USA, began to work with GaPxAs1-x in the late 1950s, and succeeded in making p-n junctions and observing LED emission. Laser diode emission at 710 nm (red) was reported in 1962 [15].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลึกผสมรวม Ga เป็น และ P (GaPxAs1-x) น่าสนใจเนื่องจากความยาวคลื่นปล่อยก๊าซสามารถสั้นกว่าสำหรับ GaAs ถึงระยะที่มองเห็นขณะ bandgap โดยตรงสำหรับ x ต่ำกว่า 0.45 N. Holonyak จูเนียร์และเพื่อนร่วมงานที่ห้องปฏิบัติการไฟฟ้าทั่วไปในสหรัฐอเมริกา เริ่มทำงานกับ GaPxAs1 x ในช่วงปลายทศวรรษ 1950 และประสบความสำเร็จในการทำ p-n junctions และสังเกต LED ปล่อยก๊าซ เลเซอร์ไดโอดมลพิษที่ 710 nm (สีแดง) ได้รายงานในปี 1962 [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลึกผสมรวมทั้ง Ga, As, และ P (GaPxAs1-x) เป็นที่น่าสนใจตั้งแต่ความยาวคลื่นปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่สามารถจะสั้นกว่าสำหรับ GaAs ถึงช่วงที่มองเห็นได้ในขณะที่ bandgap โดยตรงสำหรับ x 0.45 ด้านล่าง N. Holonyak จูเนียร์และเพื่อนร่วมงานที่ห้องปฏิบัติการไฟฟ้าทั่วไปในสหรัฐอเมริกาเริ่มทำงานกับ GaPxAs1-x ในปลายปี 1950 และประสบความสำเร็จในการทำทางแยก PN และการสังเกตการปล่อย LED เลเซอร์ไดโอดปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่ 710 นาโนเมตร (สีแดง) มีรายงานว่าในปี 1962 [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผสมผลึกรวมทั้งกา , เป็น , และ P ( gapxas1-x ) น่าสนใจ ตั้งแต่การปล่อยความยาวคลื่นจะสั้นกว่าสำหรับนี้ ถึงช่วงที่มองเห็น ในขณะที่ bandgap คือตรงด้านล่าง 0.45 X . โดย Holonyak Jr . และเพื่อนร่วมงานที่ห้องปฏิบัติการไฟฟ้าทั่วไปในสหรัฐอเมริกา เริ่มทำงานกับ gapxas1-x ในปลายปี 1950 และประสบความสำเร็จในการแยก p-n และสังเกตที่นำออกมาเลเซอร์ไดโอดเปล่งที่ 710 nm ( สีแดง ) มีรายงานในปี ค.ศ. 1962 [ 15 ]