In DMS materials,Tm-doped II–VI and

In DMS materials,Tm-doped II–VI and III–V compound semiconductors have been extensively studied for high-speed electronic and optoelectronic devices, where Tm is the 3d transition metal such as Fe,Co,Ni and Mn, etc.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัสดุ DMS, Tm doped II – VI และ III – V ผสมอิเล็กทรอนิกส์ได้อย่างกว้างขวางศึกษาความเร็วสูง optoelectronic อิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ Tm 3d เปลี่ยนโลหะเช่น Fe, Co, Ni และ Mn ฯลฯ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในวัสดุ DMS, Tm เจือ II-VI และ III-V เซมิคอนดักเตอร์สารประกอบได้รับการศึกษาอย่างกว้างขวางสำหรับความเร็วสูงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และ optoelectronic ที่ Tm เป็นโลหะทรานซิ 3d เช่นเฟ, Co, Ni และแมงกานีสเป็นต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุในระบบ TM เจือ 2 – 6 และ 3 – 5 ผสมสารกึ่งตัวนำได้รับอย่างกว้างขวางเพื่อความเร็วสูงอิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ optoelectronic ที่ TM เป็น 3D เปลี่ยนโลหะเช่น Fe , Co , Ni และแมงกานีส ฯลฯ