The concept of a SZD evolved over t

The concept of a SZD evolved over the years as deposition technology expanded
from evaporation to sputtering and ion beam assisted deposition. In recent years, plasma-based deposition technologies are increasingly applied, such as high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS), and therefore once again the need appeared to modify existing SZDs by including plasma-related deposition parameters. In this contribution, existing SZDs are briefly surveyed before an extended SZD is proposed. It covers the use of high energy ions as they are obtained, for example, by biasing the substrate to high negative potential, and consequently ion etching is considered, too.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขยายแนวคิดของ SZD ที่พัฒนาเป็นเทคโนโลยีสะสมปี
จากระเหยเพื่อสะสมแสงช่วยพ่นและไอออน ในปีที่ผ่านมา เทคโนโลยีพลาสมาตามสะสมมากขึ้น ใช้ เช่น magnetron กระแสพลังงานสูงพ่น (HIPIMS), และดังนั้น อีกครั้งต้องปรากฏการ ปรับเปลี่ยน SZDs ที่มีอยู่ โดยรวมพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องกับพลาสม่าสะสม ในส่วนนี้ SZDs ที่มีอยู่จะสั้น ๆ สำรวจก่อนเสนอ SZD การขยาย มันครอบคลุมการใช้ประจุพลังงานสูงอยู่ ได้ เช่น โดย biasing พื้นผิวเพื่อศักยภาพลบสูง และดังนั้น ไอออนกัด ถือ เกินไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แนวคิดของ SZD- สนามพัฒนาอยู่ตลอดเวลาเป็นเทคโนโลยีการสะสมขยายตัว
จากการระเหยการสปัตเตอร์ไอออนและคานช่วยให้การของพยาน ในปีที่ผ่านมาเทคโนโลยีการสะสมพลาสม่าที่ใช้ถูกนำมาใช้มากขึ้นเช่นพลังงานที่สูงอิมพัลแมกสปัตเตอร์ (HIPIMS) และดังนั้นจึงเป็นอีกครั้งหนึ่งที่ต้องปรากฏในการปรับเปลี่ยน SZDs มีอยู่โดยรวมทั้งพลาสม่าที่เกี่ยวข้องกับพารามิเตอร์การสะสม ในการสนับสนุนนี้ SZDs ที่มีอยู่จะสำรวจในเวลาสั้น ๆ ก่อนที่จะขยาย SZD- สนามบินจะเสนอ มันครอบคลุมการใช้งานของไอออนพลังงานสูงที่พวกเขาจะได้รับตัวอย่างเช่นโดย biasing สารตั้งต้นในการที่มีศักยภาพเชิงลบสูงและทำให้ไอออนแกะสลักถือว่าเกินไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แนวคิดของ szd พัฒนาในช่วงหลายปีที่ผ่านมาเป็นเทคโนโลยีการขยาย
จากระเหยและสปัตเตอร์ลำแสงไอออนช่วยให้การ ใน ปี ล่าสุด จากการประยุกต์พลาสมาเทคโนโลยีมากขึ้น เช่น แมกนีตรอนสปัตเตอริง ( hipims แรงกระตุ้นไฟฟ้าสูง ) ดังนั้นอีกครั้งต้องปรากฏการปรับเปลี่ยน szds ที่มีอยู่ โดยรวมที่เกี่ยวข้องกับพลาสมาของพารามิเตอร์ในส่วนนี้ szds ที่มีอยู่จะสั้น ๆสำรวจ ก่อนขยาย szd เสนอ . มันครอบคลุมการใช้ไอออนพลังงานสูงเช่นที่พวกเขาจะได้รับ เช่น การขยายพื้นผิวที่มีศักยภาพสูงและไอออนลบ ดังนั้นการพิจารณาด้วย