1. IntroductionOne important advant

1. Introduction
One important advantage of ZnO is that it is a II–VI
semiconductor of wurtzite structure with a wide
direct-bandgap of 3.3 eV [1] at room temperature. The
most unique property of ZnO is its large exciton
binding energy, 60 meV, which is about three times
larger than that of ZnSe and of GaN [2]. Because of
this large binding energy, the exciton is stable at room

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. บทนำหนึ่งประโยชน์ของ ZnO ว่า เป็น II – VIสารกึ่งตัวนำโครงสร้าง wurtzite ด้วยตรง-bandgap ของ eV 3.3 [1] ที่อุณหภูมิห้อง ที่ส่วนใหญ่คุณสมบัติเฉพาะของ ZnO เป็น exciton ของใหญ่พลังงานยึดเหนี่ยว 60 meV ซึ่งเป็นสามครั้งมีขนาดใหญ่กว่าที่ ZnSe และกัน [2] เนื่องจากพลังงานยึดเหนี่ยวนี้ใหญ่ exciton มีเสถียรภาพที่ห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
ข้อดีอย่างหนึ่งที่สำคัญของซิงค์ออกไซด์คือว่ามันเป็นครั้งที่สอง-VI
เซมิคอนดักเตอร์ของโครงสร้าง wurtzite กับกว้าง
ตรง bandgap 3.3 eV [1] ที่อุณหภูมิห้อง
สถานที่ให้บริการที่ไม่ซ้ำกันมากที่สุดของซิงค์ออกไซด์เป็น exciton ขนาดใหญ่
ปกพลังงาน 60 meV ซึ่งเป็นเรื่องเกี่ยวกับสามครั้ง
ขนาดใหญ่กว่าของ ZnSe และกาน [2] เพราะ
พลังงานที่มีผลผูกพันที่มีขนาดใหญ่นี้ exciton มีเสถียรภาพที่ห้องพัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . บทนำ
สำคัญประโยชน์ของซิงค์ออกไซด์คือว่ามันเป็น 2 – 6
สารกึ่งตัวนำโครงสร้าง wurtzite กับ bandgap ตรงกว้าง
3.3 EV [ 1 ] ที่อุณหภูมิห้อง
ไม่ซ้ำกันมากที่สุดคือคุณสมบัติของซิงค์ออกไซด์ขนาดใหญ่ exciton
พลังงานยึดเหนี่ยว 60 MeV ซึ่งเป็นเรื่องเกี่ยวกับสามครั้ง
มีขนาดใหญ่กว่าของติและกัน [ 2 ] เพราะ
พลังงานผูกพันนี้ขนาดใหญ่ exciton มั่นคงที่ห้อง