THEORYThe PN junction diode is a de

THEORY
The PN junction diode is a device formed from a junction of n-type and p-type
semiconductor material. The lead connected to the p-type material is called the anode
(A) and the lead connected to the n-type material is the cathode (K). In general, the
cathode of a diode is marked by a solid line on the diode, as shown in Figure 1.
A K
Figure 1. Diodes circuit symbol
The equation for the voltage and current relation is known as Shockley equation.
( 1)
D
t
V
nV
D s I I e  
(1)
where the emission coefficient n varies between 1 - 2 depending on the level of
recombination effect and IS is the diode reverse saturation current. And Vt = kT/q is the
thermal voltage (approximately 25.8 mV at 300K).
The primary function of the diode is the rectification. When it is forward biased
(higher potential at the anode lead), it will pass current. When it is reverse biased
(higher potential at the cathode lead), the current is blocked. The typical characteristic
curves of an ideal diode and a real diode are illustrated in Figure 2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทฤษฎีไดโอดเชื่อมต่อ PN เป็นอุปกรณ์ที่เกิดจากการแยกชนิด n และชนิด pวัสดุสารกึ่งตัวนำ รอเชื่อมต่อกับวัสดุชนิด p เรียกว่าขั้วบวก(A) และรอการเชื่อมต่อกับวัสดุประเภท n เป็นแคโทด (K) ทั่วไป การแคโทดของไดโอดถูกทำเครื่องหมาย ด้วยเส้นทึบบนไดโอด ดังที่แสดงในรูปที่ 1Kรูปที่ 1 สัญลักษณ์วงจรไดโอดสมการแรงดันไฟฟ้าและความสัมพันธ์ที่ปัจจุบันเรียกว่าสมการแบรดฟอร์ดชอกลีย์(1)DtVnVD s ฉันฉัน e เวอ(1)ที่ปล่อยสัมประสิทธิ์ n แตกต่างกันระหว่าง 1-2 ขึ้นอยู่กับระดับของผล recombination และจะมีไดโอดกลับอิ่มตัวปัจจุบัน และ Vt = kT/q เป็นการแรงดันความร้อน (ประมาณ 25.8 mV ที่ 300K)ฟังก์ชันหลักของไดโอดเป็นการแก้ไข เมื่อมันจะลำเอียงไปข้างหน้า(มีศักยภาพสูงที่นำแอโนด), มันจะผ่านปัจจุบัน เมื่อมัน กลับ biased(มีศักยภาพสูงที่รอแคโทด), ปัจจุบันถูกบล็อค ลักษณะทั่วไปเส้นโค้งของไดโอดเหมาะและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทฤษฎี
PN แยกไดโอดเป็นอุปกรณ์ที่สร้างขึ้นมาจากทางแยกของ N-ชนิดและ P-ประเภท
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ นำวัสดุที่เชื่อมต่อกับ P-ชนิดที่เรียกว่าขั้วบวก
(A) และนำไปเชื่อมต่อกับวัสดุชนิดเอ็นเป็นแคโทด (K) โดยทั่วไป
แคโทดของไดโอดถูกทำเครื่องหมายด้วยเส้นทึบบนไดโอดดังแสดงในรูปที่ 1
AK
รูปที่ 1 ไดโอดสัญลักษณ์วงจร
สมการแรงดันและความสัมพันธ์ในปัจจุบันเป็นที่รู้จักกันเป็นสม Shockley.
(1)
D
T
V
NV
D s II E 
(1)
ที่การปล่อยค่าสัมประสิทธิ์ n แตกต่างกันระหว่าง 1 - 2 ขึ้นอยู่กับระดับของ
ผลกระทบและมีการรวมตัวกันเป็นอิ่มตัวปัจจุบันไดโอดย้อนกลับ และ Vt = โฮเทล / q เป็น
แรงดันความร้อน (ประมาณ 25.8 mV ที่ 300K).
ฟังก์ชั่นหลักของไดโอดเป็นสัตยาบัน เมื่อได้มีการลำเอียงไปข้างหน้า
(ที่มีศักยภาพสูงที่นำขั้วบวก) ก็จะผ่านปัจจุบัน เมื่อได้มีการลำเอียงย้อนกลับ
(ที่มีศักยภาพสูงที่นำขั้วลบ) ในปัจจุบันจะถูกบล็อค ลักษณะโดยทั่วไป
เส้นโค้งของไดโอดที่เหมาะและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทฤษฎีส่วน PN Junction Diode เป็นอุปกรณ์ที่เกิดขึ้นจากชุมทางของพีทั่วไปและวัสดุสารกึ่งตัวนำ ตะกั่วเชื่อมต่อกับวัสดุพีเรียกว่าแอโนด( ) และตะกั่วเชื่อมต่อกับวัสดุทั่วไปเป็นแคโทด ( K ) โดยทั่วไปแคโทดของไดโอดถูกทำเครื่องหมายด้วยเส้นทึบในไดโอดดังแสดงในรูปที่ 1เป็นเครูปที่ 1 สัญลักษณ์วงจรไดโอดสมการแรงดันไฟฟ้าและความสัมพันธ์ในปัจจุบันเรียกว่าสมการ ชอคเลย .( 1 )DทีวีประเทศสหรัฐอเมริกาD S E ฉัน( 1 )ที่เพิ่มค่า n แตกต่างกันระหว่าง 1 - 2 ขึ้นอยู่กับระดับของผลกระทบและการเป็นไดโอดกระแสย้อนกลับอิ่มตัว . VT = และ KT / Q คือความร้อนแรงดัน ( ประมาณ 25.8 MV ที่ 300 )หน้าที่หลักของไดโอดแก้ไข . เมื่อมันลำเอียงไปข้างหน้า( สูงกว่าศักยภาพที่ขั้วบวกตะกั่ว ) ก็จะผ่านปัจจุบัน เมื่อมันกลับ มีอคติ( สูงกว่าศักยภาพที่แคโทดตะกั่ว ) ปัจจุบันถูกปิด ลักษณะทั่วไปเส้นโค้งของไดโอดอุดมคติและไดโอดจริงจะแสดงในรูปที่ 2