Consider first that the source and

Consider first that the source and p-type substrate are grounded (at zero
potential) and the gate is “floating”; that is, the gate is not connected to an external
source of emf. Let a potential VDS be applied between the drain and the
source, such that the drain is positive. Electrons will then flow through the n
channel from source to drain, and the conventional current IDS, as shown in Fig.
41-20, will be from drain to source through the n channel.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พิจารณาแรกที่แหล่งที่มาและสารตั้งต้น p-type จะมีสายดิน (ที่ศูนย์ที่มีศักยภาพ
) และประตูคือ "ลอย"; นั่นคือประตูที่ไม่ได้เชื่อมต่อกับแหล่ง
ภายนอกของแรงดันไฟฟ้า ให้มีศักยภาพ VDS จะนำมาใช้ระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งที่มา
เช่นว่าท่อระบายน้ำออกมาเป็นบวก อิเล็กตรอนจะไหลผ่านช่อง
n จากแหล่งที่มาเพื่อระบายน้ำและรหัสปัจจุบันการชุมนุมดังแสดงในรูป.
41-20, จะมาจากท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาผ่านช่องทาง n

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พิจารณาก่อนว่า พื้นผิวแหล่งและชนิด p มีสูตร (ที่ศูนย์
ศักยภาพ) และประตูจะ "ลอย" นั่นคือ ประตูจะไม่เชื่อมต่อกับภายนอก
แหล่ง emf ให้ใช้ VDS อาจเกิดขึ้นระหว่างท่อระบายน้ำและ
แหล่ง ที่ระบายน้ำเป็นบวก อิเล็กตรอนจะไหลผ่าน n แล้ว
ช่องจากแหล่งระบายน้ำ และปัจจุบันรหัสธรรมดา ดังที่แสดงในฟิก
41-20 จะมาจากท่อระบายน้ำแหล่งผ่านช่อง n

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พิจารณายึดเข้ากับฐานเป็นครั้งแรกว่าแหล่งที่มาและ P - พิมพ์มีลงดินแล้ว(ที่มี ศักยภาพ เป็นศูนย์
ซึ่งจะช่วย)และประตูที่เป็น"น้ำ"ซึ่งเป็นประตูที่ไม่ได้เชื่อมต่อกับ ภายนอก
แหล่งที่มาของ EMF ปล่อยให้ VDS มี ศักยภาพ ที่จะนำมาใช้ระหว่างการระบายน้ำและ
แหล่งที่มาที่สะเด็ดน้ำที่เป็นบวก อิเล็กตรอนไปกระทบกับจอจะไหลผ่าน n
ช่องออกจากแหล่งที่มาให้สะเด็ดน้ำและ ID ผู้รับในปัจจุบันทั่วไปที่แสดงในรูป.
แล้ว41-20 จะได้รับการรับรองจากสะเด็ดน้ำในแหล่งที่มาผ่านทาง Channel n