For the Si-Ge system an optical in situ monitoring system of the crystal-melt interface allowed the study and optimization of the solidification of the solid solution crystal (Sazaki et al., 2002).
ในระบบ Si Ge เป็นระบบใน situ ตรวจสอบแสงของอินเทอร์เฟซการละลายผลึกได้ศึกษาและเพิ่มประสิทธิภาพของ solidification ของโซลูชันของแข็งผลึก (Sazaki et al., 2002)
สำหรับระบบศรีจีอีออปติคอลในระบบการตรวจสอบแหล่งกำเนิดของอินเตอร์เฟซคริสตัลละลายที่ได้รับอนุญาตการศึกษาและการเพิ่มประสิทธิภาพของการแข็งตัวของผลึกสารละลายของแข็ง (Sazaki et al., 2002)