Fig. 2. (a) Schematic architecture

Fig. 2. (a) Schematic architecture of a semitransparent fully inkjet printed solar cell with AgNW electrodes. (b) Specular transmittance of the encapsulated device. Inset: Photograph of semitransparent fully inkjet printed cell free of metal grids. (c) Cross-sectional SEM image of the whole device structure. From bottom to top: Glass/AgNW:ZnO/PV2000:PCBM/ PEDOT:PSS/AgNW. The thickness of each individual layer is included in the image. The nanoparticle flakes on the active and glass layer are due to the glass cutting process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 2 (ก) แผนผังสถาปัตยกรรมของแบบกึ่งโปร่งใส เต็มอิงค์เจ็ทพิมพ์เซลล์แสงอาทิตย์กับอิเล็กโทรด AgNW (ข) ส่งสเปกตรัมของอุปกรณ์สรุป แทรกภาพ: ภาพถ่ายของกึ่งโปร่งใสเต็มอิงค์เจ็ทพิมพ์ฟรีของโลหะกริดเซลล์ (ค) ภาพ SEM หน้าตัดของโครงสร้างอุปกรณ์ทั้ง จากด้านล่างสู่ด้านบน: แก้ว / AgNW:ZnO / PV2000:PCBM / PEDOT:PSS / AgNW ความหนาของแต่ละชั้นแต่ละตัวจะรวมอยู่ในภาพ flakes nanoparticle สูงในการใช้งานและชั้นกระจกจะเกิดกระบวนการตัดกระจก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 2. (ก) แผนผังของสถาปัตยกรรมกึ่งโปร่งใสอิงค์เจ็ทพิมพ์ได้อย่างเต็มที่เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีขั้วไฟฟ้า AgNW (ข) การส่งผ่าน Specular ของอุปกรณ์ห่อหุ้ม ภาพประกอบ: รูปถ่ายของกึ่งโปร่งใสอย่างเต็มที่อิงค์เจ็ทมือถือพิมพ์ฟรีตะแกรงโลหะ (ค) ภาพ SEM ตัดขวางของโครงสร้างอุปกรณ์ทั้งหมด จากล่างขึ้นบนกระจก / AgNW: ZnO / PV2000: PCBM / PEDOT: PSS / AgNW ความหนาของชั้นแต่ละรวมอยู่ในภาพ Akes ชั้นอนุภาคนาโนในชั้นการใช้งานและกระจกเป็นเพราะกระบวนการตัดกระจก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 2 ( 1 ) สถาปัตยกรรมแผนผังของกึ่งโปร่งใสอย่างอิงค์เจ็ทพิมพ์เซลล์แสงอาทิตย์กับ agnw ขั้วไฟฟ้า ( ข ) การส่งผ่านการสะท้อนแสงของห่อหุ้มอุปกรณ์ ภาพประกอบ : รูปกึ่งโปร่งใสอย่างอิงค์เจ็ทพิมพ์ฟรีเซลล์ของตารางโลหะ ( c ) ข้ามภาพ SEM สำหรับโครงสร้างของอุปกรณ์ทั้งหมด จากล่างขึ้นบน : แก้ว / agnw : ZnO / pv2000 : pcbm / pedot : แฮ่ / agnw . ความหนาแต่ละชั้นของแต่ละบุคคลอยู่ในรูป ใช้สำหรับflเข้ามาในงานและชั้นกระจก เพราะกระจกตัดกระบวนการ