Si3N4 was sintered with AlN–MgO add

Si3N4 was sintered with AlN–MgO additives by spark plasma sintering. The optical transmittances of sintered bodies were studied in the wavelength range of 0.4–5.5 μm, especially with emphasis on near infrared region. When the additive content was large, the sintered body was composed of α-SiAlON and showed high transmittance in both visible and near infrared regions. When the additive content was small, the sintered body was composed of β-Si3N4 and exhibited high transmittance in visible region but low transmittance in near infrared region. The electron spin resonance spectra indicated that the reduction of near infrared transmittance was due to the absorption by unpaired electrons derived from nitrogen vacancies.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Si3N4 ถูกเผา ด้วยสาร AlN – MgO โดยวิศวกรรม Transmittances แสงเผาร่างที่มีศึกษาในช่วงความยาวคลื่น 0.4 – 5.5 ไมครอน โดยเฉพาะอย่างยิ่งกับเน้นใกล้อินฟราเรดภูมิภาค เมื่อเนื้อหาสารเติมแต่งที่มีขนาดใหญ่ เผาร่างกายเป็นประกอบด้วยα-SiAlON และแสดงให้เห็นว่าสูงส่งทั้งที่มองเห็นได้ และ ใกล้อินฟราเรดภูมิภาค เมื่อเนื้อหาสารเติมแต่งเล็ก เผาร่างกายคือประกอบด้วยβ-Si3N4 และจัดแสดงสัมประสิทธิ์การส่งผ่านที่สูงในภูมิภาคที่สามารถมองเห็นได้แต่ส่งต่ำในภูมิภาคอินฟราเรดใกล้ อิเล็กตรอนสปินเรโซแนนซ์สเปกตรัมแสดงให้เห็นว่า การลดการส่งอินฟราเรดใกล้เสร็จเนื่องจากการดูดซึมโดยอิเล็กตรอน unpaired มาจากไนโตรเจนตำแหน่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Si3N4 ถูกเผาที่มีสาร ALN-MgO โดยการเผาจุดประกายพลาสม่า transmittances แสงของร่างกายเผาศึกษาอยู่ในช่วงความยาวคลื่นของ 0.4-5.5 ไมโครเมตรโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่มีความสำคัญกับภูมิภาคใกล้อินฟราเรด เมื่อเนื้อหาสารเติมแต่งที่มีขนาดใหญ่ร่างกายเผาประกอบด้วยα-SiAlON และแสดงให้เห็นการส่งผ่านสูงในภูมิภาคอินฟราเรดทั้งที่มองเห็นและอยู่ใกล้กับ เมื่อเนื้อหาสารเติมแต่งที่มีขนาดเล็กร่างกายเผาประกอบด้วยβ-Si3N4 และจัดแสดงผลงานการส่งผ่านสูงในภูมิภาคมองเห็นได้ แต่ส่งผ่านต่ำในภูมิภาคใกล้อินฟราเรด เสียงสะท้อนสเปกตรัมอิเล็กตรอนสปินชี้ให้เห็นว่าการลดลงของการส่งผ่านอินฟราเรดใกล้เป็นผลมาจากการดูดซึมโดยอิเล็กตรอน unpaired ที่ได้มาจากตำแหน่งงานว่างไนโตรเจน