Ideally, if the semiconductor diode

Ideally, if the semiconductor diode is to behave like a closed switch in the ไบอัสตรง บริเวณ, the resistance of the diode should be 0 . In the reverse-bias region its resistance should be  to represent the open-circuit equivalent. Such levels of resistance in the นำหน้า and reverse-bias บริเวณ result in the characteristics of Fig. 1.22 .

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หากไดโอดสารกึ่งตัวนำคือการ ทำงานเหมือนสวิตช์ปิดในไบอัสตรงบริเวณ ความต้านทานของไดโอดควรเป็น 0 ในภูมิภาคอคติย้อนกลับ ของความต้านทานควรถึงเทียบเท่าวงจรเปิด เช่นระดับของความต้านทานในบริเวณนำหน้าและอคติย้อนกลับส่งผลในลักษณะของรูป 1.22

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จะเป็นการดีถ้าไดโอดสารกึ่งตัวนำที่จะประพฤติตัวเหมือนสวิทช์ปิดในไบอัสตรงบริเวณต้านทานของไดโอดควรเป็น 0? ในภูมิภาคย้อนกลับอคติต้านทานที่ควรจะ ?? เพื่อเป็นตัวแทนของเทียบเท่าวงจรเปิด ระดับดังกล่าวของความต้านทานในนำหน้าและย้อนกลับอคติบริเวณผลในลักษณะของมะเดื่อ 1.22

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งถ้าสารกึ่งตัวนำไดโอดจะทำตัวเหมือนเป็นสวิทช์ปิดในไบอัสตรงบริเวณ , ความต้านทานของตัวไดโอดควรจะเป็น 0 ในเขตของความต้านทานย้อนกลับอคติ ควรแสดงการเปิดวงจรสมมูล ระดับของความต้านทานในนำหน้าและย้อนกลับบริเวณอคติส่งผลในลักษณะของภาพที่ 1.22 .