Towards sapphire and SiC wafer, cle

Towards sapphire and SiC wafer, clear and regular atomic step morphology could be observed all-over
the surface via AFM. However, the variations of atomic step widths and step directions are different on
the whole of different wafer surfaces: that on sapphire wafer are uniform, while that on SiC wafer are
distinct. The effects of atomic step width on removal rate are studied. Removal model of super-hard
wafer to realize atomically ultra-smooth surface is proposed. The variations of atomic step morphology
toward different defects on sapphire and SiC wafers surface are analyzed, and the formation mechanism
is discussed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แซฟไฟร์และเวเฟอร์ SiC สัณฐานวิทยาขั้นอะตอมชัดเจน และปกติอาจจะสังเกตได้ทั่วเรือนร่างผิวทางที่มีประสิทธิผล อย่างไรก็ตาม รูปแบบของความกว้างของขั้นตอนอะตอมและแนะนำขั้นตอนแตกต่างกันในทั้งหมดของพื้นผิวอื่นเวเฟอร์: บนเวเฟอร์แซฟไฟร์ที่มีเหมือนกัน ในขณะที่บนเวเฟอร์ SiC ที่แตกต่างกัน ได้ศึกษาผลกระทบของความกว้างขั้นอะตอมราคาเอาไว้ รุ่นกำจัดยากสุด ๆเวเฟอร์ตระหนัก atomically นำเสนอพื้นผิวราบ รูปแบบของขั้นตอนอะตอมสัณฐานต่อข้อบกพร่องแตกต่างกันบนแซฟไฟร์และ SiC surface เวเฟอร์จะถูกวิเคราะห์ และกลไกการก่อตัวมีการกล่าวถึง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไพลินและเวเฟอร์ SiC ชัดเจนและสัณฐานวิทยาปกติขั้นตอนอะตอมจะเห็นได้ทั้งหมดกว่า
พื้นผิวผ่าน AFM อย่างไรก็ตามรูปแบบของความกว้างของขั้นตอนและทิศทางขั้นตอนอะตอมจะแตกต่างกันใน
ทั้งพื้นผิวที่แตกต่างกันเวเฟอร์: ว่าในวันที่เวเฟอร์แซฟไฟร์มีเครื่องแบบขณะที่ใน SiC เวเฟอร์มีความ
แตกต่างกัน ผลกระทบของความกว้างของขั้นตอนอะตอมอัตราการกำจัดมีการศึกษา รูปแบบการกำจัดของซุปเปอร์ยาก
เวเฟอร์ที่จะตระหนักถึงอะตอมพื้นผิวที่นุ่มนวลเป็นพิเศษมีการเสนอ รูปแบบของลักษณะทางสัณฐานวิทยาขั้นตอนอะตอม
ที่มีต่อข้อบกพร่องต่าง ๆ บนพื้นผิวไพลินและเวเฟอร์ SiC มีการวิเคราะห์และกลไกการพัฒนา
ที่จะกล่าวถึง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กับพลอยและ SIC เวเฟอร์ , ชัดเจนและลักษณะขั้นตอนปกติอะตอมสามารถสังเกตได้ทั่วพื้นผิวทาง AFM . อย่างไรก็ตาม การเปลี่ยนแปลงของอะตอมและทิศทางขั้นตอนขั้นตอนที่แตกต่างกันในทั้งพื้นผิวเวเฟอร์ที่แตกต่างกันบนเวเฟอร์แซฟไฟร์เป็นเครื่องแบบ ขณะที่บนเป็น SIC เวเฟอร์ที่แตกต่างกัน ผลของขั้นตอนการกำจัดของความกว้าง อัตราการศึกษา เอาแบบซุปเปอร์ยากเวเฟอร์ ตระหนัก พื้นผิวเรียบ atomically Ultra เป็นเสนอ รูปแบบของขั้นตอนของอะตอมที่มีข้อบกพร่องที่แตกต่างกันในแซฟไฟร์และซิลิกอนเวเฟอร์ได้วิเคราะห์ผิว และการสร้างกลไกจะกล่าวถึง