It is the cleaning and conditioning

It is the cleaning and conditioning of the surface prior to passivation gains increasing importance. It has to the applicability of three methods to clean and condition the surface of silicon wafers by an ultra-thin oxide layer. Simple cleaning has been demonstrated that organic residues resulting from wafering. It has been masking the surface during alkine texturing can be removed by UV/O_3 exposure. It used of UV/O_3 (excimer) and HNO_3 oxides result in an improvement of passivation quality and emitter saturation current in combination with Al_2 O_3/SiN_x or AIN/SiN_x passivation stacks. This important application of ultra-thin SiO_x layers is as tunnel oxides for the rear side of the Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) cell concept. The structural properties of theSiO_X layers that were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and compared to the iV_OC data. It indicate that a minimum oxide layer thickness of approx. 1.4 nm and a high amount of oxygen rich sub oxides species are required to obtain a good interface passivation stable up to annealing temperatures of 900℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มันเป็นการทำความสะอาด และปรับผิวก่อนทู่กำไรสำคัญที่เพิ่มขึ้น มีการยอมรับวิธีการสามวิธีการทำความสะอาดและสภาพพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์ โดยมีชั้นออกไซด์บางเฉียบ ทำความสะอาดง่ายได้รับแสดงให้เห็นว่าอินทรีย์ตกค้างที่เกิดจาก wafering มันมีกาวผิวระหว่าง alkine พื้นผิวสามารถลบออกได้ โดยแสง UV/O_3 มันใช้ของ UV/O_3 (เครื่อง) และออกไซด์ HNO_3 ผลของฟิล์มคุณภาพและยิงอิ่มปัจจุบันร่วมกับกองทู่ O_3 Al_2/SiN_x หรือ AIN/SiN_x โปรแกรมนี้สำคัญชั้น SiO_x เฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของแนวคิดเซลล์อุโมงค์ Passivated ออกไซด์ติดต่อ (TOPCon) คุณสมบัติโครงสร้างของชั้น theSiO_X ที่ถูกวิเคราะห์ โดย X-ray photoelectron สเปกโทรสโก (XPS) และเมื่อเปรียบเทียบกับข้อมูลที่ iV_OC มันบ่งชี้ว่า เป็นออกไซด์ต่ำชั้นหนาประมาณ 1.4 nm และมีออกซิเจนเกิดออกไซด์ย่อยหลากหลายสายพันธุ์ต้องขอดีของอินเทอร์เฟซทู่มีเสถียรภาพถึงหลอมอุณหภูมิ 900℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นเรื่องที่ทำความสะอาดและเครื่องของพื้นผิวก่อนที่จะมีกำไรทู่สำคัญที่เพิ่มขึ้น มันจะต้องมีการบังคับใช้ของสามวิธีในการทำความสะอาดและปรับสภาพพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์โดยชั้นออกไซด์บางเฉียบ ทำความสะอาดง่ายได้รับการแสดงให้เห็นว่าสารตกค้างอินทรีย์ที่เกิดจากการ wafering มันได้รับการกำบังผิวระหว่างพื้นผิว alkine สามารถลบออกได้โดยการสัมผัสรังสียูวี / O_3 จะใช้ของรังสียูวี / O_3 (excimer) และ HNO_3 ออกไซด์ผลในการปรับปรุงคุณภาพของฟิล์มและอีซีแอลอิ่มตัวในปัจจุบันร่วมกับ Al_2 O_3 / SiN_x หรือเอไอเอ็นกอง / SiN_x ทู่ โปรแกรมนี้ที่สำคัญของชั้น SiO_x บางเฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของอุโมงค์ออกไซด์ Passivated ติดต่อ (Topcon) แนวคิดมือถือ คุณสมบัติของโครงสร้างของชั้น theSiO_X ที่ถูกวิเคราะห์โดย X-ray โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโทรสโก (XPS) และเมื่อเทียบกับข้อมูล iV_OC มันแสดงให้เห็นว่าความหนาของชั้นออกไซด์ต่ำสุดประมาณ 1.4 นาโนเมตรและเป็นจำนวนเงินที่สูงของออกซิเจนที่อุดมไปด้วยสายพันธุ์ย่อยออกไซด์จะต้องได้รับฟิล์มอินเตอร์เฟซที่ดีมีเสถียรภาพขึ้นกับอุณหภูมิการหลอม 900 ℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันทำความสะอาดและปรับสภาพผิวก่อนการแพซซิได้รับความสำคัญมากขึ้น . มันมีการใช้ 3 วิธี เพื่อความสะอาดและสภาพผิวของซิลิกอนเวเฟอร์ โดยมีชั้นออกไซด์ที่บางเฉียบ ทำความสะอาดง่ายมีถูกแสดงให้อินทรีย์ที่เกิดจาก wafering . มีกาวใน alkine พื้นผิวพื้นผิวสามารถลบออกได้โดย UV / o_3 แสง มันใช้ UV / o_3 ( Excimer ) และ hno_3 ออกไซด์ผลในการปรับปรุงคุณภาพและสีรุ้ง อีซีปัจจุบันร่วมกับ al_2 o_3 / sin_x หรือจะ / sin_x แพซซิกอง . โปรแกรมที่สำคัญของชั้น sio_x บางเฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของอุโมงค์ประกอบออกไซด์ติดต่อ ( Topcon ) แนวคิดมือถือ สมบัติเชิงโครงสร้างของ thesio_x ชั้นวิเคราะห์โดยเครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ) และเปรียบเทียบกับข้อมูล iv_oc . มันแสดงให้เห็นว่าอย่างน้อยชั้นความหนาของออกไซด์ประมาณ 1.4 นาโนเมตร และปริมาณออกซิเจนที่อุดมไปด้วยออกไซด์ชนิดย่อยจะต้องได้รับที่ดีติดต่อรุ้งมั่นคงถึงอุณหภูมิอบ 900 ℃