Based on the advanced and innovativ

Based on the advanced and innovative properties of wide bandgap materials, ST’s 650 V and 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low RDS(on) * area combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems. Compared with silicon MOSFETs, SiC MOSFETs exhibit low on-state resistance * area even at high temperatures and excellent switching performances versus the best-in-class IGBTs in all temperature ranges, simplifying the thermal design of power electronic systems.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามคุณสมบัติขั้นสูง และนวัตกรรมของวัสดุ bandgap กว้าง MOSFETs 1200 V ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) และ 650 V ของเซนต์มี rds (on)ต่ำมาก * พื้นที่รวมกับสลับประสิทธิภาพ แปลเป็นระบบที่มีประสิทธิภาพ และขนาดกะทัดรัด เมื่อเทียบกับซิลิคอน MOSFETs, MOSFETs ฉบับแสดงความต้านทานต่ำจากรัฐ * แม้ที่อุณหภูมิสูง และยอดเยี่ยมสลับแสดงเทียบกับ IGBTs ในสุดในทุกอุณหภูมิช่วง ลดความซับซ้อนการออกแบบระบบไฟฟ้าพลังงานความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขึ้นอยู่กับคุณสมบัติขั้นสูงและนวัตกรรมใหม่ของวัสดุ bandgap กว้างของ ST 650 V และ V 1200 ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) MOSFETs RDS คุณลักษณะที่ต่ำมาก (ON) * พื้นที่รวมกับประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยมเปลี่ยนแปลในระบบมีประสิทธิภาพมากขึ้นและมีขนาดกะทัดรัด เมื่อเทียบกับ MOSFETs ซิลิกอนคาร์ไบด์แสดง MOSFETs ต่ำในรัฐต้านทาน * พื้นที่แม้ที่อุณหภูมิสูงและการแสดงเปลี่ยนที่ดีเยี่ยมเมื่อเทียบกับ IGBTs ที่ดีที่สุดในชั้นเรียนในช่วงอุณหภูมิทั้งหมดลดความซับซ้อนของการออกแบบการระบายความร้อนของระบบไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขึ้นอยู่กับคุณสมบัติของวัสดุขั้นสูงและนวัตกรรม bandgap กว้าง ST 650 V และ 1200 V ซิลิคอนคาร์ไบด์ ( sic ) สอดคุณสมบัติ RDS ต่ำมาก ( บน ) * รวมพื้นที่กับการสลับประสิทธิภาพที่ดีแปลเป็นระบบที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นและมีขนาดกะทัดรัด . เมื่อเทียบกับซิลิคอน สอดเพียงสอดแสดงต่ำต้านทาน * สภาพพื้นที่แม้ที่อุณหภูมิสูงและยอดเยี่ยมเปลี่ยนการแสดงกับที่ดีที่สุดในชั้นเรียน igbts ในทุกช่วงอุณหภูมิความร้อนของระบบการออกแบบระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง