Polished unetched samples can show

Polished unetched samples can show macroscopic cracks, pits, and so on,
but no microstructural details because there is not yet any contrastproducing
feature on the surface. These will be revealed by the etching process.
The term etching is generally used to mean physical or chemical peeling
of atomic layers. However, in the context of surface etching for microstructural
evaluation, the idea is to expose the lowest-energy surface by
chemical or thermal means. This will expose defects such as grain boundaries
and bring out the contrast between different phases or different crystallographic
orientations that etch at different rates. Specimen etching is a
vast and matured area in itself, and several handbooks are available that
describe and tabulate recipes for final polishing and etching of specific
materials [6,17–19].
A simple example of the importance of the etching process is illustrated in
Figure 9.2. The freshly polished surface prior to etching will have no variation in contrast across the grain boundary because it is completely flat. But
during chemical attack on the surface, the grain boundary region will be
eroded faster than the rest of the grain and therefore there will be very fine
grooves along the boundary that will be visible under the microscope.
The choice of a chemical etchant is, of course, very dependent on the
sample that needs to be etched. As mentioned earlier, a large number of
compilations are available in the literature and this is an ever-expanding
field in an age of ever-increasing use of new materials. The common thread
among all these recipes is that the surface material needs to be chemically
attacked so that fresh surface is exposed underneath. For metallic elements
and alloys, these are predominantly acid- or peroxide-containing solutions.
Aqueous nitric acid (hot or cold) is often the first solution tried. A stronger
etchant could be a mixture of nitric, hydrofluoric, and hydrochloric acids. In
some cases, methanol is used as a solvent instead of water. Hot orthophosphoric
acid can be used in the case of inert oxides. Many electronic materials
such as GaAs and recently, superconductors [20] can use halogen in ethanol.
The extent of etching needs to be monitored carefully. After su‰cient contrast
is brought out, the specimen should be rinsed thoroughly in a nonreactive
solvent (e.g., acetone, alcohol) to prevent further corrosion. It must
be noted that the same ingredient that is used for limited surface etching in
optical microscopy or SEM is often used in a di¤erent consistency and
potency for sample thinning that is crucial for transmission electron microscopy.
Therefore, more details of chemical etching and polishing are given in
Section 9.3.3.
If the material is so inert chemically that no corrosive etchant is available,
allowing the surface to relax at a high-enough temperature (in the range
where substantial di¤usion is possible) will have a similar e¤ect. Di¤usion of
atoms will tend to bring the surface to its equilibrium or quasi-equilibrium
state [21,22], which often leads to phenomena such as faceting of certain
planes and grain boundary grooving. These processes will lead to contrast
between di¤erent areas of the sample.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่าง unetched ขัดสามารถแสดงรอยแตกด้วยตาเปล่า หลุม และอื่น ๆแต่ไม่มีรายละเอียดที่จุลภาคเนื่องจากยังไม่มี contrastproducingลักษณะการทำงานบนพื้นผิว เหล่านี้จะถูกเปิดเผย โดยการแกะสลักแกะสลักระยะโดยทั่วไปหมายถึงทางกายภาพ หรือเคมีปอกชั้นอะตอม อย่างไรก็ตาม ในบริบทของการแกะสลักสำหรับ surface จุลภาคการประเมินผล ความคิดที่จะ ทำให้พื้นผิวต่ำสุดพลังงานโดยหมายถึงสารเคมี หรือความร้อน จะทำให้ข้อบกพร่องเช่นแปและนำความเปรียบต่าง ระหว่างระยะที่แตกต่างกัน หรือต่าง crystallographicแนวที่กัดในราคาที่แตกต่างกัน ตัวอย่างการแกะสลักการมีพื้นที่กว้างใหญ่ และเสน่ห์แห่งวัยในตัวเอง และคู่มือหลายที่อธิบาย และสูตรสำหรับการขัดขั้นสุดท้าย และการแกะสลักของเฉพาะใด ๆวัสดุ [6,17-19]ตัวอย่างง่าย ๆ ของความสำคัญของกระบวนการแกะสลักในภาพรูปที่ 9.2 สดขัดผิวก่อนที่จะแกะสลักได้ไม่ผันแปรในผ่านขอบของเม็ดเนื่องจากมีความเรียบสนิท แต่ในระหว่างการโจมตีทางเคมีบนพื้นผิว พื้นที่ขอบเกรนจะกัดเซาะเร็วกว่าส่วนเหลือของธัญพืช และดังนั้น จะดีมากร่องตามขอบเขตที่จะสามารถมองเห็นภายใต้กล้องจุลทรรศน์เลือก etchant การทางเคมีคือ แน่นอน ขึ้นอยู่กับการตัวอย่างที่ต้องจะแกะสลัก ดังกล่าวก่อนหน้า จำนวนมากสาวที่มีอยู่ในวรรณคดี และเป็นการขยายในอายุเพิ่มมากขึ้นใช้วัสดุใหม่ กระทู้ทั่วไปหนึ่งในสูตรเหล่านี้คือ ที่พื้นผิวต้องมีสารเคมีโจมตีเพื่อให้พื้นผิวที่สดชื่นสัมผัสใต้ องค์ประกอบของโลหะและโลหะ ผสม ส่วนใหญ่เหล่านี้เป็นโซลูชั่นที่ประกอบด้วยกรด หรือไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์สารละลายกรดไนตริก (ร้อน หรือเย็น) มักจะเป็นการพยายามแก้ปัญหาแรก แข็งแกร่งetchant อาจจะมีส่วนผสมของไนตริกออกไซด์ ไฮโดรฟลูออริก และกรดไฮโดรคลอริกได้ ในบางกรณี เมทานอลจะใช้เป็นตัวทำละลายแทนน้ำ Orthophosphoric ร้อนกรดสามารถใช้ได้ในกรณีของออกไซด์เฉื่อย วัสดุอิเล็กทรอนิกส์หลายเช่น GaAs และเมื่อเร็ว ๆ นี้ superconductors [20] สามารถใช้ฮาโลเจนในเอทานอลขอบเขตของการแกะสลักต้องตรวจสอบอย่างระมัดระวัง หลังจาก su‰cient ความคมชัดนำ ตัวอย่างควรจะล้างให้สะอาดในเป็น nonreactiveตัวทำละลาย (เช่น อะซิโตน แอลกอฮอล์) เพื่อป้องกันการกัดกร่อน มันต้องจะสังเกตว่า ส่วนผสมเดียวกันกับที่ใช้สำหรับจำกัดการแกะสลักพื้นผิวในออปติคัลไมโครสโคหรือ SEM มักใช้ในความ di¤erent สอดคล้อง และความแรงสำหรับตัวอย่างบางที่เป็นสิ่งสำคัญสำหรับการส่งชาวดัตช์ดังนั้น กำหนดรายละเอียดของการแกะสลัก และขัดเคมีในส่วน 9.3.3ถ้าวัสดุเฉื่อยดังนั้นสารเคมีไม่กัดกร่อน etchant ว่าช่วยให้พื้นผิวที่มีอุณหภูมิสูงพอ (ในช่วงที่สำคัญ di¤usion เป็นไปได้) จะมี e¤ect คล้ายกัน Di¤usion ของอะตอมจะมีแนวโน้มจะ นำพื้นผิวของการสมดุลหรือวนอุทยานสมดุลรัฐ [21,22], ซึ่งมักจะนำไปสู่ปรากฏการณ์เช่น faceting บางประเภทเครื่องบินและเซาะร่องขอบเกรน กระบวนการเหล่านี้จะนำไปสู่ความคมชัดระหว่างพื้นที่ di¤erent ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่าง unetched ขัดสามารถแสดงรอยแตกเปล่าหลุมและอื่น ๆ
แต่ไม่มีรายละเอียดจุลภาคเพราะมียังไม่เป็นที่ใด contrastproducing
คุณลักษณะบนพื้นผิว เหล่านี้จะได้รับการเปิดเผยโดยกระบวนการการแกะสลัก.
แกะสลักเป็นคำที่ใช้กันโดยทั่วไปจะหมายถึงการปอกเปลือกทางกายภาพหรือทางเคมี
ของชั้นอะตอม อย่างไรก็ตามในบริบทของการแกะสลักพื้นผิวสำหรับจุลภาค
การประเมินผลความคิดที่จะเผยให้เห็นพื้นผิวต่ำสุดพลังงานโดย
วิธีเคมีหรือความร้อน นี้จะเปิดเผยข้อบกพร่องเช่นข้าวเขตแดน
และนำออกมาจากความแตกต่างระหว่างขั้นตอนแตกต่างกันหรือแตกต่างกัน crystallographic
ทิศทางที่กัดในอัตราที่แตกต่างกัน การแกะสลักชิ้นงานเป็น
พื้นที่กว้างใหญ่และครบกำหนดในตัวเองและอีกหลายคู่มือที่มีที่
อธิบายและจัดระเบียบสูตรอาหารสำหรับขัดขั้นสุดท้ายและการแกะสลักเฉพาะ
วัสดุ [6,17-19].
ตัวอย่างง่ายๆถึงความสำคัญของกระบวนการการแกะสลักที่มีการแสดงใน
รูปที่ 9.2 ขัดผิวสดใหม่ก่อนที่จะมีการแกะสลักจะมีการเปลี่ยนแปลงในทางตรงกันข้ามข้ามขอบเขตของเมล็ดข้าวไม่ได้เพราะมันเป็นแบนสมบูรณ์ แต่
ในระหว่างการโจมตีทางเคมีบนพื้นผิวภูมิภาคขอบเกรนจะถูก
กัดเซาะได้เร็วขึ้นกว่าที่เหลือของเมล็ดข้าวและดังนั้นจึงจะมีดีมาก
ร่องตามแนวพรมแดนที่จะมองเห็นภายใต้กล้องจุลทรรศน์.
ทางเลือกของ etchant เคมีเป็นของ แน่นอนมากขึ้นอยู่กับ
ตัวอย่างที่จะต้องมีการแกะสลัก ดังที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้จำนวนมากของ
การรวบรวมที่มีอยู่ในวรรณคดีและนี่คือที่เคยขยายตัว
ฟิลด์ในยุคของการใช้งานที่เพิ่มมากขึ้นของวัสดุใหม่ หัวข้อทั่วไป
ในหมู่สูตรทั้งหมดเหล่านี้คือวัสดุพื้นผิวจะต้องมีสารเคมี
โจมตีเพื่อให้พื้นผิวสดสัมผัสใต้ สำหรับธาตุโลหะ
และโลหะผสมเหล่านี้จะแก้ปัญหาส่วนใหญ่หรือกรดเปอร์ออกไซด์ที่มี.
น้ำกรดไนตริก (ร้อนหรือเย็น) มักจะเป็นโซลูชั่นแรกพยายาม แข็งแรง
etchant อาจจะมีส่วนผสมของไนตริก hydrofluoric, กรดไฮโดรคลอริกและ ใน
บางกรณีเมทานอลที่ใช้เป็นตัวทำละลายแทนน้ำ orthophosphoric ร้อน
กรดสามารถนำมาใช้ในกรณีของออกไซด์เฉื่อย วัสดุอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมาก
เช่น GaAs และเมื่อเร็ว ๆ นี้ตัวนำยิ่งยวด [20] สามารถใช้ฮาโลเจนในเอทานอ.
ขอบเขตของการแกะสลักจะต้องมีการตรวจสอบอย่างรอบคอบ หลังจากที่ซู‰ประสิทธิภาพความคมชัด
จะถูกนำออกชิ้นงานควรจะล้างให้สะอาดใน nonreactive
ตัวทำละลาย (เช่นอะซีโตนแอลกอฮอล์) เพื่อป้องกันการกัดกร่อนต่อไป มันจะต้อง
ได้รับการตั้งข้อสังเกตว่าส่วนผสมเดียวกับที่จะใช้สำหรับการแกะสลักพื้นผิวที่ จำกัด ใน
การใช้กล้องจุลทรรศน์แสงหรือ SEM มักจะใช้ในความสอดคล้องdi¤erentและ
ความแรงสำหรับการทำให้ผอมบางตัวอย่างที่เป็นสิ่งสำคัญสำหรับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน.
ดังนั้นรายละเอียดเพิ่มเติมของการแกะสลักและสารเคมี ขัดจะได้รับใน
มาตรา 9.3.3.
ถ้าวัสดุเพื่อทำปฏิกิริยาทางเคมีว่าไม่มี etchant กัดกร่อนใช้ได้แล้ว
ช่วยให้พื้นผิวที่จะผ่อนคลายที่อุณหภูมิสูงพอ (ในช่วง
ที่di¤usionมากเป็นไปได้) จะมีลักษณะคล้ายกัน e¤ect Di¤usionของ
อะตอมจะมีแนวโน้มที่จะนำพื้นผิวที่สมดุลหรือเสมือนสมดุลของ
รัฐ [21,22] ซึ่งมักจะนำไปสู่ปรากฏการณ์เช่น faceting บาง
เครื่องบินและขอบเกรนเซาะร่อง กระบวนการเหล่านี้จะนำไปสู่ความแตกต่าง
ระหว่างพื้นที่di¤erentของกลุ่มตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เงาตัวอย่าง unetched สามารถแสดงรอยแตก มีหลุม , และดังนั้นบนแต่ไม่มีรายละเอียดโครงสร้างจุลภาค เพราะมีไม่ใด ๆ contrastproducingคุณลักษณะบนพื้นผิว เหล่านี้จะถูกเปิดเผยโดยกระบวนการกัด .คำที่พบโดยทั่วไปใช้หมายถึงทางกายภาพหรือทางเคมีลอกของอะตอมที่ชั้น อย่างไรก็ตาม ในบริบทของภาพโครงสร้างจุลภาคพื้นผิวสำหรับการประเมิน , ความคิดที่จะเปิดเผยพื้นผิวพลังงานต่ำสุดโดยหมายถึง สารเคมีหรือความร้อน นี้จะแสดงข้อบกพร่อง เช่น ขอบเขต ลายไม้และนำความแตกต่างระหว่างระยะที่แตกต่างกันหรือแตกต่างกันทางออกการอบรมที่เห็นได้ชัดเจนในอัตราที่แตกต่างกัน ตัวอย่างที่พบคือมาก และเป็นผู้ใหญ่ในพื้นที่เอง และหลายคู่มือที่มีอยู่ว่าอธิบายและจัดระเบียบสูตรสำหรับขัดขั้นสุดท้ายและภาพที่เฉพาะเจาะจงวัสดุ 6,17 ) [ 19 ]ตัวอย่างง่าย ๆของความสำคัญของกระบวนการกัดจะแสดงในรูปที่ 9.2 . สดขัดผิวก่อนที่จะกัดจะไม่มีการเปลี่ยนแปลงในทางตรงกันข้าม ทั้งเมล็ด เขตแดน เพราะมันแบนมาก แต่ในระหว่างการโจมตีทางเคมีบนพื้นผิว , ขอบเกรนภูมิภาคจะเป็นสึกหรอเร็วกว่าส่วนที่เหลือของเมล็ด และดังนั้น จะละเอียดมากร่องตามขอบเขตที่จะสามารถมองเห็นได้ภายใต้กล้องจุลทรรศน์ทางเลือกของสารเคมี etchant แน่นอนมาก ขึ้นอยู่กับตัวอย่างที่ต้องจารึก . ตามที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ เป็นจํานวนมากเรียบเรียงมีอยู่ในวรรณกรรมนี้เคยขยายในเขต อายุที่เพิ่มมากขึ้น การใช้วัสดุใหม่ หัวข้อทั่วไปในสูตรเหล่านี้เป็นวัสดุพื้นผิวต้องเคมีโจมตีเพื่อให้สด ผิวสัมผัสภายใต้ สำหรับธาตุโลหะและโลหะผสมเหล่านี้เป็นกรด - เด่นหรือเปอร์ออกไซด์ที่มีโซลูชั่นโดยใช้กรดไนตริก ( ร้อนหรือเย็น ) มักจะเป็นโซลูชั่นแรกพยายาม ที่แข็งแกร่งetchant อาจจะมีส่วนผสมของกรดเกลือกรดไนตริกและกรดไฮโดรฟลูออริก , , . ในบางกรณี เมทานอลเป็นตัวทำละลายแทนน้ำ orthophosphoric ร้อนกรดสามารถใช้ในกรณีของเฉื่อยออกไซด์ วัสดุอิเล็กทรอนิกส์หลายเช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์และเมื่อเร็ว ๆนี้ , ตัวนำยิ่งยวด [ 20 ] สามารถใช้หลอดฮาโลเจนในเอทานอลขอบเขตของการต้องตรวจสอบอย่างรอบคอบ หลังจากที่ซู‰ cient ความคมชัดถูกนำออกไป เราควรจะล้างอย่างละเอียดใน nonreactiveตัวทำละลาย ( เช่น อะซิโตน แอลกอฮอล์ ) เพื่อป้องกันการกัดกร่อนเพิ่มเติม มันต้องจะสังเกตได้ว่าส่วนผสมที่ใช้ในการกัดผิวกล้องจุลทรรศน์แสงหรือ SEM คือมักจะใช้ใน ดิ ¤ erent ความสอดคล้องและความแรงของตัวอย่างที่เป็นสิ่งสำคัญสำหรับการส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน .ดังนั้น รายละเอียดเพิ่มเติมของเคมีแกะสลักและขัดจะได้รับในส่วน 9.3.3 .ถ้าเป็นวัสดุเฉื่อยทางเคมี ดังนั้นที่ไม่กัดกร่อน etchant เป็นใช้ได้ช่วยให้ผิวผ่อนคลายที่อุณหภูมิสูงพอ ( ในช่วงที่สำคัญ ดิ ¤ usion เป็นไปได้ ) จะมีที่คล้ายกัน E ¤ ect ¤ usion ของดิอะตอมจะทำให้พื้นผิวของความสมดุล สมดุล หรือรัฐ [ 21,22 ] ซึ่งมักจะนำไปสู่ปรากฏการณ์เช่นเจียระไนบางเครื่องบินและเม็ดขอบเซาะร่อง กระบวนการเหล่านี้ จะทำให้ความคมชัดระหว่าง ดิ ¤ erent พื้นที่ตัวอย่าง